Компания Philips пробивает барьер ограничения производительности широкодиапазонных базовых CDMA-станций
03.06.2004

1 июня, 2004г. Компания Royal Philips Electronics объявила о том, что основные преимущества смещенно-диффузной МОП технологии (LDMOS) впервые позволят производителям широкодиапазонных базовых CDMA-станций (W-CDMA) преодолеть 30-процентный барьер к.п.д. , существующий для выходных каскадов высокочастотных усилителей мощности. Поворот инфраструктур сотовой W-CDMA связи в направлении новейших мультимедийных и информационных служб создал острую необходимость в наличии высокопроизводительных усилителей базовых станций, которые были бы способны ликвидировать доставшуюся в наследство системам W-CDMA энергетическую неэффективность. Обеспечивая к.п.д. на выходе высокочастотного каскада более 30%, новая (пятого поколения) технология LDMOS, разработанная фирмой Philips, повышает производительность оборудования W-CDMA на 4 процента по сравнению с получившим массовое распространение в настоящее время вариантом LDMOS-производства. При использовании новой технологии появляется возможность снизить потребление энергии высокочастотными усилителями мощности более чем на 15 процентов, уменьшить тепловыделение и сократить эксплуатационные расходы (включая связанные с охлаждением).

Новейшие мощные производственные линии (технология КМОП 0.14 мкм), принадлежащие фирме Philips, способны обеспечить массовый выпуск изготовленных по LDMOS-технологии пятого поколения высокочастотных силовых транзисторов с габаритным размером 0.4-мкм и четырехслойной металлизацией, что предоставляет возможность получить уникальную комбинацию высокого к.п.д., большого коэффициента усиления и прекрасной линейности. Технологический процесс применим к изделиям, предназначенным к работе на всех диапазонах частот в пределах от 800 МГц до 2.2 ГГц. В дополнение к преимуществам, получаемым системами W-CDMA, высокие коэффициент передачи (17 дБ) и к.п.д., характерные для пятого поколения LDMOS-устройств фирмы Philips, делают их также пригодными для применения в высокопроизводительных высокочастотных выходных усилителях базовых станций систем GSM/EDGE и CDMA - 1 ГГц/ 2ГГц.

Фирма Philips является первой компанией, освоившей массовое производство высокочастотных силовых транзисторов с применением LDMOS-технологии 0.4-мкм совместно с первыми изделиями, предназначенными для работы в диапазонах UMTS и 2-ГГц PCS/DCS. В качестве примера - BLF5G22-100, W-CDMA-транзистор с коэффициентом усиления 17 дБ, показателем ACLR5=-39 дБ, номинальным к.п.д. 30 процентов при средней выходной мощности 26 Вт и пиковой выходной мощности свыше 160 Вт (все цифры приведены для двухканального режима работы системы W-CDMA, с интервалом 10 МГц и коэффициентом PAR= 8.5 дБ (вероятность 0.01 процента)).

Компания Philips продемонстрирует возможности своей LDMOS-технологии пятого поколения на Международном Симпозиуме по вопросам Микроволновой Техники 2004 года (International Microwave Symposium, Fort Worth, Texas, USA) 8-10 июня в секции номер 181. Первая высокочастотная силовая продукция, выполненная с применением новых разработок будет доступна к приобретению в виде образцов в 4-м квартале 2004г. Начало массового выпуска планируется на 2-й квартал 2005г.

Подробнее >>

Реклама