K4S643232E-TI Datasheet

Поиск по документации на электронные компоненты


K4S643232E-TI - 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL




Название/Part No:
K4S643232E-TI

Описание/Description:
2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL

Производитель/Maker:
Samsung semiconductor (SAMSUNG)

Ссылка на datasheet:

Постоянная ссылка на эту страницу


K4S643232E-TI и другие

Компонент Описание Производитель PDF
K4S643232E-TC45
2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
Samsung semiconductor
K4S643232E-TC50
2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
Samsung semiconductor
K4S643232E-TC55
2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
Samsung semiconductor
K4S643232E-TC60
2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
Samsung semiconductor
K4S643232E-TC70
2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
Samsung semiconductor
K4S643232E-TE50
2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL(3.3V)
Samsung semiconductor
K4S643232E-TE60
2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL(3.3V)
Samsung semiconductor
K4S643232E-TE70
2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL(3.3V)
Samsung semiconductor
K4S643232E-TI
2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
Samsung semiconductor
K4S643232E-TI70
2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
Samsung semiconductor

Реклама