Обнародовав характеристики новых 120-амперных 650-вольтовых нитрид-галлиевых (GaN) E-HEMT транзисторов, канадская компания GaN Systems подтвердила свое лидирующее положение в отрасли мощных GaN приборов. Растущие уровни мощности порождают потребность во все более высоких рабочих токах. Поэтому многочисленные преимущества GaN сегодня могут быть востребованы в автомобилестроении, промышленности и возобновляемой энергетике.
650-вольтовый GaN E-HEMT с допустимым током 120 А увеличивает удельную отдачу энергии преобразователей диапазона от 20 кВт до 500 кВт, включая автомобильные антипробуксовочные системы, бортовые зарядные устройства особо высокой мощности, крупномасштабные накопители энергии и промышленные приводы электродвигателей. Этот транзистор, в два раза превосходящий по допустимой токовой нагрузке самые мощные приборы, когда-либо выпускавшиеся GaN Systems, позволит потребителям, не увеличивая габаритов систем, эффективно удвоить их выходную мощность.
Новые транзисторы GS-065-120-1-D, поставляемые в виде кристаллов для пользовательских силовых модулей, имеют наименьшее в отрасли мощных полупроводников сопротивление открытого канала и наибольший ток среди всех 650-вольтовых GaN HEMT. Мощные модули занимают до 40% рынка силовой электроники. Потребители смогут использовать эти кристаллы в модулях полумостовой, полномостовой и шеститранзисторной конфигураций для создания более совершенных устройств большой мощности.
«Это наиболее значимый GaN продукт на сегодняшнем рынке, оптимизированный для совместимости с технологиями как встраиваемых, так и традиционных модулей, – заявил Джим Витам (Jim Witham), генеральный директор компании Gan Systems. – Расширяя семейство наших флагманских продуктов, этот транзистор воплощает все преимущества технологии GaN и наш подход к силовым GaN транзисторам, основа которого – простота использования, большая плотность мощности и высокий КПД. Он позволит с меньшими затратами и при меньших размерах создавать системы питания с беспрецедентными уровнями мощности».
Оценочные модули
Для изучения характеристик бескорпусного транзистора GS-065-120-1-D предлагаются два оценочных модуля GSM-065-120-1 и GSM065-240-1:
120-амперный GSM-065-120-1-N-0 содержит один кристалл GS-065-120-1-D;
240-амперный GSM-065-240-1-N-0 содержит два кристалла GS-065-120-1-D, соединенных параллельно.
Обнародовав характеристики новых 120-амперных 650-вольтовых нитрид-галлиевых (GaN) E-HEMT транзисторов, канадская компания GaN Systems подтвердила свое лидирующее положение в отрасли мощных GaN приборов. Растущие уровни мощности порождают потребность во все более высоких рабочих токах. Поэтому многочисленные преимущества GaN сегодня могут быть востребованы в автомобилестроении, промышленности и возобновляемой энергетике.
650-вольтовый GaN E-HEMT с допустимым током 120 А увеличивает удельную отдачу энергии преобразователей диапазона от 20 кВт до 500 кВт, включая автомобильные антипробуксовочные системы, бортовые зарядные устройства особо высокой мощности, крупномасштабные накопители энергии и промышленные приводы электродвигателей. Этот транзистор, в два раза превосходящий по допустимой токовой нагрузке самые мощные приборы, когда-либо выпускавшиеся GaN Systems, позволит потребителям, не увеличивая габаритов систем, эффективно удвоить их выходную мощность.
Новые транзисторы GS-065-120-1-D, поставляемые в виде кристаллов для пользовательских силовых модулей, имеют наименьшее в отрасли мощных полупроводников сопротивление открытого канала и наибольший ток среди всех 650-вольтовых GaN HEMT. Мощные модули занимают до 40% рынка силовой электроники. Потребители смогут использовать эти кристаллы в модулях полумостовой, полномостовой и шеститранзисторной конфигураций для создания более совершенных устройств большой мощности.
«Это наиболее значимый GaN продукт на сегодняшнем рынке, оптимизированный для совместимости с технологиями как встраиваемых, так и традиционных модулей, – заявил Джим Витам (Jim Witham), генеральный директор компании Gan Systems. – Расширяя семейство наших флагманских продуктов, этот транзистор воплощает все преимущества технологии GaN и наш подход к силовым GaN транзисторам, основа которого – простота использования, большая плотность мощности и высокий КПД. Он позволит с меньшими затратами и при меньших размерах создавать системы питания с беспрецедентными уровнями мощности».
Оценочные модули
Для изучения характеристик бескорпусного транзистора GS-065-120-1-D предлагаются два оценочных модуля GSM-065-120-1 и GSM065-240-1: