Институт микроэлектроники китайской академии наук (IMECAS) объявил о создании МОП-транзистора по технологии high-K metal-gate с длинной затвора 22 нм. По заявлению IMECAS, это полностью спроектированное и созданное в Китае устройство «имеет лучшие в мире характеристики в своем классе и низкую рассеиваемую мощность».

По сообщению китайского информационного агентства Синьхуа, разработанная в Китае 22-нм технология производства микросхем сэкономит деньги КНР при импорте иностранных чипов и повысит конкурентоспособность китайских производителей интегральных схем.

Передовая 22/20-нм технология только лишь начинает входить в коммерческий сектор. Благодаря ей станет возможным снизить энергопотребление смартфонов и планшетов, и, соответственно, продлить время работы аккумуляторов.

Создание лабораторного прототипа 22-нм транзистора говорит о том, что в области технологий Китай отстает от Запада на два-четыре года. Компания Intel уже выпускает на рынок FinFET-транзисторы, созданные по технологии 22 нм, а Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. (Синьчжу, Тайвань), как ожидается, перейдет на 20-нм КМОП технологический процесс в 2013 году.

На протяжении многих лет ограничения Координационного комитета по экспортному контролю (CoCom) и Вассенаарское соглашение лишали Китай доступа к передовым электронным технологиям других стран. Несмотря на это, в последние годы Китай постепенно сокращает отставание благодаря приобретению лицензированных технологий и собственным исследованиям. Китайский производитель микросхем Semiconductor Manufacturing International Corp. (Шанхай, Китай) способен выпускать на рынок компоненты, созданные с использованием 40-нм КМОП технологического процесса.

Согласно Синьхуа, работы по созданию самых современных транзисторов в рамках важнейших национальных научных проектов Китай начал в 2009 году.