Компания Diodes выпустила новые микросхемы высокочастотных драйверов DGD0506 и DGD0507. Устройства предназначены для управления затворами двух внешних N-канальных MOSFET в полумостовом включении. При 50 В допустимого плавающего напряжения питания транзистора верхнего плеча драйверы могут использоваться в широком диапазоне приложений, прежде всего, в приводах бесщеточных двигателей постоянного тока устройств с батарейным питанием, таких как дроны, вентиляторы, электронные сигареты и аккумуляторные электроинструменты, включая дрели, портативные пылесосы и блендеры.
Логические уровни входных сигналов позволяют напрямую подключать к DGD0506 и DGD0507 управляющие микроконтроллеры с напряжением питания 3.3 В, в то время как достигающий напряжения питания микросхем (8 В …14 В) размах выходных сигналов гарантирует снижение потерь проводимости за счет полного обогащения канала MOSFET. При допустимых значениях втекающего и вытекающего токов 1.8 А и 2.5 А, соответственно, эти драйверы уменьшают время переключения MOSFET с очень низкими сопротивлениями открытого канала, включая выпускаемые Diodes транзисторы DMT4002LPS, и вносят вклад в повышение общего КПД системы.
Для сокращения количества внешних компонентов в драйверы затворов DGD0506 и DGD0507 интегрированы бутстрепные диоды, которые в сочетании с компактным корпусом DFN3030 размером 3 мм × 3 мм сокращают размеры и вес создаваемых устройств. Микросхема DGD0506 с единственным входом управления минимизирует количество необходимых выводов микроконтроллера, а возможность программирования мертвого времени в диапазоне от 70 нс до 420 нс увеличивает гибкость проектных решений. DGD0507, имеющая отдельные входы управления транзисторами верхнего и нижнего плеча, предназначена для решений, требующих меньших значений мертвого времени, и позволяет использовать более высокие частоты переключения при максимальной задержке распространения 35 нс и разбросе между каналами не более 5 нс. Наряду с логикой исключения сквозных токов это обеспечивает защиту MOSFET, гарантируя, что выходы верхнего и нижнего плеча никогда не будут включены одновременно. Цепь блокировки при пониженном входном напряжении защищает MOSFET в случае исчезновения питания.
DGD0506 и DGD0507 выпускаются в корпусе DFN3030, и благодаря полной совместимости по выводам могут служить альтернативой аналогичным приборам, выпускаемым другими предприятиями отрасли.
Компания Diodes выпустила новые микросхемы высокочастотных драйверов DGD0506 и DGD0507. Устройства предназначены для управления затворами двух внешних N-канальных MOSFET в полумостовом включении. При 50 В допустимого плавающего напряжения питания транзистора верхнего плеча драйверы могут использоваться в широком диапазоне приложений, прежде всего, в приводах бесщеточных двигателей постоянного тока устройств с батарейным питанием, таких как дроны, вентиляторы, электронные сигареты и аккумуляторные электроинструменты, включая дрели, портативные пылесосы и блендеры.
Логические уровни входных сигналов позволяют напрямую подключать к DGD0506 и DGD0507 управляющие микроконтроллеры с напряжением питания 3.3 В, в то время как достигающий напряжения питания микросхем (8 В …14 В) размах выходных сигналов гарантирует снижение потерь проводимости за счет полного обогащения канала MOSFET. При допустимых значениях втекающего и вытекающего токов 1.8 А и 2.5 А, соответственно, эти драйверы уменьшают время переключения MOSFET с очень низкими сопротивлениями открытого канала, включая выпускаемые Diodes транзисторы DMT4002LPS, и вносят вклад в повышение общего КПД системы.
Для сокращения количества внешних компонентов в драйверы затворов DGD0506 и DGD0507 интегрированы бутстрепные диоды, которые в сочетании с компактным корпусом DFN3030 размером 3 мм × 3 мм сокращают размеры и вес создаваемых устройств. Микросхема DGD0506 с единственным входом управления минимизирует количество необходимых выводов микроконтроллера, а возможность программирования мертвого времени в диапазоне от 70 нс до 420 нс увеличивает гибкость проектных решений. DGD0507, имеющая отдельные входы управления транзисторами верхнего и нижнего плеча, предназначена для решений, требующих меньших значений мертвого времени, и позволяет использовать более высокие частоты переключения при максимальной задержке распространения 35 нс и разбросе между каналами не более 5 нс. Наряду с логикой исключения сквозных токов это обеспечивает защиту MOSFET, гарантируя, что выходы верхнего и нижнего плеча никогда не будут включены одновременно. Цепь блокировки при пониженном входном напряжении защищает MOSFET в случае исчезновения питания.
DGD0506 и DGD0507 выпускаются в корпусе DFN3030, и благодаря полной совместимости по выводам могут служить альтернативой аналогичным приборам, выпускаемым другими предприятиями отрасли.