Новое семейство мульти-битных устройств, идеальных для высокоплотного хранения кода и данных, нацелено на широкий круг применений
13 января, 2003г.- STMicroelectronics представила семейство FLASH модулей памяти, использующих мульти-битную технологию ячеек, основанное на 0,15мкм техпроцессе. Мульти-битная технология ячеек подразумевает хранение 2-х бит информации в одной ячейке, снижая площадь запоминающего массива на 50% по сравнению с однобитной технологией. Кроме этого, новые модули идеально подходят как для хранения кода, так и данных, сохраняя пространство на печатной плате.
Совмещение технологии ячеек и процесса производства новейшей FLASH памяти Nor-типа в результате позволило создать высокоплотные, высокоскоростные и надежные устройства. Новые модули идеально подходят для недорогих хранилищ данных, используемых в цифровых приставках и камерах, Web браузерах, мобильных телефонах и PDA (персональный цифровой ассистент), сетевом оборудовании, играх и жестких дисках без вращающихся частей.
ST изначально предлагает две версии 128-Mbit FLASH модулей: M58LW128A с 16-тибитной шиной данных и M58LW128B, который может быть сконфигурирован как с 16-ти, так и с 32-тибитной шиной данных. Оба устройства организованы в 128 блоков по 1Mбиту, позволяя хранить на одном устройстве, как код, так и данные, и как следствие, увеличивается производительность системы и снижается использование площади печатной платы. Каждый блок имеет свой механизм защиты, который может быть использован для защиты загрузочных данных и кода.
Эти устройства питаются от одного источника, что позволяет использовать их в переносных устройствах. Операции программирования, чтения и стирания осуществляются при использовании от 2,7В до 3,6В питающего напряжения VDD, в то время как буфер ввода/вывода питается от 1,8В до VDD( VDDQ).
Устройства могут программироваться в системе 16-тибитным словом или 8-мибитным двойным словом и могут стираться по блокам. FLASH технология обеспечивает 100 000 циклов программирования/стирания из расчета на блок и 20-тилетнее хранение данных.
Поддерживается общий FLASH интерфейс, позволяя взаимодействовать с другими модулями памяти и системами, так чтобы программное обеспечение могло обновляться, когда необходимо.
Модули поддерживают асинхронные и синхронные операции чтения. В асинхронном режиме время доступа составляет 150нс. В синхронном сверхскоростном режиме чтения устройство работает на частотах до 66МГц. Это делает их достаточно быстрыми для того, чтобы код мог выполняться непосредственно без копирования в временную память.
M58LW128A доступен в 56-ти выводном TSOP корпусе размерами 14х20мм или в 64-хвыводном TBGA размерами 10х13мм с шагом вывода 1мм. M58LW128B доступен в в 80-тивыводном TBGA размерами 10х13мм с шагом вывода 1мм.
13 января, 2003г.- STMicroelectronics представила семейство FLASH модулей памяти, использующих мульти-битную технологию ячеек, основанное на 0,15мкм техпроцессе. Мульти-битная технология ячеек подразумевает хранение 2-х бит информации в одной ячейке, снижая площадь запоминающего массива на 50% по сравнению с однобитной технологией. Кроме этого, новые модули идеально подходят как для хранения кода, так и данных, сохраняя пространство на печатной плате.
Совмещение технологии ячеек и процесса производства новейшей FLASH памяти Nor-типа в результате позволило создать высокоплотные, высокоскоростные и надежные устройства. Новые модули идеально подходят для недорогих хранилищ данных, используемых в цифровых приставках и камерах, Web браузерах, мобильных телефонах и PDA (персональный цифровой ассистент), сетевом оборудовании, играх и жестких дисках без вращающихся частей.
ST изначально предлагает две версии 128-Mbit FLASH модулей: M58LW128A с 16-тибитной шиной данных и M58LW128B, который может быть сконфигурирован как с 16-ти, так и с 32-тибитной шиной данных. Оба устройства организованы в 128 блоков по 1Mбиту, позволяя хранить на одном устройстве, как код, так и данные, и как следствие, увеличивается производительность системы и снижается использование площади печатной платы. Каждый блок имеет свой механизм защиты, который может быть использован для защиты загрузочных данных и кода.
Эти устройства питаются от одного источника, что позволяет использовать их в переносных устройствах. Операции программирования, чтения и стирания осуществляются при использовании от 2,7В до 3,6В питающего напряжения VDD, в то время как буфер ввода/вывода питается от 1,8В до VDD( VDDQ).
Устройства могут программироваться в системе 16-тибитным словом или 8-мибитным двойным словом и могут стираться по блокам. FLASH технология обеспечивает 100 000 циклов программирования/стирания из расчета на блок и 20-тилетнее хранение данных.
Поддерживается общий FLASH интерфейс, позволяя взаимодействовать с другими модулями памяти и системами, так чтобы программное обеспечение могло обновляться, когда необходимо.
Модули поддерживают асинхронные и синхронные операции чтения. В асинхронном режиме время доступа составляет 150нс. В синхронном сверхскоростном режиме чтения устройство работает на частотах до 66МГц. Это делает их достаточно быстрыми для того, чтобы код мог выполняться непосредственно без копирования в временную память.
M58LW128A доступен в 56-ти выводном TSOP корпусе размерами 14х20мм или в 64-хвыводном TBGA размерами 10х13мм с шагом вывода 1мм. M58LW128B доступен в в 80-тивыводном TBGA размерами 10х13мм с шагом вывода 1мм.