Преимущества карбид-кремниевых транзисторов (SiC MOSFET) – высокий КПД, повышенная, по сравнению с биполярными транзисторами с изолированным затвором (IGBT), частота переключения, экономия места на печатной плате. Для управления SiC MOSFET используются специализированные драйверы: как изолированные от транзистора, так и неизолированные. Выбор драйвера и расчет оптимального режима его работы играет ключевую роль в эффективной работе всего устройства на базе SiC MOSFET.
Транзисторы SiC MOSFET обеспечивают очень высокие скорости коммутации – более 100 кГц, – тогда как устройства IGBT обычно работают на частотах менее 60 кГц. По сравнению с обычными кремниевыми диодами, внутренний диод SiC-транзистора имеет очень низкий заряд восстановления, в результате чего снижаются потери на переключение и обеспечивается более высокая плотность мощности.
Преимущества карбид-кремниевых транзисторов (SiC MOSFET) – высокий КПД, повышенная, по сравнению с биполярными транзисторами с изолированным затвором (IGBT), частота переключения, экономия места на печатной плате. Для управления SiC MOSFET используются специализированные драйверы: как изолированные от транзистора, так и неизолированные. Выбор драйвера и расчет оптимального режима его работы играет ключевую роль в эффективной работе всего устройства на базе SiC MOSFET.
Транзисторы SiC MOSFET обеспечивают очень высокие скорости коммутации – более 100 кГц, – тогда как устройства IGBT обычно работают на частотах менее 60 кГц. По сравнению с обычными кремниевыми диодами, внутренний диод SiC-транзистора имеет очень низкий заряд восстановления, в результате чего снижаются потери на переключение и обеспечивается более высокая плотность мощности.
Читать статью »