Atmel присоединяется к партнерской программе производителей памяти Denali Software Inc. для сокращения времени вхождения на рынок для своих продуктов на основе FLASH памяти и интеграции их при разработке систем. Atmel Corporation, лидирующий поставщик для решений на уровне системной интегра...

16-, 32-, и 64-Mбитные чипы FlexibleROMTM обеспечивают время программирования слова в 9мкс, множество опции программирования и 90нс время доступа при напряжении питания от 3.0В до 3.6В STMicroelectronics представила новое семейство электрически программируемых ПЗУ, которые могут использоват...

Компания Samsung заявила, что скоро начнет массовое производство микросхем графической памяти DDRII на 256 МБ. GDDR2 использует целый ряд технологических ухищрений, чтобы предложить на 50% большую производительность, чем у микросхем GDDR. Новые микросхемы обладают полосой пропускания 6.4 ГБ/с. Умен...

Совместное предприятие корпораций AMD и Fujitsu фирма FASL LLC, работающая под торговой маркой Spansion, объявила о начале выпуска первой в мире микросхемы флэш-памяти типа NOR емкостью 512 Мбит - Spansion S29GL512N. Этот однокристальный продукт высшего уровня плотности записи информации открывает...

Компания Samsung разработала прототип микросхемы флэш-памяти с такой же емкостью, как и у своих лучших промышленных образцов, но значительно меньшего размера. Новый чип на 512 МБ произведен по технологии 70 нм. На данный момент компания производит микросхемы аналогичной емкости по процессу 120...

На службу растущим запросам беспроводных устройств будет поставлена технология 110nmFASL LLC планирует в 2004 году повышение производства продуктов флэш-памяти SpansionTM в рамках долговременной стратегии удовлетворения запросов на беспроводные устройства, поступающих от заказчиков из AMD и Fujitsu...

Обновленная технология, обеспечивающая удвоение плотности, увеличит преимущество Spansion по показателям «цена/производительность»Компания Spansion объявила о том, что она предоставила первой группе клиентов несколько сотен опытно-конструкторских образцов флэш-памяти на базе технологии MirrorBitTM...

Компания Micron представила новые микросхемы 1 Гб DDR и модули регистровой памяти 4 ГБ DDR DIMM, предназначенные для систем на базе процессоров AMD Opteron. Теперь в ассортименте компании представлены модули регистровой памяти всех возможных объемов, от 256 МБ до 4 ГБ и с разными скоростными характ...

Корпорация IBM объявила, что ей удалось уменьшить размеры одного из ключевых элементов высокоскоростной компьютерной памяти примерно в 10 раз по сравнению с существующими аналогами. IBM продемонстрировала, что ячейки памяти SRAM можно существенно уменьшить в размерах без ухудшения рабочих...

Компания Samsung Electronics объявила о запуске массового производства микросхем 256 Мб XDR (eXreme Datа Rate), нового поколения памяти для продуктов мультимедиа. 256 Мб XDR оснащен новой технологией Octal Data Rate, которая позволяет передавать данные с тактовой частотой 8 бит. Скорость XD...

11 апреля, 2005 - Компания Samsung Electronics объявила о начале массового выпуска самых маленьких флэш-карт для портативных устройствНовая флэш-карта размером с человеческий ноготь была разработана специально для мобильных телефонов с современными мультимедийными функциями. Ее размеры на 2/3 мен...

19 апреля, 2005 - Samsung Electronics, представил чип DRAM для мобильных телефонов емкостью 1Гб, а также пять других открытийСреди представленных продуктов компании Samsung Electronics: SiP («все в одном» — система-в-корпусе) c 300 MHZ центральным процессором; флэш память NAND 1 Gb; 256 Mb чип...

Ведущие производители флэш-памяти и интегральных схем объединили свои усилия для выпуска флэш-памяти на основе 110-нанометровой технологии Spansion MirrorBitTMSpansion LLC, дочерняя компания AMD и Fujitsu Limited, занимающаяся разработкой устройств флэш—памяти, и Taiwan Semiconductor Manufacturing...

Компания Micron Technology анонсировала два новых CMOS-сенсора с высоким разрешением. Сенсор MT9P001 имеет разрешение 5 Мп, а MT9T012 - 3,1 Мп. В новых сенсорах используется патентованная технология DigitalClarity, которая обеспечивает чёткие и яркие снимки с пониженным уровнем шумов, а также долго...

Новое решение Spansion позволяет сократить размер и расширить функциональность беспроводных устройствSpansion LLC объявила о предоставлении клиентам образцов флэш-памяти формата Package-on-Package (PoP) для миниатюрных и в то же время многофункциональных мобильных телефонов, карманных компьютеров,...

Модули NOR и ORNANDTM емкостью 1 Гбит позволят значительно повысить емкость памяти беспроводных устройств и встроенных системSpansion LLC продемонстрировала образец однокристального модуля GL NOR емкостью 1 Гбит, а также действующий образец модуля ORNANDTM емкостью 1 Гбит на основе 90-нанометровой...

По результатам июля приблизительно 40% всей выпускаемой компанией динамической памяти составили чипы типа DDR2, впервые превысив объемы выпуска памяти типа DDR1.Компания Samsung Electronics объявила о своей готовности возглавить переход индустрии производства чипов памяти с DDR1 на DDR2. По результ...

Подразделение полупроводников объявило об отгрузках первых образцов карт памяти формата MultiMediaCard (MMC) емкостью 1 Гбайт, карт формата MMCplus емкостью 2 Гбайт, а также первых в мире карт формата MMCmobile емкостью 1 Гбайт.Компания Samsung Electronics объявила об отгрузках первых образцов карт...

Первые образцы изготовлены по 90-нанометровой технологии MirrorBit™Spansion LLC объявила о предоставлении клиентам первых образцов одномодульных гигабитных устройств флэш-памяти для встроенных систем. Новые гигабитные модули, изготовленные по 90-нанометровой технологии MirrorBit™ GL, на...

Новая 70-нанометровая технология подобна 80-нм и 90-нм процессам, в настоящее время используемым Samsung при производстве большинства видов памяти DRAM, однако полезный выход чипов с одной пластины по меньшей мере на 100% выше, чем можно получить с помощью 90-нм технологии.Компания Samsung Electron...

Корпорация Intel объявила о начале массовых поставок первых в отрасли модулей многоуровневой ячеистой (multi-level cell, MLC) флэш-памяти NOR, производимых с использованием 90-нанометровой технологии. Новые модули Intel® StrataFlash® Cellular Memory (M18) обладают более высокой производител...

Новый чип для телефонных SIM-карт, демонстрировавшийся на выставке CARTES 2005 в Париже с 15-го по 17 ноября, отвечает всем требованиям индустрии, предъявляемым к мультимедиа-телефонам для сетей 3G, обеспечивая увеличенную емкость памяти для хранения SMS, телефонных справочников, игр и интернет-сер...

Компания Micron Technology запускает в производство новую серию памяти в MCP (multichip) корпусе для использования в многофункциональных мобильных телефонах. Новейшее поколение связи 3G требует повышения скорости, объема и функциональности от микросхем памяти при небольших габаритных размерах. Благ...

Партнер компании Corsair первым выпустит на рынок продукты с новым стандартом EPPNVIDIA Corporation объявила о результатах совместных разработок памяти под названием Улучшенные Профили Производительности (EPP), которые позволят пользователям с легкостью выставлять новые передовые настройки производ...

Корпорация Intel представила свои первые модули флэш-памяти класса NOR, предназначенные для растущего сегмента рынка недорогих сотовых телефонов. Новая продукция выпускается в корпусе с многофункциональными контактами, что позволяет минимизировать количество контактов. Она сконфигурирована для рабо...

Компания Micron обновила линейку выпускаемой NAND Flash памяти микросхемами с расширенным температурным диапазоном, соответствующими спецификации Industrial. Микросхемы NAND FLASH памяти с объемами 2 и 4 гигабита с восьмибитной шиной данных соответствуют диапазону рабочих температур от -4...

Компания Ramtron International распространила сообщение о своем намерении представить в ближайшее время первые образцы модулей энергонезависимой сегнетоэлектрической памяти (Ferroelectric Random Access non-volatile Memory, FeRAM). Основными преимуществами модулей FeRAM по сравнению с широко использ...

Японская компания Fujitsu Limited сообщила о начале серийного выпуска чипов сегнетоэлектрической памяти (FRAM) емкостью 2 Мбит: MB85R2001 (256 K x 8) и MB85R2002 (128 К x 16). Напомним, что в основе этого типа энергонезависимой памяти лежит сегнетоэлектрический эффект, заключающийся в сохранении ло...

STMicroelectronics анонсировала новые возможности микросхемы М25РХ32. Эта новая 32 мегабитная память является первой из семейства секторно, подсекторно стираемой двухвходовой (DUAL IO - с двойным входомвыходом) памяти с доступом по последовательному интерфейсу (Serial Flash). Если существующая М25P...

Компания Maxim Integrated Products представила DS28CN01 - новое высокоинтегрированное защищенное запоминающее устройство. В ходе аутентификации DS28CN01 использует двунаправленный механизм защиты, который работает по типу «запрос-ответ» и применяет имеющий международное признание крипто...

Micron представила самый маленький 1-Гбит чип памяти DDR2 Компания Micron Technology сообщила сегодня о том, что начала поставки ознакомительных образцов новой памяти стандарта DDR2, которые имеют плотность 1 Гбит. Такая плотность была достигнута Micron уже раньше, особенностью новых чипов стал новы...

Компания Ramtron выпустила первую параллельную микросхему из своего семейства последовательных и параллельных F-RAM-микросхем, которые обеспечивают высокую скорость чтения/записи, имеют пониженное напряжение питания и выполняют дополнительные функции. Новейшей микросхемой в V- семействе F-RAM микро...

Компания Micron Technology представляет NAND-flash память с последовательным доступом по шине SPI на скорости до 2.64 Мб/с. Новая разработка имеет объем 1 Гбит и позволяет дешево и просто наращивать объемы памяти во встраиваемых системах, предлагая наилучшее соотношения цена/бит. В последнее время...

Компания Ramtron International представила FM24L256, микросхему 2,7-3,6 В энергонезависимой F-RAM-памяти с высокоскоростным последовательным I2C-интерфейсом. Микросхема FM24L256 предлагает высококачественный сбор и хранение данных в крохотном 8-выводном корпусе, снижая стоимость и габариты платы в...

Компания Micron Technology представила высокоэффективную мобильную память LPDDR2 (low power DDR2), которая призвана увеличить производительность и снизить энергопотребление мобильных устройств, таких как телефоны, смартфоны, КПК. LPDDR2 является совместной разработкой компаний Micron Technology и N...

Компания Micron Technology анонсировала производство высокоемких микросхем памяти типа BA NAND (Block Abstracted NAND). BA NAND представляет собой комбинацию многоуровневой флэш-памяти (MLC NAND) и контроллера памяти в одном корпусе. Контроллер реализует алгоритм, выравнивающий среднее количество ц...

23A256-I/P – последовательная память с объемом 256 кбит и организацией 32,768 х 8 бит. Доступ к памяти осуществляется посредством последовательной шины SPI. Для доступа к памяти необходимы следующие сигналы: тактовая частота (SCK), раздельные входная (SI) и выходная (SO) линии данных. Доступ...

FM24V10-G – сегнетоэлектрическая энергонезависимая память объемом 512 кб с организацией 65 536 х 8 бит. Может использоваться в качестве замены EEPROM в ответственных применениях. Память отличается скоростью чтения и записи сравнимой с ОЗУ и высокой надежностью. FM24V10-G имеет интерфейс I2C и...

Общее описание Micron Technology представила экономичную DDR3 память с высокой пропускной способностью. SODIMM-модули на базе этой памяти удовлетворяют двум основным требованиям разработчиков мобильной техники, в частности ноутбуков : низкая потребляемая мощность и высокая производительность....

FM25V10-G – сегнетоэлектрическая энергонезависимая память объемом 1 Мб с организацией 128к х 8 бит компании Ramtron. Может использоваться в качестве замены EEPROM в ответственных применениях. Память отличается скоростью чтения и записи сравнимой с ОЗУ и высокой надежностью. FM25V10-G имеет...

Ученые создают устройства памяти на квантовых эффектах Исследователи немецкого центра HZB им.Гельмгольца в Берлине и французского исследовательского фонда CNRS на юге Парижа, для долговременного хранения данных используют электрические поля для воздействия на спин (одно из свойств электронов). Эти п...

Maxim Integrated Products представила DS3065WP – модуль энергонезависимого ОЗУ 1 M × 8 со встроенными часами реального времени и встроенным аккумулятором (корпус PowerCap). Новые модули защищенной памяти SRAM повышенной емкости DS3065WP позволяют инженерам перейти в разработках с модуле...

Приближается конец эры жестких дисков Julien Happich Представьте себе компьютер, оборудованный вместо жестких дисков памятью устойчивой к вибрации, тряске и ударам, которая в 100 тысяч раз быстрее жестких дисков и потребляет значительно меньше энергии. Последние достижения лаборатории наномагнетизм...

Компания Kingston анонсировала роадмап выпуска накопителей с поддержкой USB 3.0 на 2011 год. Речь идет о флеш-дисках и картах памяти разных форматов и разных ценовых классов. В частности, Kingston собирается обновить линейку DataTraveler и HyperX MAX, видя коммерческий успех первых пилотных устрой...

Карты microSD можно найти практически во всех портативных устройствах. Эта сменная карта памяти примерно в 4 раза меньше по размерам, чем стандартная карта SD, что делает ее самой компактной картой флэш-памяти на рынке. Таким образом, карты microSD заняли свою нишу в различных приложениях – о...

Компания InnoDisk, один из крупнейших производителей промышленных накопителей на флэш-памяти, представила SD-карты памяти. Основные преимущества SD-карт, предлагаемых компанией InnoDisk: Совместимость со спецификацией SD 2.0 (спецификация SD 2.0 предусматривает возможность использовать пр...

NAND и DRAM подорожали в связи с японскими событиями Александр Будик Стихийное бедствие в Японии повлияло на рынок памяти. По данным отраслевых источников, всего за один день, 14 марта, спот-цены на микросхемы MLC NAND поднялись на 20%. DDR3-чипы, в свою очередь, подорожали более чем на 7%. Подняти...

Microchip расширила линейку ЦАП с энергонезависимой памятью приборами MCP4706/16/26 (MCP47X6). К особенностям микросхем относятся буферизованные выходы и интегрированная EEPROM. Микросхемы предлагаются как в миниатюрных корпусах DFN 2 × 2 мм, так и в 6-выводных корпусах SOT-23. ЦАП идеально п...

Корпорация Atmel сообщила о пополнении семейства устройств CryptoAuthentication. В состав семейства вошла стандартная микросхема EEPROM со встроенными аппаратными функциями аутентификации – ATAES132. Данная EEPROM предоставляет собой безопасное хранилище данных с AES аутентификацией для индус...

Cypress анонсировала микросхемы FIFO памяти с объемом до 72 Мбит. Новые модули памяти высокой плотности (HD) от Cypress CYF0018V, CYF0036V, CYF0072V хорошо подходят для приложений обработки изображений и видео, которым необходимы высокая плотность и частота для эффективной буферизации. HD FIFO я...

Cypress Semiconductor представила 128-, 64- и 32-мегабитные микросхемы асинхронной статической памяти (Asynchronous SRAM) семейства MoBL® с 32-битной шиной данных. Новые приборы расширяют портфолио микросхем SRAM, включающее высококачественные синхронные, асинхронные и микромощные устройства. Н...

Ramtron объявила о появлении новейшей микросхемы сегнетоэлектрической памяти с произвольным доступом (F-RAM), изготовленной на производственной линии корпорации IBM. Прибор FM24C64C емкостью 64 кбит питается от источника 5 В, имеет последовательный интерфейс, поддерживающий скорость шины, обес...

Spansion анонсировала самую быстродействующую на сегодняшний день микросхему Flash-памяти с последовательным доступом серии Spansion® FL-S NOR Flash memory, изготовленную по технологии 65 нм. Данная продукция имеет на 20% увеличенную удвоенную скорость передачи данных (DDR) при чтении и повы...

Компактные устройства с низким уровнем потребления энергии удовлетворяют требованиям рынка NOR Flash-памяти Компания Microchip заявила о расширении своей линейки многоцелевой Flash Plus (MPF+) памяти, представив две микросхемы – SST39VF80XC и SST39VF160XC. SST39VF80XC имеет объем 8 Мбит, а S...

Новая микросхема для защиты от воздействий электростатического разряда и радиопомех поддерживает стандарт SD 3.0 в части скорости передачи данных и объемов памяти STMicroelectronics представила новую микросхему, совмещающую в себе функции фильтра электромагнитных импульсов (EMI) и защиты от воздей...

IBM и Micron Technology объявили о том, что Micron начнет выпуск нового устройства памяти, впервые построенного по коммерческой КМОП технологии TSV (through-silicon vias – в приблизительном переводе «сквозные связи через кремний»). Усовершенствованный процесс создания микросх...

Кульминацией семилетних исследований IBM стала разработка памяти Racetrack Корпорация IBM объявила о создании работающего кристалла памяти типа «Racetrack», который в будущем может привести к созданию микросхем с емкостью современных жестких дисков, но надежностью и производительностью...

XQD обладает непревзойденной производительностью в своем классе запоминающих устройств Компания CompactFlash Association (CFA) сообщила о выпуске спецификации XQD для новых высокоэффективных карт памяти. Эта спецификация основана на спецификации шины PCI Express, которая обеспечивает прочную основ...

Компании Intel и Micron совместно разработали первое NAND флеш-устройство на 128 Гб с многоуровневой структурой ячеек (MLC) с использованием технологического процесса 20 нм. IM Flash Technologies, совместное предприятие Intel и Micron, также начало выпуск NAND флеш-памяти на 64 Гб. Восе...

Три интегральных схемы управления питанием обеспечивают гибкий дизайн, повышенную целостность данных и экономию места на плате в сверхтонких твердотельных накопителях клиентских и корпоративных приложений Компания Texas Instruments представила семейство миниатюрных однокристальных интегральных схе...

Panasonic, Samsung, SanDisk, Sony и Toshiba заключили соглашение об объединении усилий в разработке технологии защиты информации на как SD-картах и прочих накопителях, построенных на основе флеш-памяти. Проект стартует под рабочим названием «Next Generation Secure Memory Initiative»....

Транслятор уровня компании STM является первым устройством, поддерживающим новейший стандарт Secure Digital 3.0 STMicroelectronics представила первый в отрасли транслятор уровней, совместимый с последней версией стандарта для карт SD – Secure Digital 3.0. Увеличение объема памяти и скорости...

Toshiba America пополнила линейку флеш-памяти серией USB накопителей TransMemory-EX. Новые устройства совместимы с последним стандартом USB 3.0, известным также под названием Super Speed USB. Емкость первых приборов серии составляет 32 и 64 Гбайт. Изготовленные по технологии DDR NAND фирмы Toshiba...

Компания SanDisk объявила о появлении самого миниатюрного чипа NAND флеш-памяти на 128 Гбит (16 ГБ), созданного по 19 нм технологии, что позволило побить предыдущий рекорд фирмы Micron, которая в декабре прошлого года заявила о создании флеш-накопителя объемом 128 Гбит с использованием 20-нм технол...

Компания InnoDisk, один из крупнейших производителей промышленных накопителей на флэш-памяти, начала поставки карты памяти формата microSD с наработкой на отказ более 3,000,000 часов. В отличие от обычных коммерческих карт памяти, столь высокая наработка на отказ стала возможной благодаря использов...

Компания Microchip выпускает отладочный набор SuperFlash Kit 1 (AC243005-1) для разработчиков, использующих в своих проектах микросхемы Flash-памяти с последовательным интерфейсом SPI и SQI. В состав набора входят три дочерних платы PICtail Plus, выполненные на базе микросхем Flash-памяти SST25VF01...

VS23S010 компании VLSI Solution представляет собой простую в использовании микросхему SRAM-памяти с интерфейсом SPI c наибольшим объемом на сегодняшнем рынке. Доступ к памяти осуществляется как с помощью стандартного последовательного SPI-интерфейса (поддержка 1, 2 и 4-битового режимов), так и чере...

На самых быстрых из когда-либо созданных картах памяти со скоростью чтения/записи 168 МБ/с можно запечатлеть любые моменты спортивных состязаний Объем и надежность новых карт памяти XQD S Series компании Sony оценят фотожурналисты, снимающие спортивные состязания и прочие события, где необходима в...

Совместимые со всеми микроконтроллерами Atmel, новые микросхемы EEPROM с последовательным интерфейсом имеют уникальный 48- и 64-битный MAC/EUI адрес и 128-битный серийный номер, что позволит ускорить разработку и упростить массовый выпуск устройств, подключаемых к Интернет Компания Atmel представи...

Samsung Electronics объявила о начале поставок первых в отрасли модулей памяти DDR4 емкостью 16 Гбайт – четвертого поколения синхронной динамической регистровой памяти с удвоенной скоростью передачи данных, предназначенной, в первую очередь, для корпоративных серверных систем. Образцы...

Представлены микросхемы последовательной энергонезависимой SRAM с батарейным резервным питанием в 8-ми выводных корпусах, не уступающие по характеристикам многовыводным параллельным SRAM Компания Microchip Technology расширила семейство микросхем последовательной SRAM четырьмя новыми устройствами...

Разработанные Panasonic карты памяти серий SDAB и SDUB специально предназначены для особо надежных и прочных потребительских электронных устройств Новые карты памяти компании Panasonic по степени своей защищенности значительно превзошли рекомендации стандартов для потребительских и бизнес электрон...

Новые многоцелевые микросхемы Flash-памяти с параллельным интерфейсом и емкостью 4 Мбит выполнены в компактном корпусе, обладают высокой скоростью работы, низким потреблением, и предназначены для ответственных NOR Flash приложений Компания Microchip расширяет свое семейство многоцел...

Новая память примерно на 50% быстрее, чем LPDDR2 Компания Samsung вышла на новый технологический уровень изготовления памяти для мобильных устройств, начав массовое производство первой в мире оперативной памяти LPDDR3 емкостью 2 ГБ. Общая скорость передачи данных мобильных чипов равна 12.8 ГБ/с...

Компания Hitachi продемонстрировала метод хранения цифровой информации на кусочке кварцевого стекла, способном противостоять сверхвысоким температурам и неблагоприятным условиям окружающей среды практически вечно. Вероятность потерь информации возрастает. Срок хранения данных на современных нако...

Отладочный набор позволит разработчикам оценить характеристики микросхем Flash-памяти с параллельным интерфейсом, используя существующие отладочные инструменты компании Microchip Компания Microchip Technology анонсировала свой первый отладочный набор для микросхем Flash-памяти Parallel SuperF...

Компания Everspin Technologies выводит на рынок первую коммерческую микросхему магниторезистивной оперативной памяти на основе переноса спинового момента (Spin-Torque Magnetoresistive RAM – ST-MRAM), – новый тип памяти со сверхмалыми задержками, которая может стать быстродействующей аль...

Компания InnoDisk, один из крупнейших производителей промышленных накопителей на флэш-памяти, запустила серийное производство малогабаритных USB флэш-накопителей формата nano USB с использованием микросхем SLC NAND Flash. Благодаря своему размеру, накопители nano USB могут использоваться в качес...

Компания Texas Instruments представила первую в отрасли микросхему энергонезависимой Flash-памяти для устройств и систем, работающих в высокотемпературных условиях окружающей среды. Микросхема Flash-памяти SM28VLT32-HT предоставляет для разработчика объем 32 Мбит (4 Мбайт) и устраняет необходимость...

Новый, агрессивный дизайн; самая высокая скорость и наибольший объем памяти в семействе HyperX; поддержка технологии разгона Intel XMP Компания Kingston Technology представила HyperX Beast, последнюю модель оперативной памяти линейки HyperX. Она характеризуется высокой скоростью и большим объемом,...

Samsung Electronics объявила о выпуске встраиваемых мультимедийных карт (eMMC) емкостью 64 ГБ, выполненных по технологии 10-нм. В конце октября эти NAND карты памяти были запущены в серийное производство. Встраиваемые модули памяти являются основными элементами хранения данных в таких популярных м...

VIA Labs представила два новых контроллера для флеш-накопителей с интерфейсом USB 3.0: двухканальный VL752 и одноканальный VL753. Заявленная скорость чтения VL752 достигает 280 МБ/с, а записи – 88 МБ/с. Компания VIA Labs анонсировала две новейшие модели контроллеров интерфейса USB 3.0 &ndash...

Самые быстрые в мире карты памяти типа CF на основе NAND флэш технологии Toshiba для DSLR камер высшего класса Компания Toshiba запускает новую линейку высокопроизводительных карт памяти CompactFlash для рынка цифровых зеркальных камер (DSLR). Производимые под торговой маркой EXCERIA PRO, эти...

Kingston Digital представила USB флеш-накопитель DataTraveler HyperX Predator 3.0. Накопитель имеет наибольший в мире объем памяти среди аналогичных устройств с интерфейсом USB 3.0. В настоящее время уже продаются приборы емкостью 512 ГБ, а чуть позже, в конце первого квартала 2013 г, начнутся прод...

Новые микросхемы Flash-памяти работают в диапазоне напряжений питания, расширенном до 2.3 … 3.6 В Компания Microchip Technology объявила о расширении произведенной по технологии SuperFlash линейки микросхем Flash-памяти с интерфейсом SPI, представив устройства SST25PF020B, SST25PF040B и SST...

Ученые из Федеральной политехнической школы Лозанны (EPFL) создали на основе двух материалов с интересными электронными свойствами – графена и молибденита – прототип flash-памяти, которая может оказаться очень перспективной с точки зрения характеристик, размеров и энергопотребления....

Новые микросхемы памяти производятся по технологии 10-нм. Компания Samsung Electronics в апреле 2013 года начала массовый выпуск микросхем 3-bit MLC NAND flash-памяти объемом 128 Гб, выполненных по технологии 10 нм. Эти превосходные по своим параметрам микросхемы позволят создава...

Компания InnoDisk представила первый в мире сверхминиатюрный промышленный твердотельный накопитель серии nanoSSD с интерфейсом SATA III в корпусе BGA, соответствующий стандарту JEDEC MO-276 (SATA μSSD). Накопители nanoSSD имеют высокую степень интеграции – контроллер, флэш-память, комп...

Сплав алюминия и сурьмы может стать основой для памяти будущего Jason Socrates Bardi, Американский институт физики Wireless Design & Development Новый материал, состоящий из алюминия и сурьмы, может быть использован в запоминающих устройствах следующего поколения Новый экологически чистый спл...

Fujitsu Semiconductor объявила о завершении разработки 4-мегабитных приборов FRAM-памяти MB85R4M2T с параллельным интерфейсом, совместимым с микросхемами SRAM. Образцы новой продукции в 44-выводных корпусах TSOP будут доступны в первом квартале 2014 г. По расположению выводов приборы полностью совм...

Резистивная память CBRAM может радикально снизить потребление энергии, став новым стандартам эры Интернета вещей Компания Adesto Technologies, ведущий разработчик и лидер рынка самых малопотребляющих решений в области энергонезависимой памяти с последовательными интерфейсами, совершила радик...

Новые приборы F-RAM расширяют диапазон емкостей самых экономичных микросхем энергонезависимой памяти, предназначенных для особо ответственных приложений Cypress Semiconductor представила семейство микросхем сегнетоэлектрической памяти с произвольным доступом (F-RAM) емкостью 4 Мбит, имеющих самую...

Новая трехуровневая ячейка NAND памяти (TLC) большой емкости обеспечивает высокий уровень технических характеристик: Концентрированный баланс цены, емкости и технических характеристик При той же емкости, что и MLC NAND площадь, кристалла снижена на 28% Ори...

Инновационная трехмерная многоуровневая структура увеличивает объем и повышает технические характеристики микросхем флэш-памяти Toshiba America представила новое поколение флэш-памяти BiCS FLASH с трехмерной многоуровневой структурой запоминающих ячеек. Новая микросхема является первым в мире 48-с...

Новому семейству однопроводных устройств памяти с оригинальной схемой паразитного питания и уникальным 64-битным серийным номером требуются лишь один вывод данных и один вывод земли Atmel начала производство инновационной микросхемы однопроводного EEPROM, имеющего лишь два вывода – данных и...

Новое устройство емкостью 256 Мбит в корпусе с небольшим количеством выводов и полосой пропускания в режиме чтения до 333 МБ/c предназначена для широкого диапазона высокопроизводительных систем Компания Cypress Semiconductor расширила линейку HyperFlash компонентов памяти NOR новой микросхемой объ...

Новое решение Samsung в области DRAM указывает на то, что TSV становится господствующей технологией в приложениях памяти большой емкости Компания Samsung анонсировала начало массового производства первых в отрасли 128-гигабайтных модулей памяти DDR4, изготовленных по технологии «переходные о...

Семейство микросхем NOR Flash-памяти с интерфейсом SQI предназначенное для применения в автомобильной электронике, обладает усовершенствованным функционалом и низким энергопотреблением Компания Microchip анонсировала семейство микросхем NOR Flash-памяти SST26VF с расширенным диапазоном напряжений...

Российские учёные ускорили сверхпроводящую память в сотни раз Группа ученых из лаборатории топологических квантовых явлений в сверхпроводящих системах МФТИ и МГУ предложила принципиально новый тип ячеек памяти на основе сверхпроводников — такая память может работать в сотни раз быстрее, чем ра...

Преодолев технические сложности масштабирования DRAM, Samsung первой в мире открывает дверь в мир «DRAM класса 10 нм» Samsung Electronics объявила о начале крупносерийного производства первых изделий с проектными нормами 10 нм – 8-гигабитных микросхем памяти DDR4, а также модулей...

В ультра миниатюрном корпусе радиационно-стойкого устройства управления питанием реализован полный набор необходимых функций Texas Instruments представила первый в отрасли линейный стабилизатор для согласования интерфейсов памяти с удвоенной скоростью передачи данных (DDR), предназначенный для к...

В новом поколении BiCS FLASH компании Toshiba стало больше слоев и увеличился объем памяти Корпорация Toshiba представила последнее поколение своей трехмерной (3D) флэш-памяти BiCS FLASH со стековой структурой ячеек, объявив о начале поставок образцов первого в мире 64-слойного устройства. Объем...

Представлено первое в отрасли устройство DRAM с авторегенерацией и 12-проводным интерфейсом HyperBus, предназначенное для расширенных сверхоперативных ЗУ высокопроизводительных приложений Cypress Semiconductor анонсировала образцы новой высокоскоростной динамической памяти с авторегенерацией, ос...

Энергонезависимое ОЗУ на основе EERAM с интерфейсом I2C не требует внешней батареи для сохранения данных Недорогое и надежное решение для безопасного сохранения данных при потере питания теперь стало возможным благодаря компании Microchip Technology. Новая память EERAM с интерфейсом I2C представ...

Диапазон рабочих температур расширен до +105 °С Подразделение решений для хранения данных и электронных устройств корпорации Toshiba объявило о выпуске устройств встроенной флеш-памяти NAND, соответствующих стандарту JEDEC e•MMC™ версии 5.1 [1] с расширенным диапазоном р...

В Росэлектронике разработали многослойные оптические носители информации Специалисты холдинга Росэлектроника Госкорпорации Ростех разработали материалы для создания многослойных 3D-оптических носителей информации флуоресцентного типа, призванных заменить CD, DVD и BluRay. Носители информации,...

Everspin Technologies начала отгрузку основным потребителям пробных партий новых микросхем магниторезистивной оперативной памяти с переносом спинового момента (ST-MRAM) емкостью 1 Гбит. Этот революционный продукт предназначен для создания энергонезависимых систем хранения с интерфейсом DDR4. Он поз...

LAPIS Semiconductor сообщила о разработке сегнетоэлектрического запоминающего устройства с произвольным доступом (FeRAM) емкостью 1 Мбит, предназначенного для таких приложений, как интеллектуальные приборы учета, средства измерений, медицинское оборудование и банковские терминалы, где требуется быст...

08.01.2018

Память

549

Новый уровень стандартов запоминающих устройств для обработки постоянно растущих объемов мобильного контента Samsung Electronics объявила о начале массового производства первой в отрасли встраиваемой универсальной флеш-памяти (embedded Universal Flash Storage – eUFS) емкостью 512 ГБ для ис...

15.01.2018

Память

510

Toshiba Memory Europe представляет UFS-устройства на основе 64‑слойной 3D флеш-памяти Компания Toshiba Memory Europe начала поставки ознакомительных образцов универсальных флеш-накопителей (UFS)[1] на основе самой современной 64-слойной 3D флеш-памяти BiCS FLASH™ производства Toshiba...

17.01.2018

Память, Компьютеры и периферия

639

В новой серии потребительских дисков премиум-класса представлены устройства повышенной производительности емкостью 2 ТБ для рабочих станций и высокопроизводительных ноутбуков и настольных ПК, а также для компьютерных энтузиастов Компания Toshiba Memory Europe расширяет получившую широкое признан...

08.01.2018

Память

526

Финская компания VLSI Solution сообщила о доступности микросхемы универсального статического запоминающего устройства (SRAM) VS23S040 с интерфейсом SPI и наибольшей емкостью среди аналогичных устройств, предлагаемых сегодня на рынке. VS23S040 – это простая в использовании микросхема ст...

21.01.2018

Память

616

Новые NVMe SSD-диски форм-фактора M.2 – наиболее выгодное решение для массовых геймеров и энтузиастов самостоятельной сборки компьютеров Компания Toshiba Memory Europe GmbH объявила на международной выставке CES 2018 о выпуске новой серии твердотельных дисков (SSD) RC100 с интерфейсом NVMe...

28.01.2018

Память, Авто

603

Устройства памяти с расширенным диапазоном рабочих температур предназначены для хранения данных в составе все более сложных автомобильных систем, включая информационно-развлекательные системы и расширенные системы помощи водителю Компания Toshiba Memory Europe начала поставки ознакомительных обр...

29.03.2018

Память

469

НИИМЭ разработал новую ячейку EEPROM-памяти для серийно выпускаемых микросхемАО «НИИ молекулярной электроники» разработало новую конструкцию ячейки энергонезависимой памяти для применения в серийно выпускаемых микросхемах отечественного производства I уровня. Особенностью новой ячейки ст...

08.07.2018

Память

511

Оптимальное решение для исключения батарей резервного питания ОЗУ из промышленного оборудования Fujitsu Semiconductor объявила о завершении разработки и начале серийного производства 8-мегабитного сегнетоэлектрического ОЗУ (FRAM) MB85R8M2T – микросхемы с наибольшим объемом памяти в семейств...

17.09.2018

Память

494

Оптимальная энергонезависимая память для регистрации данных в реальном времени в таких приложениях, как 3D позиционирование в автомобильных навигаторах Fujitsu Semiconductor сообщила о завершении разработки микросхемы MB85RS4MT – 4-мегабитного сегнетоэлектрического ОЗУ (FRAM) с самой больш...

27.08.2019

Память

380

MB85AS8MTПамять с самым низким в отрасли током, потребляемым в режиме чтения, оптимальная для миниатюрных носимых устройств Fujitsu Semiconductor сообщила о выпуске микросхемы 8-мегабитной ReRAM (Resistive random access memory – резистивная память с произвольным доступом) с самой большой...

23.10.2019

Память

301

1657РУ2УАО НПЦ «ЭЛВИС» заняло первое место в конкурсе «Золотой чип - 2019» в рамках выставки ChipEXPO-2019, проводимой при поддержке Министерства промышленности и торговли Российской Федерации. В номинации «Лучшее изделие ЭКБ 2018-2019 гг.» победил проект...

12.11.2019

Микроконтроллеры, АЦП, ЦАП, Интерфейсы, Память, Процессоры

417

1508МТ015 1645PУ7Я 1923КХ028 1986ВС018 5101НВ035 9018ВК016 9021НВ016 9022РА018 9022РТ018 9023РР018 МВМ-03«ПКК Миландр» занял 2-е призовое место в конкурсе «Золотой Чип» в номинации «Лучшее изделие специального и двойного назначения 2018-2019 гг.&ra...

27.11.2019

Память, Перспективные технологии

305

Такие флешки будут намного долговечнее современных Международная группа исследователей, в составе которой были специалисты из МФТИ, создала и изучила уникальный сегнетоэлектрический конденсатор — основу устройств памяти будущего. Они будут работать намного быстрее и дольше сегодняшних флеше...

06.12.2019

Память

283

M95M04 Первая в отрасли микросхема EEPROM емкостью 4 Мбит в миниатюрном недорогом 8-выводном корпусе. Увеличение объема хранимых данных расширяет функциональные возможности и повышает точность интеллектуальных устройств. STMicroelectronics (ST) представила новое поколение микросхем п...

11.12.2019

Память

291

48L256 48L512 48L640 48LM01Новое семейство EERAM высокой плотности с интерфейсом SPI емкостью до 1 Мбит Начиная от интеллектуальных счетчиков и заканчивая производственными линиями, приложения, которым требуется решать задачи повторяющейся регистрации данных, должны иметь возможность ав...

27.01.2020

Память, Перспективные технологии

245

Международная группа ученых НИТУ «МИСиС» и Национального института квантовых наук и радиологии (Япония) разработали материал, который позволит существенно увеличить плотность записываемой информации в устройствах хранения данных, таких как твердотельные диски и флеш-н...

25.03.2020

Память

264

Компания "ЭФО", дистрибьютор электронных компонентов на российском рынке с 1991 года, представляет новую компанию в своей линейке – китайского производителя Zbit Semi, выпускающего микросхемы памяти NOR Flash (4-128Мбит) с интерфейсом SPI. Преимущества продукции Zbit Semi:...

23.04.2020

Память

249

S-34TS04LКомпания ABLIC анонсировала начало производства новых двухпроводных последовательных EEPROM S-34TS04L с интегрированным датчиком температуры и диапазоном рабочих напряжений от 1.7 В до 3.6 В. Память объемом 4 Кбит разбита на 2 страницы по 256 байт. Доступны функции стр...

16.07.2020

Память, Компьютеры и периферия

235

Центр разработки и производства микроэлектроники GS Nanotech (в составе холдинга GS Group) получил заключение Минпромторга о подтверждении производства твердотельных энергонезависимых устройств хранения данных (SSD) собственной разработки на территории Российской Федерации. Это первый SSD в реестре...

29.07.2020

Память

249

MB85RS4MTYЭнергонезависимая память, оптимальная для использования в автомобильном и промышленном оборудовании, где требуется высокая надежность в условиях высоких рабочих температур Подразделение запоминающих устройств компании Fujitsu Semiconductor анонсировало выпуск 4-мегабитной микросхемы F...

23.11.2020

Память, Перспективные технологии

184

Запоминающие устройства на основе переключения сопротивления обладают значительными преимуществами перед используемыми сегодня элементами памяти. Сотрудники группы атомно-слоевого осаждения МФТИ совместно с коллегами из Кореи изучили влияние дефектов поверхности одного из электродов на свойства ячей...

04.03.2021

Память

174

Greenliant запускает в производство промышленные карты памяти microSD емкостью 1 ТБ ArmourDrive QXНадежность, портативность и долговечность в широком диапазоне температур Greenliant расширила свое семейство ArmourDrive промышленных высоконадежных карт памяти microSD большой емкости серии QX, доб...

30.03.2021

Память

153

Infineon выпускает высоконадежные энергонезависимые СОЗУ второго поколения STK14C88C STK14CA8CInfineon Technologies объявила о выпуске новых микросхем энергонезависимых статических ОЗУ второго поколения (nvSRAM). Новое поколение устройств, соответствующее требованиям стандарта QML-Q и аналогичным...

27.04.2021

Память

166

Dialog Semiconductor разработала самую малопотребляющую в отрасли микросхему флеш-памяти AT25EUСемейство AT25EU продуктов NOR Flash со сверхнизким энергопотреблением и быстрым считыванием обеспечивает значительно меньшее время стирания и функции энергосбережения для увеличения времени автономной ра...

22.06.2021

Память, Перспективные технологии

144

Сибирские ученые синтезировали уникальную молекулу вердазил-нитроксильного трирадикалаУченые Томского политехнического университета совместно с коллегами синтезировали уникальную молекулу вердазил-нитроксильного трирадикала. Получить молекулы со схожими свойствами смогли лишь несколько исследователь...

07.11.2022

Память

61

Samsung Electronics начинает массовое производство памяти V-NAND восьмого поколения с самой высокой в отрасли плотностью битовКак и было обещано на саммите Flash Memory Summit 2022 и конференции Samsung Memory Tech Day 2022, Samsung Electronics объявила о начале массового производства 1-терабитной (...

04.07.2023

Память, Перспективные технологии

38

Синтезированы «управляемые» химические соединения для электроники будущегоРоссийские ученые получили металлорганические соединения с переключаемыми магнитными свойствами. Входящие в их состав ионы металлов способны обратимо менять спиновое состояние в ответ на внешние воздействия, а следовательно, к...

09.10.2023

Память, Перспективные технологии

57

Ученые ТУСУРа приступили к работе над элементами памяти мемристорного типаМеханизм переключения и технологию изготовления элемента памяти мемристорного типа разрабатывают ученые ТУСУРа в рамках реализации программы развития «Приоритет 2030».  «Резистивная память с про...

07.02.2024

Память, Перспективные технологии

9

В вузе создают материалы для мемристорной памяти нового поколенияОни помогут создать носители с увеличенной плотностью хранимой информации [фоторепортаж] Ученые Научно-образовательного центра «Наноматериалы и нанотехнологии» УрФУ синтезировали материал для технологий памяти...