Микросхемы драйверов затвора силовых транзисторов, изготавливаемые по технологии монолитного кремния, подвержены негативному влиянию отрицательных напряжений, возникающих на опорном выводе для верхнего плеча. Технология «Кремний-на-изоляторе» (Silicon-on-insulator, SOI) является надежным решением этой проблемы.
В данной статье сравнивались три микросхемы драйверов полумостовых схем по их чувствительности к отрицательным напряжениям. Испытания были проведены как при статически приложенном напряжении, так и при импульсном воздействии, чтобы охватить различные ситуации, которые случаются на практике.
Микросхемы драйверов затвора силовых транзисторов, изготавливаемые по технологии монолитного кремния, подвержены негативному влиянию отрицательных напряжений, возникающих на опорном выводе для верхнего плеча. Технология «Кремний-на-изоляторе» (Silicon-on-insulator, SOI) является надежным решением этой проблемы.
В данной статье сравнивались три микросхемы драйверов полумостовых схем по их чувствительности к отрицательным напряжениям. Испытания были проведены как при статически приложенном напряжении, так и при импульсном воздействии, чтобы охватить различные ситуации, которые случаются на практике.
Читать статью »