40 В MOSFET семейства OptiMOS 5 с нормальным уровнем сигнала на затворе
Компания Infineon представила 40-вольтные MOSFET семейства OptiMOS 5. Данные транзисторы относятся к категории Normal Level MOSFET и имеют повышенное значение порогового напряжения (по сравнению с другими низковольтными MOSFET), что обеспечивает защиту от ложного срабатывания при работе в средах с высоким уровнем шума. Низкий уровень соотношения QGS/QGD транзисторов позволяет уменьшить максимальное значение скачков напряжения на затворе, что способствует еще большему росту устойчивости транзистора к нежелательной коммутации.
MOSFET выпускаются в компактном корпусе SuperSO8 5×6, имеют широкий диапазон рабочих температур (-55…175°C) и прекрасно подходят для применения в приложениях с батарейным питанием, низковольтных приводах, электроинструментах и во многих других решениях.
40 В MOSFET семейства OptiMOS 5 с нормальным уровнем сигнала на затворе
Компания Infineon представила 40-вольтные MOSFET семейства OptiMOS 5. Данные транзисторы относятся к категории Normal Level MOSFET и имеют повышенное значение порогового напряжения (по сравнению с другими низковольтными MOSFET), что обеспечивает защиту от ложного срабатывания при работе в средах с высоким уровнем шума. Низкий уровень соотношения QGS/QGD транзисторов позволяет уменьшить максимальное значение скачков напряжения на затворе, что способствует еще большему росту устойчивости транзистора к нежелательной коммутации.
MOSFET выпускаются в компактном корпусе SuperSO8 5×6, имеют широкий диапазон рабочих температур (-55…175°C) и прекрасно подходят для применения в приложениях с батарейным питанием, низковольтных приводах, электроинструментах и во многих других решениях.
Подробнее »