Touchstone Semiconductor анонсировала две новые микросхемы TS12011 и TS12012 с типовой потребляемой мощностью 0.9 мкВт, каждая из которых содержит операционный усилитель (ОУ), компаратор и источник опорного напряжения (ИОН).
Сокращенное в десять раз потребление мощности и сниженное до 0.8 В напряжение питания впервые дают возможность использовать микросхемы в постоянно включенных устройствах с питанием от одноэлементных батарей.
Обе микросхемы содержат в одном корпусе ИОН с напряжением 0.6 В, компаратор с быстродействием 20 мкс и скорректированный до единичного усиления ОУ. TS12011 имеют двухтактный выход, а TS12012 – выход с открытым стоком.
Как аналоговый компаратор, так и ОУ имеют rail-to-rail входные каскады. Для чистого, бездребезгового переключения выхода компаратор снабжен гистерезисом 7.5 мВ. Внутренний ИОН может отдать в нагрузку втекающий или вытекающий ток до 0.1 мкА.
TS12011 и TS12012 идеально подойдут для низкочастотных систем с батарейным питанием, таких, как датчики систем сигнализации, детекторы дыма, инфракрасные приемники дистанционного управления, измерительные приборы, считыватели штрих-кодов, карт-ридеры и многие другие устройства.
Функциональная схема TS12011/TS12012
Основные технические характеристики:
ОУ с наноамперным потреблением, компаратор и источник опорного напряжения 0.6 В в одном корпусе площадью 4 мм2
Ультранизкий общий ток потребления: не более 1.6 мкА
Напряжение питания от 0.8 В до 2.5 В
Внутренний источник опорного напряжения 0.6 В
Rail-to-rail входы ОУ и компаратора
Коэффициент усиления ОУ 110 дБ
ОУ скорректирован до единичного усиления
ОУ rail-to-rail выходом и гарантией отсутствия переворота фазы
Внутренний гистерезис компаратора 7.5 мВ
Время переключения компаратора 20 мкс
Компаратор с защелкой и сбросом
TS12011: двухтактный rail-to-rail выход
TS12012: выход с открытым стоком для организации проводного «ИЛИ» или для приложений со смешанным напряжением питания
Все параметры TS12011 и TS12012 нормируются для температурного диапазона от –40 °C до +85 °C. Обе микросхемы выпускаются в 10-выводном низкопрофильном корпусе TDFN площадью 2×2 мм.
TS12011 и TS12012 находятся на складе и готовы к немедленной отгрузке. При объеме заказа не менее 1000 единиц микросхемы продаются по цене $1.70 за штуку.
Инженерам, желающим протестировать новые микросхемы, предоставляются бесплатные образцы и бесплатные демонстрационные платы.
Touchstone Semiconductor анонсировала две новые микросхемы TS12011 и TS12012 с типовой потребляемой мощностью 0.9 мкВт, каждая из которых содержит операционный усилитель (ОУ), компаратор и источник опорного напряжения (ИОН).
Сокращенное в десять раз потребление мощности и сниженное до 0.8 В напряжение питания впервые дают возможность использовать микросхемы в постоянно включенных устройствах с питанием от одноэлементных батарей.
Обе микросхемы содержат в одном корпусе ИОН с напряжением 0.6 В, компаратор с быстродействием 20 мкс и скорректированный до единичного усиления ОУ. TS12011 имеют двухтактный выход, а TS12012 – выход с открытым стоком.
Как аналоговый компаратор, так и ОУ имеют rail-to-rail входные каскады. Для чистого, бездребезгового переключения выхода компаратор снабжен гистерезисом 7.5 мВ. Внутренний ИОН может отдать в нагрузку втекающий или вытекающий ток до 0.1 мкА.
TS12011 и TS12012 идеально подойдут для низкочастотных систем с батарейным питанием, таких, как датчики систем сигнализации, детекторы дыма, инфракрасные приемники дистанционного управления, измерительные приборы, считыватели штрих-кодов, карт-ридеры и многие другие устройства.
Функциональная схема TS12011/TS12012
Основные технические характеристики:
Все параметры TS12011 и TS12012 нормируются для температурного диапазона от –40 °C до +85 °C. Обе микросхемы выпускаются в 10-выводном низкопрофильном корпусе TDFN площадью 2×2 мм.
TS12011 и TS12012 находятся на складе и готовы к немедленной отгрузке. При объеме заказа не менее 1000 единиц микросхемы продаются по цене $1.70 за штуку.
Инженерам, желающим протестировать новые микросхемы, предоставляются бесплатные образцы и бесплатные демонстрационные платы.