Diodes Incorporated представила первые MOSFET транзисторы из нового семейства приборов в миниатюрных корпусах DFN3020. Из трех приборов, два представляют собой сдвоенные N-канальные транзисторы с предельным напряжением 20 и 30 В (ZXMN2AMC и ZXMN3AMC, соответственно), а один – комплементарную пару на напряжение 30 В (ZXMC3AMC). По сравнению с сопоставимыми по электрическим характеристикам аналогами, эти сдвоенные приборы занимают на плате площадь на 70% меньше, чем два транзистора в корпусах SOT-23.
При размерах всего 3 × 2 × 0.8 мм, транзисторы имеют площадь корпуса на 40% меньше, чем компоненты в корпусах SOT-23 или TSOP-6, и являются отличным выбором для коммутаторов нагрузки или повышающих преобразователей напряжения в портативной аппаратуре, включая планшетные компьютеры и ноутбуки. Помимо этого, комплементарные пары могут прекрасно выполнять функции полумоста в драйверах двигателей и других промышленных приложениях.
Тепловое сопротивление корпус-среда, равное 83 °C/Вт, означает, что при постоянной рассеиваемой мощности до 2.4 Вт транзисторы в корпусах DFN3020 будут холоднее, чем работающие в таких же условиях транзисторы в корпусах SOT-23, а надежность, соответственно, выше.
Diodes Incorporated представила первые MOSFET транзисторы из нового семейства приборов в миниатюрных корпусах DFN3020. Из трех приборов, два представляют собой сдвоенные N-канальные транзисторы с предельным напряжением 20 и 30 В (ZXMN2AMC и ZXMN3AMC, соответственно), а один – комплементарную пару на напряжение 30 В (ZXMC3AMC). По сравнению с сопоставимыми по электрическим характеристикам аналогами, эти сдвоенные приборы занимают на плате площадь на 70% меньше, чем два транзистора в корпусах SOT-23.
При размерах всего 3 × 2 × 0.8 мм, транзисторы имеют площадь корпуса на 40% меньше, чем компоненты в корпусах SOT-23 или TSOP-6, и являются отличным выбором для коммутаторов нагрузки или повышающих преобразователей напряжения в портативной аппаратуре, включая планшетные компьютеры и ноутбуки. Помимо этого, комплементарные пары могут прекрасно выполнять функции полумоста в драйверах двигателей и других промышленных приложениях.
Тепловое сопротивление корпус-среда, равное 83 °C/Вт, означает, что при постоянной рассеиваемой мощности до 2.4 Вт транзисторы в корпусах DFN3020 будут холоднее, чем работающие в таких же условиях транзисторы в корпусах SOT-23, а надежность, соответственно, выше.
Электрические характеристики транзисторов
Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман
На английском языке: Diodes Incorporated's DFN3020 Packaged MOSFETs Take 70% Less Space