Toshiba и Samsung делают прорыв в полупроводниковых технологиях
24.06.2004
Компании Toshiba и Samsung независимо друг от друга объявили о прогрессе в области полупроводниковых технологий. Исследования касаются микросхем, изготовленных по тонким технологическим процессам около 45нм. Toshiba разработала новую технологию выпуска высокопроизводительных транзисторов MOSFET, отличающихся более низким, чем у существующих аналогов уровнем энергопотребления. Эта технология рассчитана на применение в многослойных решениях на базе техпроцесса 45нм. Компания Samsung представила технологию выпуска "трехмерных" транзисторов на основе техпроцесса 50нм. Таким образом, обе компании стали одними из "пионеров" в освоении новых технологических процессов.
Подробнее >>

Реклама