Компания Vishay Intertechnology представила новый мощный 30-вольтовый p-канальный MOSFET семейства TrenchFET в ультракомпактном корпусе с улучшенным теплоотводом PowerPAK SC-70. С минимальным в индустрии сопротивлением канала при напряжениях затвора 4.5 В и 2.5 В среди 30-вольтовых приборов в корпусах 2 × 2 мм, SiA453EDJ создан для снижения размеров и повышения КПД портативной электроники.
Максимальное напряжение сток-исток 30 В приборов, анонсированных Vishay Siliconix, обеспечивает необходимый запас устойчивости к импульсным перенапряжениям, а допустимое напряжение затвора 12 В обеспечивает низкое сопротивление канала при –3.7 В и –2.5 В в портативных приложениях с питанием от батарей. MOSFET оптимизирован для использования в коммутаторах нагрузки, ключах защиты входов, зарядных устройствах и DC/DC преобразователях смартфонов, планшетов, мобильных компьютеров, приводах жестких дисков и других устройств, включая электрические зубные щетки, бритвы, сканеры и считыватели RFID. SiA453EDJ имеет экстремально низкое сопротивление канала 18.5 мОм (при напряжении на затворе –10 В), 23.5 мОм (–4.5 В), 26.0 мОм (–3.7 В) и 37.7 мОм (–2.5 В) и обеспечивает встроенную защиту от электростатических разрядов до 4000 В.
Сопротивление канала SiA453EDJ при напряжении на затворе –4.5 В на 36% меньше, чем у ближайшего 30-вольтового аналога конкурентов, и на 50% ниже чем у ближайшего конкурента при –12 В на затворе. При –2.5 В на затворе сопротивление канала MOSFET на 46% лучше, чем у конкурирующих приборов с максимальным напряжением затвора 12 В. Такие рекордно низкие для отрасли величины позволят разработчикам снижать до минимума падения напряжения, что приведет к более эффективному использованию энергии и увеличению времени работы от батарей, в то время как компактный корпус PowerPAK SC-70 сэкономит пространство на печатной плате.
100% приборов проходят проверку на соответствие тестам Rg и UIS. Транзисторы, в соответствии с определением JEDEC JS709A, не содержит галогенов, и удовлетворяют требованиям директивы RoHS 2011/65/EU.
Компания Vishay Intertechnology представила новый мощный 30-вольтовый p-канальный MOSFET семейства TrenchFET в ультракомпактном корпусе с улучшенным теплоотводом PowerPAK SC-70. С минимальным в индустрии сопротивлением канала при напряжениях затвора 4.5 В и 2.5 В среди 30-вольтовых приборов в корпусах 2 × 2 мм, SiA453EDJ создан для снижения размеров и повышения КПД портативной электроники.
Максимальное напряжение сток-исток 30 В приборов, анонсированных Vishay Siliconix, обеспечивает необходимый запас устойчивости к импульсным перенапряжениям, а допустимое напряжение затвора 12 В обеспечивает низкое сопротивление канала при –3.7 В и –2.5 В в портативных приложениях с питанием от батарей. MOSFET оптимизирован для использования в коммутаторах нагрузки, ключах защиты входов, зарядных устройствах и DC/DC преобразователях смартфонов, планшетов, мобильных компьютеров, приводах жестких дисков и других устройств, включая электрические зубные щетки, бритвы, сканеры и считыватели RFID. SiA453EDJ имеет экстремально низкое сопротивление канала 18.5 мОм (при напряжении на затворе –10 В), 23.5 мОм (–4.5 В), 26.0 мОм (–3.7 В) и 37.7 мОм (–2.5 В) и обеспечивает встроенную защиту от электростатических разрядов до 4000 В.
Сопротивление канала SiA453EDJ при напряжении на затворе –4.5 В на 36% меньше, чем у ближайшего 30-вольтового аналога конкурентов, и на 50% ниже чем у ближайшего конкурента при –12 В на затворе. При –2.5 В на затворе сопротивление канала MOSFET на 46% лучше, чем у конкурирующих приборов с максимальным напряжением затвора 12 В. Такие рекордно низкие для отрасли величины позволят разработчикам снижать до минимума падения напряжения, что приведет к более эффективному использованию энергии и увеличению времени работы от батарей, в то время как компактный корпус PowerPAK SC-70 сэкономит пространство на печатной плате.
100% приборов проходят проверку на соответствие тестам Rg и UIS. Транзисторы, в соответствии с определением JEDEC JS709A, не содержит галогенов, и удовлетворяют требованиям директивы RoHS 2011/65/EU.