На днях ученые продемонстрировали первые работающие транзисторы, способные пропустить один единственный электрон. Экспериментальные устройства, разработанные в NTT Corp. of Japan и протестированные в National Institute of Standards and Technology (NIST) могут внести существенный вклад в развитие наноэлектроники низких энергий и мощностей.
Известно, что при переходе к малым масштабам (к устройствам, размеры которых порядка нескольких нанометров), значительно увеличивается количество энергии, которое требуется затратить на перемещение одного электрона; это позволяет управлять движением электронного потока с помощью изменения напряжения, подаваемого на барьер. Команда из NIST уже сделала несколько кремниевых образцов, которые позволяют электрическими методами настраивать "высоту" барьера для электрона. Размеры устройств - порядка нескольких сотен нанометров. Устройства получили название - SET "single-electron tunneling" транзистор.
National Institute of Standards and Technology (NIST)
На днях ученые продемонстрировали первые работающие транзисторы, способные пропустить один единственный электрон. Экспериментальные устройства, разработанные в NTT Corp. of Japan и протестированные в National Institute of Standards and Technology (NIST) могут внести существенный вклад в развитие наноэлектроники низких энергий и мощностей.
Известно, что при переходе к малым масштабам (к устройствам, размеры которых порядка нескольких нанометров), значительно увеличивается количество энергии, которое требуется затратить на перемещение одного электрона; это позволяет управлять движением электронного потока с помощью изменения напряжения, подаваемого на барьер. Команда из NIST уже сделала несколько кремниевых образцов, которые позволяют электрическими методами настраивать "высоту" барьера для электрона. Размеры устройств - порядка нескольких сотен нанометров. Устройства получили название - SET "single-electron tunneling" транзистор.
National Institute of Standards and Technology (NIST)