RF Microdevices запустила в серию первые усилительные микросхемы и транзисторы, выполненные по технологии нитрида галия. RF3931, RF3826 и RFHA1000.
Эти позиции открывают на производстве RFMD целую серию полупроводниковых компонент высокой мощности нового поколения.
Основными применениями данных микросхем являются:
Основные характеристики микросхем приведены ниже:
RF3931:
RFHA1000:
RF3826:
В ближайшее время планируется запустить в серию GaN компоненты на более высокие уровни мощности.
macrogroup.ru
RF Microdevices запустила в серию первые усилительные микросхемы и транзисторы, выполненные по технологии нитрида галия. RF3931, RF3826 и RFHA1000.
Эти позиции открывают на производстве RFMD целую серию полупроводниковых компонент высокой мощности нового поколения.
Основными применениями данных микросхем являются:
Основные характеристики микросхем приведены ниже:
RF3931:
RFHA1000:
RF3826:
В ближайшее время планируется запустить в серию GaN компоненты на более высокие уровни мощности.
macrogroup.ru