International Rectifier представляет двунаправленные сдвоенные MOSFET транзисторы в FlipFET
10.02.2003

29 января, 2003г. -- International Rectifier, IR® (NYSE: IRF), представляет IRF6156, 20В сдвоенный двунаправленные HEXFET® мощные MOSFET транзисторы с общим стоком, которые на 80% меньше чем устройства в TSSOP-8 корпусе и толщиной менее 0,8мм. IRF6156 выпускается в фирменном FlipFETTM корпусе. Малый размер корпуса делает IRF6156 идеальным для защиты Li-Ion батарей и цепей защиты мобильных телефонов, ноутбуков, КПК и цифровых камер.

Li-Ion батареи являются легко воспламеняющимися устройствами, и требуют цепей защиты для предотвращения повреждений при перезаряде. Цепь защиты также необходима для обнаружения коротких замыканий, и отсоединения батареи от нагрузки.

Запатентованный FlipFETTM корпус имеет безвыводной (штампованный) вид. В сущности, это позволяет снизить термальное сопротивление "соединение-плата" до 350C/Вт, в сравнении с более чем 600C/Вт для SO-8 корпусов. Кроме этого, термальное сопротивление "соединение-окр.среда" составляет 500C/Вт. Все выходы IRF6156 расположены на одной стороне пресс формы, так что паразитная индуктивность и другие нежелательные потери минимизируются.


Маркировка Корпус VSSMax.(В) RDS(on) Max@4.5V(mW) IS при 25°C и VGS =4.5V(A)
IRF6156 FlipFETTM 20В 34mW 6.7A

Цены и условия поставки
Новые IRF6156 MOSFET транзисторы в FlipFETTM корпусе уже доступны. Цены определены в размере 0,8$ в партия от 10 000 шт.

Подробнее >>

Реклама