Объявление

Свернуть
Пока нет объявлений.

Кодовое обозначение миниатюрных полупроводниковых приборов

Свернуть
X
Свернуть

  • Кодовое обозначение миниатюрных полупроводниковых приборов

    Нажмите на изображение для увеличения. 

Название:	minitr1.gif 
Просмотров:	1 
Размер:	3.3 Кб 
ID:	2968>
    Полупроводниковые приборы в корпусе КТ-46 (SOT-23)

    ПРИНЯТЫЕ СОКРАЩЕНИЯ В ТАБЛИЦЕ

    C-Di- (Capacitance diode [varactor, varicap]) - емкостной диод (варикап);
    MOS-N(P)-FET-d(e)- (Metal oxide FET, enhancement type) - МДП - транзистор с каналом N (P);
    N-FET- (N-channel field-effect transistors) - полевой транзистор с N-каналом;
    PIN-Di- (PIN -diode) - диод;
    P-FET- (P- channel field-effect transistors) - полевой транзистор с Р-каналом;
    S- (Sensor devices) - сенсорная схема;
    Si-Di- (Silicon diode) - кремниевый диод;
    Si-N- (Silicon NPN transistor) - кремниевый NPN (обратный) транзистор;
    Si-N-Darl- (Silicon NPN Darlington transistor) - кремниевый NPN (обратный) транзистор по схеме Дарлингтона;
    Si-P- (Silicon PNP transistor) - кремниевый PNP (прямой) транзистор;
    Si-P-Darl- (Silicon PNP Darlington transistor) - кремниевый PNP (прямой) транзистор по схеме Дарлингтона;
    Si-St- (Silicon-stabi-diode [operation in forward direction]) - стабилизирующий диод (стабилитрон);
    Т- (Tuner Diodes) - переключающий диод;
    Tetrode- (P- + N-gate thyristor) - транзистор с четырехслойной структурой;
    Vrf- (Voltage reference diodes) - высокостабильный опорный диод;
    Vrg- (Voltage requlator diodes) - регулируемый опорный диод;
    AM- (RF application) - амплитудная модуляция;
    Band-S- (RF band switching) - ключевой элемент (электронный переключатель диапазона);
    Chopper- (Chopper) - прерыватель;
    Dual- (Dual transistors for differential amplifiers or dual diode) - сдвоенный транзистор (диод);
    FED- (Field effect diode) - диод, управляющий напряжением;
    FM- (RF application) - частотная модуляция;
    HF- (RF application [general]) - высокочастотный диапазон;
    LED- (Light-emitting diode) - светодиод;
    M- (Mixer stages) - смесительный;
    Min- (Miniaturized) - миниатюрный;
    NF- (AF applications) - низкочастотный (звуковой) диапазон;
    О- (Oscillator stages) - генераторная схема;
    га- (Low noise) - малошумящий;
    S- (Switching stages) - ключевой;
    SS- (Fast switching stages) - быстродействующий ключ;
    sym- (SyMinetrical types) - симметричный;
    Tr- (Driver stages) - мощной устройство (мощный управляющий ключ);
    tuning(RF tuning diode) - переключающий диод для схем переключения диапазона;
    Tunnel-Di- (Tunnel diode) - тунельный диод;
    UHF- (RF applications [>250MHz]) - ультрокороткий (СВЧ) диапазон;
    Uni- (General purpose tyres) - универсальный (массового применения);
    V- (Pre/input stages) - предварительный (для входных цепей);
    VHF- (RF applications [approx. 100..,250 MHz]) - высокочастотный (УКВ) диапазон;
    Vid- (Video output stages) - видеочастотный (для цепей видеочастоты);
    ВА316 А6 Si-Di BAW62, 1N4148 Min, S, 85V, 0.1A, <6ns
    BAS17 А91 Si-St ВА314 Min, Stabi, 0.75...0.83V/10mA
    ВА319 А8 Si-Di BAV19 Min, S, Uni, 120V, 0.2A, <5ms
    BAS20 А81 Si-Di BAV20 Min, S, Uni, 200V, 0.2A, <5ms
    BAS21 А82 Si-Di BAV21 Min, S, Uni, 250V, 0.2A, <5ms
    BAS29 L20 Si-Di BAX12 Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms
    BAS31 L21 Si-Di 2XBAX12 Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms
    BAS35 L22 Si-Di 2xBAX12 Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms
    ВАТ17 A3 Pin-Di BA480 VHF/UHF-Band-S, 4V, 30mA, 200MHz
    ВАТ18 А2 Pin-Di BA482 VHF/UHF-Band-S, 35V, 0.1A, 200MHz
    BAV70 А4 Si-Di 2xBAW62 1N4148 Min, Dual, 70V, 0.1A, <6ns
    BAV99 А7 Si-Di 2xBAW62 1N4148 Min, Dual, 70V, 0.1A, <6ns
    BAW56 А1 Si-Di 2xBAW62 1N4148 Min, Dual, S, 70V, 0.1A, <6ns
    BBY31 81 C-Di BB405, BB609 UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=1.8 - 2.8pF
    BBY40 S2 C-Di BB809 UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=4.3-6pF
    ВС807-16 5A 5AR Si-P BC327-16 Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 100-250
    ВС807-25 5BR Si-P BC327-25 Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 160-400
    ВС807-40 5CR Si-P BC327-40 Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600
    ВС808-16 5ER Si-P BC328-16 Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 100-250
    ВС808-25 5F 5FR Si-P BC328-25 Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 160-400
    BC808-40 5G 5GR Si-P BC328-40 Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600
    BC817-16 6A 6AR Si-N BC337-16 Min, NF-Tr, 5V, 0.5A, 200MHz, B= 100-250
    BC846B 1BR Si-N BC546B Min, Uni, 80V, 0.1A, 300MHz
    BC847A 1E 1ER Si-N BC547A, BC107A Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 110-220
    BC847B 1F 1FR Si-N BC547B, BC107B Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
    BC847C 1G 1GR Si-N BC547C, BC107C Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
    BC848A U 1JR Si-N BC548A, BC108A Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 110-220
    BC848B 1K 1KR Si-N BC548B, BC108B Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
    BC848C 1L 1LR Si-N BC548C, BC108C Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
    BC849B 2BR Si-N BC549B, ВС108В Min, Uni, ra 30V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
    BC849C 2CR Si-N BC549C, BC109C Min, Uni, ra, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
    BC850B 2F 2PR Si-N BC550B, BCY59 Min, Uni, ra, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
    BC850C 2G 2GR Si-N BC550C, BCY59 Min, Uni, ra, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
    BC856A ЗА 3AR Si-P BC556A Min, Uni, 65V, 0.1A, 150MHz, B= 125-250
    BC856B 3BR Si-P BC556B Min, Uni, 65V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
    BC857A ЗЕ 3ER Si-P BC557A, BC177A Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 125-250
    BC857B 3F 3FR Si-P BC557B, BC177B Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
    ВС857С 3G 3GR Si-P BC557C Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800
    ВС858А 3J 3JR Si-P BC558A, BC178A Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 125-250
    ВС858В ЗК 3KR Si-P BC558B, BC178B Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 220-475
    ВС858С 3L 3LR Si-P BC558C Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 420-800
    ВС859А 4AR Si-P BC559A, BC179A, BCY78 Min, Uni, га, 30V, 0.1A, 150MHz, B= 150
    ВС859В 4BR Si-P BC559B, BCY79 Min, Uni, rа,30V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
    ВС859С 4CR Si-P BC559C, BCY79 Min, Uni, га, 30V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800
    ВС860А 4ER Si-P BC560A, BCY79 45V, 0.1A, 150MHz, B= 150
    ВС860В 4F 4FR Si-P BC560B, BCY79 Min, Uni, га, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
    ВС860С 4G 4GR Si-P BC560C, BCY79 Min, Uni, га, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800
    BCF29 С7 С77 Si-P BC559A, BCY78, BC179 Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 150MHz,
    BCF30 С8 С9 Si-P BC559B, BCY78 Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 150MHz,
    BCF32 07 077 Si-N BC549B, BCY58, BC109 Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 300MHz,
    BCF33 D8 D81 Si-N BC549C, BCY58 Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 300MHz,
    BCF70 Н7 Н71 Si-P BC560B, BCY79 Min, NF-V, га, 50V, 0.1A, 1500MHz,
    BCF81 К9 К91 Si-N BC550C Min, NF-V, 50V, 0.1A, 300MHz, га
    BCV71 К7 К71 Si-N BC546A NF/S, 80V,0.1A, 300MHz, B=110-220
    BCV72 К8 К81 Si-N BC546B NF/S, 80V,0.1A, 300MHz, B=200-450
    BCW29 С1 С4 Si-P BC178A, BC558A Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz, B= >120
    BCW30 С2 С5 Si-P BC178B, BC558B Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz, В= >215
    BCW31 D1 D4 Si-N ВС108А,ВС548А Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, В= >110
    BCW32 02 D5 Si-N ВС108В, ВС548 Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= >200
    BCW33 D3 06 Si-N ВС108С, ВС548С Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= >420
    BCW60A АА Si-N ВС548А Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 110-220
    BCW60B АВ Si-N ВС548В Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, S= 200-450
    BCW60C АС Si-N ВС548В Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 420-600
    BCW60D AD Si-N ВС548С Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 620-800
    BCW61A ВА Si-P BC558A Min, Uni, 32V, 0.2A, 180MHz, B= 110-220
    BCW61B ВВ Si-P BC558B Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450
    BCW61C ВС Si-P BC558B Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620
    BCW61D BD Si-P BC558C Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 600-800
    BCW69 Н1 Н4 Si-P ВС557А Min, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>120
    BCW70 Н2 Н5 Si-P ВС557В Min, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>215
    BCW71 К1 К4 Si-N ВС547А Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>110
    BCW72 К2 К5 Si-N ВС 547В Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>200
    BCW81 КЗ К31 Si-N ВС547С Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>420
    BCW89 НЗ Н31 Si-P ВС556А Min, Uni, 80V, 0.1A, 150MHz, B>120
    BCX17 Т1 Т4 Si-P ВС327 Min, NF-Tr, 50V,0.5A, 100MHz
    BCX18 Т2 Т5 Si-P ВС328 Min, NF-Tr, 30V.0.5A, 100MHz
    BCX19 U1 U4 Si-N BC337 Min, NF-Tr, 50V.0.5A, 200MHz
    BCX20 U2 U5 Si-N ВС 33 8 Min, NF-Tr, 30V,0.5A, 200MHz
    BCX70G AG Si-N BC107A, BC547A Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 110-220
    BCX70H AH Si-N ВС 107В, BC547B Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450
    BCX70J AJ Si-N ВС107В, BC547B Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620
    BCX70K AK Si-N ВС107С, BC547C Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 600-800
    BCX71G BG Si-P ВС177А, BC557A Min, Uni, 45V, 0.2A,180MHz, B= 125-250
    BCX71H BH Si-P ВС 177В, BC557B Min, Uni, 45V, 0.2A.180MHz, B= 220-475
    BCX71J BJ Si-P ВС 177В, BC557B Min, Uni, 45V, 0.2A,180MHz, B= 420-650
    BCX71K BK Si-P ВС557С Min, Uni, 45V, 0.2A.180MHz, B= 620-800
    BF510 S6 N-FET BF410A Min, VHF-ra, 20V, ldss= 0.7-3mA, Vp= 0.8V
    BF511 S7 N-FET BF410B Min, VHF-ra, 20V, !dss= 2.5-7mA, Vp= 1.5V
    BF512 S8 N-FET BF410C Min, VHF-ra, 20V, ldss= 6-12mA, Vp= 2.2V
    BF513 S9 N-FET BF410D Min, VHF-ra, 20V, ldss= 10-18mA, Vp= 3V
    BF536 G3 SI-P BF936 Min, VHF-M/0, 30V, 25mA, 350MHz
    BF550 G2 G5 Si-P BF450 Min, HF/ZF, 40V, 25mA, 325MHz
    BF569 G6 Si-P BF970 Min, UHF-M/0, 40V, 30mA, 900MHz
    BF579 G7 Si-P BF979 Min, VHF/UHF, 20V, 25mA, 1.35GHZ
    BF660 G8 G81 Si-P BF606A Min, VHF-0, 40V, 25mA, 650MHz
    BF767 G9 Si-P BF967 Min, VHF/YHF-ra, 30V,20mA,900MHz
    BF820 S-N BF420 Min, Vid, 300V, 25-50mA, >60MHz
    BF821 1W Si-P BF421 Min, Vid, 300V, 25-50mA, >60MHz
    BF822 Si-N BF422 Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz
    BF823 1Y Si-P BF423 Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz
    BF824 F8 Si-P BF324 Min, FM-V, 30V, 25mA, 450MHz
    BF840 F3 Si-N BF240 Min, Uni, 15V, 0 1A, 0.3W,>90MHz
    BF841 F31 SI-N BF241 Min, AM/FM-ZF, 40V,25mA, 400MHz
    BFR30 М1 N-FET BFW-11, BF245 Min, Uni, 25V, ldss>4mA, YP<5V
    BFR31 М2 N-FET BFW12, BF245 Min, Uni, 25V, ldss>1mA, YP<2 5V
    BFR53 N1 N4 Si-N BFW30, BFW93 Min, YNF-A, 18V, 50mA, 2GHz
    BFR92 Р1 Р4 Si-N BFR90 Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz
    BFR92A Р2 РЬ Si-N BFR90 Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz
    BFR93 R1 R4 Si-N BFR91 Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5-6GHz
    BFR93A R2 R5 Si-N BFR91 Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5-6GHz
    BFS17, (BFS17A) Е1 (Е2) Е4 (F5) Si-N BFY90, BFW92(A) Min, VHP/YHF, 25V, 25mA, 1-2GHz
    BFS18 F1 F4 Si-N BF185, BF495 Min, HF, 30V, 30mA, 200MHz
    BFS19 F2 F5 Si-N BF184, BF494 Min, HF, 30V, 30mA, 260MHz
    BFS20 G1 G4 Si-N BF199 Min, HF, 30V, 30mA,450MHz
    BFT25 V1 V4 Si-N BFT24 Min, UHF-A, 8v, 2.5mA, 2.3GHZ
    BFT46 МЗ NFT BFW13, BF245 Min, NF/HF, 25V, ldss>0.2mA, Up<1.2V
    BFT92 W1 W4 Si-P " BFQ51, BFQ52 Min, UHF-A, 20V, 25mA, 5GHz
    BFT93 Х1 Х4 Si-P BFQ23, BFQ24 Min, UHF-A, 15V,35mA, 5GHz
    BRY61 А5 BYT BRY56 70V
    BRY62 А51 Tetrode BRY56, BRY39 Tetrode, Min, 70V, 0.175A
    BSR12 B5 В8 Si-P 2N2894A Min, S, 15V,0.1A,>1.5GHz <20/30ns
    BSR13 U7 U71 Si-N 2N2222, PH2222 Min, HF/S, 60V, 0.8A, <35/285ns
    BSR14 U8 U81 Si-N 2N2222A, PH2222A Min, HF/S, 75V, 0.8A, <35/285ns
    BSR15 T7 T71 Si-P 2N2907, PH2907 Min, HF/S, 60/40V, 0.6A, <35/110ns
    BSR16 T8 T81 Si-P 2N2907A, PH2907A Min, HF/S, 60/60V, 0.6A, <35/110ns
    BSR17 U9 U91 Si-N 2N3903 Min, HF/S, 60V, 0.2A, <70/250ns, B-50-150
    BSR17A U92 U93 Si-N 2N3904 Min, HF/S, 60V, 0.2A, <70/225ns, B= 100-300
    BSR18 T9 T91 Si-P 2N3905 Min, HF/S, 40V, 0.2A, 200MHz
    BSR18A T92 T93 Si-P 2N3906 Min, HF/S, 40V, 0.2A, 250MHz
    BSR19 U35 Si-N 2N5550 Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz
    BSR19A U36 Si-N 2N5551 Min, HF/S, 180V, 0.6A, >100MHz
    BSR20 T35 Si-P 2N5400 Min, HF/S, 130V, 0.6A, >100MHz
    BSR20A T36 Si-P 2N5401 Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz
    BSR56 M4 N-FET 2N4856 Min, S, Chopper, 40V, Idss >40mA, Up <10V
    BSR57 M5 N-FET 2N4857 Min, S, Chopper, 40V, Idss >20mA, Up <6V
    BSR58 M6 N-FET 2N4858 Min, S, Chopper, 40V, Idss >8mA, Up <4V
    BSS63 T3 T6 Si-P BSS68 Min, Uni, 110V, 0.1A, 85MHz
    BSS64 U3 U6 Si-N BSS38 Min, Uni, 120V, 0.1A, 100MHz
    BSV52 B2 B3 Si-N PH2369, BSX20 Min, S, 20V, 0.1A, <12/18ns
    BZX84-... см.пр им. Si-St BZX79 Min, Min/Vrg Uz= 2.4-75V, P=0.3W
    PBMF4391 M62 N-FET - Min, 40V, ldss= 50mA, Up= 10V
    PBMF4392 M63 N-FET - Min, 40V, ldss= 25mA, Up= 5V
    PBMF4393 M64 N-FET - Min, 40V, ldss= 5mA, Up= 3V

    ПРИМЕЧАНИЕ: маркировка диодов серии BZX84... приведена в таблице ниже
    .....C2V4 Z11 .....C2V7 Z12 .....C3VO Z13 .....C3V3 Z14
    .....C3V6 Z15 .....C3V9 Z16 .....C4V3 Z17 .....C4V7 Z1
    .....C5V1 Z2 .....C5V6 Z3 .....C6V2 Z4 .....C6V8 Z5
    .....C7V5 Z6 .....C8V2 Z7 .....C9V1 Z8 .....С10 Z9
    .....С11 Y1 .....С12 Y2 .....С13 Y3 .....С15 Y4
    .....С16 Y5 .....С18 Y6 .....С20 Y7 .....С22 Y8
    .....С24 Y9 .....С27 Y10 .....С30 Y11 .....С33 Y12
    .....С36 Y13 .....С39 Y14 .....С43 Y15 .....С47 Y16
    .....С51 Y17 .....С56 Y18 .....С62 Y19 .....С68 Y20
    .....С75 Y21 -

    Нажмите на изображение для увеличения. 

Название:	minitr2.gif 
Просмотров:	1 
Размер:	1.5 Кб 
ID:	2969>
    Полупроводниковые приборы в корпусе КТ-47 (SOT-89)

    BC868 САС Si-N BC368, BD329 Min, NF-Tr/E, 25V, 1A, 60MH2
    ВС869 СЕС Si-P BC369, BD330 Min, NF-Tr/E, 25V, 1A, 60MHz
    BCV61 D91 Si-N Min, temp-komp., 50V, 0.1A, 300MHz
    BCV62 С91 Si-P - Min, temp-komp., 50V, 0.1A, 150MHz
    ВСХ51 АА Si-P BC636, BD136 Min, NF-Tr, 45V, 1A, 50MHz
    ВСХ52 АЕ Si-P BC638, BD138 Min, NF-Tr, 60V, 1A, 50MHz
    ВСХ53 АH Si-P BC640, BD140 Min, NF-Tr, 100V, 1A, 50MHz
    ВСХ54 Si-P BC635, BD135 Min, NF-Tr, 45V, 1A, 50MHz
    ВСХ55 BE Si-N BC637, BD137 Min, NF-Tr, 60V, 1A, 50MHz
    ВСХ56 ВН Si-N BC639, BD139 Min, NF-Tr, 100V, 1A, 50MHz
    ВСХ68 СА Si-N BC368, BD329 Min, Uni, 25V, 1A, 65MHz
    ВСХ69 СЕ Si-P BC369, BD300 Min, Uni, 25V, 1A, 65MHz
    BF620 ОС Si-N BF420, BF471, BF871 Min, Vid, 300V, 0.02A, >60MHz
    BF621 DF Si-P BF421, BF472, BF872 Min, Vid, 300V, 0.02A, >60MHz
    BF622 DA Si-N BF422, BF469, BF869 Min, Vid, 250V, 0.02A, >60MHz
    BF623 DB Si-P BF423, BF470, BF870 Min, Vid, 250V, 0.02A, >60MHz
    BFQ17 FA Si-N BFW16A Min, VHF/UHF-A, 40V, 150mA, 1.2GHz
    BFQ18A FF Si-N BFQ34, BFQ64 Min, UHF-A, 25V, 150mA, 3.6GHz
    BFQ19 FB Si-N BFR96, 2SC3268 Min, UHF-A, 20V, 75mA, 5GHz
    BFQ67 V2 Si-N BFQ65 Min, UHF-A, 20V, 50mA, 7.5GHz, ra
    BSR30 BR1 Si-P 2N4030 Min, NF/S, 70V, 1A, <500/650ns, B>40
    BSR31 BR2 Si-P 2N4031 Min, NF/S, 70V, 1A,<500/650ns, B>100
    BSR32 BR3 Si-P 2N4032 Min, NF/S, 90V, 1A, <500/650ns, B>40
    BSR33 BR4 Si-P 2N4033 Min, NF/S, 90V, 1A,<500/650ns, B>100
    BSR40 AR1 Si-N BSX46-6 Min, NF/S, 70V, 1A,<250/1000ns, B>40
    BSR41 AR2 Si-N BSX46-16 Min, NF/S, 70V,1A,<250/1000ns,B>100
    BSR42 AR3 Si-N 2N3020 Min, NF/S, 90V,1A,<250/1000ns, B>40
    BSR43 AR4 Si-N 2N3019 Min, NF/S, 90V,1A,<250/1000ns,B>100
    BST15 BT1 Si-P 2N5415 Min, NF/S/Vid, 200V, 1A, >15MHz
    BST16 BT2 Si-P 2N5416 Min, NF/S/Vid, 350V, 1A, >15MHz
    BST39 AT1 Si-N - Min, NF/S/Vid, 450V, 1A, >15MHz
    BST40 AT2 Si-N - Min, NF/S/Vid, 300V, 1A, >15MHz
    BST50 AS1 Si-N-Darl BSR50, BSS50, BDX42 Min, 60V, 1A, 350MHz, B>2000
    BST51 AS2 Si-N-Darl BSR51, BSS51, BDX43 Min, 80V,1A, 350MHz, B>2000
    BST52 AS3 Si-N-Darl BSR52, BSS52, BDX44 Min, 100V,1A, 350MHz, B>2000
    BST60 BS1 Si-P-Darl BSR60, BSS60, BDX45 Min, 60V,1A, 350MHz, B>2000
    BST61 BS2 Si-P-Darl BSR61, BSS61, BDX46 Min, 80V,1A, 350MHz, B>2000
    BST62 BS3 Si-P-Darl BSR62, BSS62, BDX47 Min, 100V,1A, 350MHz, B>2000
    BST80 KM MOS-N-FET-e BST70A V-MOS, Min, 80V, 0.5A, 1W, <10/15ns
    BST84 KN MOS-N-FET-e BST24A V-MOS, Min, 200V, 0.3A, 1W, <10/15ns
    BST86 KQ MOS-N-FET-e BST76A V-MOS, Min, 180V, 0.3A, 1W, <10/15ns
    BST120 LM MOS-P-FET-e BST100 V-MOS,SS, 60V, 0.3A, 1W, <4/20ns
    BST122 LN MOS-P-FET-e BST110, BS250 V-MOS,SS, 50V, 0.3A, 1W, <4/20ns
    BZV49 см.прим. Z-Di BZV85 Min, Mn/Vrg Uz= 2.4 - 75V, P= 1W

    ПРИМЕЧАНИЕ: маркировка диодов серии BZV49... приведена в таблице ниже
    .....C2V4 Z11 .....C2V7 Z12 .....C3VO Z13 .....C3V3 Z14
    .....C3V6 Z15 .....C3V9 Z16 .....C4V3 Z17 .....C4V7 Z1
    .....C5V1 Z2 .....C5V6 Z3 .....C6V2 Z4 .....C6V8 Z5
    .....C7V5 Z6 .....C8V2 Z7 .....C9V1 Z8 .....С10 Z9
    .....С11 Y1 .....С12 Y2 .....С13 Y3 .....С15 Y4
    .....С16 Y5 .....С18 Y6 .....С20 Y7 .....С22 Y8
    .....С24 Y9 .....С27 Y10 .....С30 Y11 .....С33 Y12
    .....С36 Y13 .....С39 Y14 .....С43 Y15 .....С47 Y16
    .....С51 Y17 .....С56 Y18 .....С62 Y19 .....С68 Y20
    .....С75 Y21
    -

    Нажмите на изображение для увеличения. 

Название:	minitr3.gif 
Просмотров:	1 
Размер:	3.6 Кб 
ID:	2970>
    Полупроводниковые приборы в корпусе KT-48(SOT-143)

    BAS28 А61 Si-Di 2x1N4148 S, 70V, 0.25A, <4ns
    BAV23 L30 Si-Di 2x BAV21 S, Uni, 250V, 0.25A, <50ns
    BF989 М89 MOS-N-FET-d BF960 Dual-Gate, Min, UHF, 20V, Idss >2mA, Up <2.7V
    BF990 М90 MOS-N-FET-d BF980 Dual-Gate, Min, UHF, 18V, Up<2.5V
    BF991 М91 MOS-N-FET-d BF981 Dual-Gate, Min, FM/VHF, 18V, Idss >4mA, Up <2.5V
    BF992 М92 MOS-N-FET-d BF982 Dual-Gate, Min, FM/VHF, 20V, Up <1.3V
    BF994 (BF994S) M94 (M93) MOS-N-FET-d BF964 (BF964S) Dual-Gate, Min, FM/VHF, Idss >6mA, Up <3.5V
    BF996 (BF996S) M96(M95) MOS-N-FET-d BF966 (BF966S) Dual-Gate, Min, UHF, 20V, Idss >2mA, Up <2.5V
    BFG67 V3 Si-N BFG65 Min, VHF/UHF-A, 20V, 0.05A, 7.5GHz
    BFR101A (BFR101B) M97 (M98) N-FET - Min, Uni, sym, 30V, Idss >0.2mA, Up <2.5V
    BSD20 M31 MOS-N-FET-d - SS, Chopper, Min, 15V, 50mA, 1/5ns
    BSD22 M32 MOS-N-FET-d - SS, Chopper, Min, 25V, 50mA, 1/5ns
    BSS83 M74 MOS-N-FET-e - Min, HF, 25V, Up <2V

    Нажмите на изображение для увеличения. 

Название:	minitr4.gif 
Просмотров:	1 
Размер:	2.8 Кб 
ID:	2971>
    Полупроводниковые приборы в корпусе КД-80 (SOD-80)

    ВА682 красная полоса Pin-Di BA482 VHF/UHF-Band-S, Min, 35V, 0.1 A, 200MHz
    ВА683 красная + оранжевая Pin-Di BA483 VHF/UHF-Band-S, Min, 35V, 0.1A, 200MHz
    BAS32 черн. полоса Si-Di 1N4148 Min, SS, 75V, 0.2A, <4ns
    BAV100 зелен. + черн. Si-Di BAV18 S, Uni, 25V, 0.25A, <50ns
    BAV101 зелен. + коричн Si-Di BAY 19 S, Uni, 120V, 0.25A, <50ns
    BAV102 зелен.+ красн. Si-Di BAV20 S, Uni, 200V, 0.25A, <50ns
    BAV103 зелен. + оранж. Si-Di BAV21 S, Uni, 250V, 0.25A, <50ns
    ВВ215 белая + зелен. C-Di BB405B UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cp >18pF
    ВВ219 белая C-Di BB909 Min, VHF-Tuning, 8V,20mA,Cp>31pF
    Полупроводниковые приборы

    AA
    BCW 60 A
    SOT 23
    EF
    BCW66F
    SOT 23
    L8
    BAR 15-1
    SOT 23
    AB
    BCW 60 B
    SOT 23
    EG
    BCV 49
    SOT 89
    L9
    BAR 16-1
    SOT 23
    AB
    BCX 51-6
    SOT 89
    EG
    BCW 66 G
    SOT 23
    R2
    BFR 93 A
    SOT 23
    AC
    BCW 60 C
    SOT 23
    EH
    BCW 66 H
    SOT 23
    S1A
    SMBT 3904
    SOT 23
    AC
    BCX 51 -10
    SOT 89
    EK
    BCX 41
    SOT 23
    S1B
    SMBT 2222
    SOT 23
    AD
    BCW 60 D
    SOT 23
    FC
    BFQ 64
    SOT 89
    S1C
    SMBTA 20
    SOT 23
    AD
    BCX 51-16
    SOT 89
    FD
    BFQ 17 P
    SOT 89
    S1D
    SMBTA 42
    SOT 23
    AF
    BCX 52-6
    SOT 89
    FD
    BCV 26
    SOT 23
    S1E
    SMBTA 43
    SOT 23
    AF
    BCW 60FF
    SOT 23
    FE
    BCV 46
    SOT 23
    S1G
    SMBTA 06
    SOT 23
    AG
    BCX 52-10
    SOT 89
    FE
    BFQ 19 P
    SOT 89
    S1H
    SMBTA 05
    SOT 23
    AG
    BCX 70 G
    SOT 23
    FF
    BCV 27
    SOT 23
    S1M
    SMBIA 13
    SOT 23
    AH
    BCX 70 H
    SOT 23
    FG
    BCV 47
    SOT 23
    S1N
    SMBTA 14
    SOT 23
    AJ
    BCX 53-6
    SOT 89
    FM
    BFN 24
    SOT 23
    S1P
    SMBT2222A
    SOT 23
    AJ
    BCX 70 J
    SOT 23
    FJ
    BFN 26
    SOT 23
    S2A
    SMBT 3906
    SOT 23
    AK
    BCX 53-10
    SOT 89
    FK
    BFN 25
    SOT 23
    S2B
    SMBT 2907
    SOT 23
    AK
    BCX 70 K
    SOT 23
    FL
    BFN 27
    SOT 23
    S2D
    SMBTA 92
    SOT 23
    AL
    BCX 53-16
    SOT 89
    GA
    BAW 78 A
    SOT 89
    S2E
    SMBTA 93
    SOT 23
    AM
    BCX 52-16
    SOT 89
    GB
    BAW 78 B
    SOT 89
    S2F
    SMBT2907A
    SOT 23
    AM
    BSS 64
    SOT 23
    GC
    BAW 78 C
    SOT 89
    S2G
    SMBTA 56
    SOT 23
    AN
    BCW 60 PN
    SOT 23
    GD
    BAW 78 D
    SOT 89
    S2H
    SMBTA 55
    SOT 23
    BA
    BCW 61 A
    SOT 23
    GE
    BAW 79 A
    SOT 89
    S2
      Возможность размещать комментарии к сообщениям отключена.

    Метки статей

    Свернуть

    Меток пока нет.

    Новые статьи

    Свернуть

    • Почему IrDA не годится для приема команд ИК дистанционного управления?
      admin
      Ну вообще-то можно конечно использовать IrDA для приема команд с обычных ИК пультов, но с очень большими ограничениями. Работает далеко не со всеми пультами. Стабильность распознавания команд очень низкая. Если использовать IrDA встроенный в материнскую плату, то нужно колдовать с драйверами, если внешний, то нужно удалять драйвера или периодически перетыкать приемник в другой СОМ порт. USB IrDA вообще использовать невозможно, так как к нему нельзя обратиться напрямую как к СОМ порту (не путайте с виртуальным СОМ портом).

      По многочисленным просьбам был написан плагин для СОМ IrDA, подробнее о всех ограничениях и сложностях использования см. на ht...
      17.06.2017, 23:04
    • Микросхемы фирмы Holtek для систем дистанционного управления
      admin
      Журнал «Электронные компоненты» №2 2002 г.
      Александр Зайцев
      Многие бытовые приборы, системы ограничения доступа, промышленное оборудование и другие устройства имеют в своем составе пульт дистанционного управления, что существенно дополняет сервисные функции выпускаемого изделия. Фирма Holtek разработала семейства микросхем дистанционного управления (ДУ), отличающиеся друг от друга по формату передаваемых данных, количеству бит адреса и данных в посылке, по условию начала генерации посылки; набору сервисных функций. Все выпускаемые микросхемы ДУ выполнены по КМОП технологии с минимальным потребляемым током. Они ориентированы для передачи кодовой посылки по инфракрасному или радиоканалу связи, с минимальным числом внешних компонентов схемы. Широкий диапазон напряжений питания и рабочей температуры позволяют применять микросхемы ДУ Holtek в большинстве приложений.
      Микросхемы ДУ фирмы Holtek можно разделить на три основные группы:
      1. Семейства микросхем кодеров/декодеров.
      2. Микросхемы для пультов ДУ телеаппаратуры.
      3. Микросхемы бесконтактной идентификации.
      В первую группу входят семейства микросхем кодеров/декодеров, основным свойством которых является устанавливаемое с помощью переключателей, внешней схемой или программно значение адреса и данных. Кодер формирует кодовую последовательность после появления активного уровня сигнала на выводе TE или сигнала низкого логического уровня на входах данных (DATA). Генерация кодовой посылки продолжается до тех пор, пока присутствует активный уровень сигнала. Посылка всегда генерируется полностью, даже если активный уровень сигнала был снят. В некоторых микросхемах кодеров предусмотрено управление количеством повторений кодовой последовательности после снятия активного уровня сигнала, что может быть необходимо для достоверного детектирования посылки. Кодовая последовательность может состоять из комбинации следующих полей: преамбула; синхронизирующие биты; адрес; данные; биты антикода.
      Декодер обрабатывает кодовую последовательность, полученную из канала связи, последовательно обрабатывая несколько посылок. Если все посылки имели одинаковое значения полей, и адрес кодера совпал с адресом декодера, будет сформирован сигнал о принятой команде (вывод VT). В декодерах, имеющих выводы данных, информация из поля данных декодированной посылки, передается в соответствующие выходные защелки.
      К наиболее простым семействам микросхем ДУ этой группы можно отнести кодеры/декодеры 212 (см. таблицу 1). В состав кодовой последовательности, генерируемой кодерами этого семейства, входит преамбула, синхронизирующий бит и 12-разрядное после адреса/данных (рис. 1). Каждый вывод адреса/данных кодера может быть подсоединен к Vss (логический нуль) или оставлен не подсоединенным (логическая единица). Для микросхемы HT12E кодовая последовательность формируется в виде логических уровней, а для HT12A в виде пачки импульсов с частотой 32 кГц (рис. 2).
      >
      Рис. 1. Кодовая последовательность семейства кодеров/декодеров 212
      >
      Рис. 2. Представление битов в кодовой последовательности микросхем HT12E и HT12A
      ...
      17.06.2017, 23:03
    • Необычный режим работы полевого транзистора
      admin
      Традиционная схемотехника линейных усилителей на полевых транзисторах с затвором в виде р-п-перехода (в дальнейшем для краткости называемом р-п-затвором) предусматривает в основном режим, когда рабочая точка находится в области обратного (закрывающего) смещения, т. е. при Uотс Проведенные автором исследования показали, что использование режима, в котором рабочая точка может находиться в зоне открывающего смещения, позволяет существенно упростить схемы узлов на полевых транзисторах. Применение таких схем рационально в тех случаях, когда требование минимальности числа элементов оправдывает необходимость подборки некоторых из них, т. е. в радиолюбительской практике и при разработке особо миниатюрных конструкций.
      alt="" />
      На рис. 1 представлены обобщенные сток-затворная и входная характеристики полевого транзистора с р-п-затвором. На этих вольт-амперных характеристиках - Iс=f(Uвх) и Iз=f(Uвх) - можно выделить три характерных зоны: 1 - закрывающего смещения Uзи, 2 - открывающего смещения, при котором ток затвора практически отсутствует, и 3 - открывающего смещения, обусловливающего существенный ток затвора.
      Четкой границы между зонами 2 и 3 нет, поэтому для определенности примем в качестве условной границы между ними ординату, соответствующую току затвора 1 мкА - при таком токе сопротивление затвора еще весьма велико, и это значение может быть сравнительно просто измерено. Обозначим также символом Im ток стока на этой границе и прямое напряжение на затворе Um. При напряжении Uзи, большем граничного, ток затвора начинает резко увеличиваться и полевой транзистор теряет свое основное достоинство - высокое входное сопротивление. Поэтому работу в зоне 3 не рассматриваем.
      Из изложенного ясно, что нет необходимости полностью исключать работу полевого транзистора в зоне прямого смещения, вполне достаточно, чтобы рабочая точка не переходила в зону 3, т. е. было выполнено условие UзиКП302ГМ до 0,55 В для КП303А.
      Несмотря на то, что расширение рабочего интервала напряжения Uзи из-за добавления зоны прямого смещения по абсолютной величине невелико, оно имеет очень важное значение, поскольку позволяет несколько иначе подойти к схемо-технике полевых транзисторов.
      Как видно из рис. 1, сток-затворная характеристика переходит в зону 2 плавно, без излома. Суть физических процессов в транзисторе заключается в том, что при подаче на затвор прямого напряжения смещения происходит расширение канала и проводимость его увеличивается, транзистор начинает работать в режиме обогащения. Легко заметить, что с учетом зоны прямого смещения транзистор с р-п-затвором становится аналогичным по характеристикам транзистору с изолированным затвором и встроенным каналом, который способен работать при прямом и обратном смещении на затворе.
      Отличие носит лишь количественный характер - у первого из них рабочая область зоны прямого смещения короче, так как ограничивается значением Um. Поэтому полевой транзистор с р-п-затвором можно применять в режимах, которые считались возможными только для транзисторов с изолированным затвором и встроенным каналом.
      Наличие у транзисторов с изолированным затвором серьезных недостатков - значительного разброса характеристик, малой стойкости к действию статического электричества и ряда других - резко ограничивает область практического применения этих приборов даже при допустимости их индивидуальной подборки. Номенклатура выпускаемых в настоящее время транзисторов с р-п-затвором значительно шире, чем с изолированным, они более доступны и имеют меньший разброс характеристик. По указанным причинам транзисторы с р-п-затвором следует считать более предпочтительными.
      alt="" />
      Рассмотрим некоторые варианты применения этих транзисторов с использованием режима прямого смещения на затворе. На рис. 2, а изображена схема линейного усилителя. Применение режима работы без начального смещения позволило исключить резистор автоматического смещения и блокировочный конденсатор в цепи истока транзистора VT1. Расчет ступени по постоянному току упрощается и сводится к определению сопротивления нагрузочного резистора R2 по формуле:
      R2=(Uпит-Uвых о)/Io
      где Uвых о - напряжение на выходе при отсутствии входного сигнала, a Iо - начальный ток транзистора.
      При выборе Uвых o= 0,5 Uпит формула (1) упрощается и принимает вид: R2=Uпит/2Iо.
      При разработке усилителей по этой схеме следует учитывать, что для транзисторов с начальным током стока в несколько десятков миллиампер возможно превышение их допустимой мощности.
      Если необходимо уменьшить коэффициент усиления, в цепь истока включают резистор R3. Следует подчеркнуть, что в этом случае блокировочный конденсатор включать нельзя. Режим по переменному току рассчитывают по известным формулам; коэффициент усиления находят из выражения Кu= S • R2, где S - крутизна характеристики транзистора. Очевидно, что при Кu>10 в большинстве случаев усиление выходного сигнала по амплитуде до Uпит происходит при UвхКП303А при Io=1,1мА, Uпит=12B, Uвых=6 В и R2=5,1 кОм показали, что Кu=10.
      При необходимости увеличить допустимую амплитуду положительных значении напряжения на входе свыше Um в цепь истока требуется вместо резистора R3 включить диод (катодом к общему проводу). Напряжение прямого смещения для кремниевых диодов может находиться в пределах 0,4...0,8 В (в большинстве случаев 0,5...0,7 В) в зависимости от типа диода и тока истока транзистора. Для германиевых диодов аналогичные значения равны 0,2...0,6 В (0,3...0,5 В). При включении диода ток стока из-за закрывающего смещения уменьшается, поэтому для обеспечения прежнего режима по постоянному току необходимо увеличить сопротивление резистора R2. Это, в свою очередь, приводит к увеличению К„, так как крутизна уменьшается незначительно. Поскольку динамическое сопротивление диода мало, шунтиро-вание его конденсатором малоэффективно. Введение диода вызывает небольшое - не более чем на 10 % - уменьшение усиления.
      Режим такой ступени по постоянному току рассчитывают по формуле (1), в которую вместо Io подставляют Ioд - ток стока при включенном в цепь истока диоде. Уменьшить при необходимости Кu можно включением последовательно с диодом резистора обратной связи.
      Несмотря на наличие дополнительного диода, реализация такой схемы в ряде случаев является оправданной и по той причине, что приводит к уменьшению потребления тока и увеличению коэффициента усиления. Эти свойства особенно ценны для устройств с автономным питанием.
      Как видно из изложенного, по работе ступень с диодом близка к классической с резистором смещения. Основное преимущество - отсутствие блокировочного конденсатора, что приводит также к расширению снизу рабочей частотной полосы вплоть до постоянного тока. Кроме того, упрощается расчет и налаживание устройств.
      При работе этой ступени с трансформатором, катушкой связи, воспроизводящей головкой магнитофона и другими подобными источниками сигнала резистор R1 утечки не требуется и схема принимает предельно простой вид, показанный на рис. 2, б.
      alt="" />
      Рассмотренная выше возможность работы полевого транзистора с р-п-затвором при прямом смещении может быть эффективно применена и для построения другого важного класса устройств - истоковых повторителей. На рис. 3, а представлена традиционная схема истокового повторителя на транзисторе VT2. Основной недостаток этого узла - сравнительно узкие пределы выходного напряжения. От этого недостатка свободен традиционный эмит-терный повторитель (VT2, рис.3, б); кроме того, в нем меньше деталей. Но у эмиттерного повторителя сравнительно низкое входное сопротивление: Rвх=h21эRэ (h21э - статический коэффициент передачи тока транзистора; Rэ - сопротивление резистора в цепи эмиттера).
      Все отмеченные противоречия полностью устраняются при прямом включении истокового повторителя, как показано на рис. 3, в. Здесь удачно сочетаются достоинства истокового и эмиттерного повторителей. Практического применения эта схема не находила, видимо, потому, что невозможно избежать прямого напряжения смещения на затворе. Но этого и не требуется, достаточно исключить работу транзистора в области прямого тока затвора (в зоне 3 на рис. 1). Эта задача решается довольно просто, что и позволяет применять такую схему на практике.
      Передаточная характеристика истокового повторителя определяется общим выражением: Uвых=Uo+UвxKп, (2) где Uo - начальное выходное напряжение при Uвх=0; Kп - коэффициент передачи истокового повторителя.
      Для работы повторителя в области закрывающего смещения на затворе необходимо, чтобы условие Uз Фактически же реальные требования менее жестки, так как достаточно выполнения более простого условия: UсиUпит (Rи -сопротивление резистора в цепи истока). Учитывая ориентировочный характер расчета по этой формуле, отсутствие тока затвора при Uз=Uпит, следует проверить при макетировании узла микроамперметром с током полного отклонения стрелки не более 100 мкА. Выходное напряжение такого истокового повторителя находится в пределах Uo...(Uпит-Uси).
      alt="" />
      Экспериментально снятые при Uпит=12B зависимости Uвых=f(Uвх) для транзисторов КП303А и КП303Е при разных значениях сопротивления Rи показаны на рис. 4. Как видно из графиков, возможно обеспечить линейность передаточной характеристики в пределах от Uвыхо (при Uвх=0) до (Uпит- -1) В. Для расширения этого участка следует, в первую очередь, уменьшить Uo, для чего нужно применять транзисторы с минимальным значением Uотc, а затем подобрать оптимальное сопротивление резистора Rи (R2-на схеме рис. 3, в). Звездочкой на графиках отмечены точки, где ток Iз достигает значения 1 мкА.
      В качестве примера практического применения описанного режима линейного усиления на рис. 5 изображена схема двуканального смесителя сигналов 3Ч; вообще же число каналов ничем не лимитировано и может быть любым. Сопротивление резистора R3 определяют по формуле (1), в которую вместо Io подставляют Iод n, где n - число каналов.
      alt="" />
      В устройстве желательно применять транзисторы с близкими значениями Uотс и Io (или Iод), однако вполне допустим разброс этих параметров до 50...100 %, так как разницу усиления по каналам легко компенсировать входными регуляторами R1, R5. Следует обязательно проверить, чтобы ни один из каналов не входил в режим амплитудного ограничения в рабочем интервале входного напряжения. При использовании кремниевого диода допустимая амплитуда положительной полуволны на затворе каждого полевого транзистора - не менее 1 В.
      При работе одного канала при напряжении питания Uпит=9 В, выходном напряжении Uвых=0,1 В (действующее значение), частоте сигнала fс=0,1 кГц коэффициент усиления смесителя примерно равен 3, а по уровню нелинейных искажений он не уступает построенному по классической схемотехнике....
      17.06.2017, 23:00
    • Мощный транзистор в лавинном режиме
      admin
      ...
      17.06.2017, 23:00
    • О пьезокерамике и перспективах ее применения
      admin
      Сергей Жуков
      Явление пьезоэлектрического эффекта

      ...
      02.06.2017, 17:20
    • Штрихкодирование
      admin
      Штриховой Код EAN13 является непрерывным, имеет фиксированную длину и высокую плотность записи позволяет отобразить 13 цифр от 0 до 9.
      Рис.1. Пример штрихового кода EAN

      alt="" />
      Кодовое обозначение может выражаться восемью (EAN8) или тринадцатью (EAN13) цифрами, причем во втором случае реально кодируется только двеннадцать цифр. Знаки штрихового Кода EAN состоят из двух штрихов и двух промежутков.
      Штриховое изображение всех 12-ти (8-ми) цифр составляет в целом символ кода EAN.
      Краевые знаки (удлиненные штрихи - знаки начала и конца символа) определяют его границы; делится символ на две части разделительным знаком (удлиненные штрихи в центре символа), как показано на рисунке 2.
      Рис.2. Стуктура штрихового кода EAN-13

      alt="" />
      Таблица 1. Характеристика позиций полного и сокращенного кодов в системе EAN
      alt="" />
      ...
      02.06.2017, 17:16
    Обработка...
    X