Резистивная память CBRAM может радикально снизить потребление энергии, став новым стандартам эры Интернета вещей
Компания Adesto Technologies, ведущий разработчик и лидер рынка самых малопотребляющих решений в области энергонезависимой памяти с последовательными интерфейсами, совершила радикальный прорыв в технологии ультрамаломощных запоминающих устройств. В новейшем семействе устройств с напряжением питания 1.2 В, получившем обозначение RM25UL, реализована запатентованная Adesto технология CBRAM (Conductive Bridging RAM – память с проводящим мостом). Легко адаптируемая, CBRAM может использоваться в качестве основной памяти для широкого спектра приложений. CBRAM потребляют энергии в 100 раз меньше, чем лучшие образцы современной памяти, не уступая им в характеристиках и уровнях надежности.
Сочетание малого тока потребления со сверхнизкими токами считывания и записи идеально подходит для использования новой памяти в таких приложениях, как Интернет вещей, Bluetooth LE, DECT ULE, Wi-Fi Direct, и еще во множестве изделий, поддерживающих протоколы для подключаемых устройств с низким потреблением энергии. В сравнении с существующими решениями в области запоминающих устройств, новые 1.2-вольтовые приборы CBRAM позволяют на 35% снизить требования к напряжению питания, что дает основания определить эти ультрамаломощные микросхемы памяти как совершенно новую категорию продуктов.
«Потребовались значительные усилия и привлечение всего нашего опыта, чтобы вывести на рынок революционную технологию CBRAM, – сказал Нарбех Дерхэкобиэн (Narbeh Derhacobian), генеральный директор Adesto. – На разработку CBRAM ушло более семи лет. С этой линейкой новых продуктов мы демонстрируем их поистине революционные свойства, в особенности, способность работать при беспрецедентно низком напряжении и экстремально малом расходе энергии. Наши клиенты очень ждут память, которая сможет дополнить их чипсеты с напряжением питания 1.2 В. Подобные характеристики недостижимы для других технологий. Своими CBRAM мы открываем мир новых возможностей для электроники с низким потреблением энергии».
В июне 2014 года Adesto продала миллионный чип CBRAM, доказав свою готовность к выходу на широкий рынок.
С приходом эры Интернета вещей и перспективы лавинообразного роста числа подключаемых устройств, собирающих данные практически из любых источников – от стиральных машин до агропромышленных комплексов – появляется новая парадигма для электронных компонентов. В прошлом производство чипов памяти сфокусировалось на менее дорогих приборах большей емкости. В будущем микросхемы должны будут отвечать совершенно новому набору требований, главным из которых станет малое потребление энергии.
Одновременно Adesto представила серию CBRAM RM25D с диапазоном напряжений питания от 1.65 В до 3.6 В, предназначенную для носимых, мобильных и иных приложений, требующих экономии энергии. Два новых семейства CBRAM емкостью до 2 Мбит будут подготовлены к опытному производству в первой половине 2015 года, с последующим переходом на массовый выпуск в том же 2015 году.
Резистивная память CBRAM может радикально снизить потребление энергии, став новым стандартам эры Интернета вещей
Компания Adesto Technologies, ведущий разработчик и лидер рынка самых малопотребляющих решений в области энергонезависимой памяти с последовательными интерфейсами, совершила радикальный прорыв в технологии ультрамаломощных запоминающих устройств. В новейшем семействе устройств с напряжением питания 1.2 В, получившем обозначение RM25UL, реализована запатентованная Adesto технология CBRAM (Conductive Bridging RAM – память с проводящим мостом). Легко адаптируемая, CBRAM может использоваться в качестве основной памяти для широкого спектра приложений. CBRAM потребляют энергии в 100 раз меньше, чем лучшие образцы современной памяти, не уступая им в характеристиках и уровнях надежности.
Сочетание малого тока потребления со сверхнизкими токами считывания и записи идеально подходит для использования новой памяти в таких приложениях, как Интернет вещей, Bluetooth LE, DECT ULE, Wi-Fi Direct, и еще во множестве изделий, поддерживающих протоколы для подключаемых устройств с низким потреблением энергии. В сравнении с существующими решениями в области запоминающих устройств, новые 1.2-вольтовые приборы CBRAM позволяют на 35% снизить требования к напряжению питания, что дает основания определить эти ультрамаломощные микросхемы памяти как совершенно новую категорию продуктов.
«Потребовались значительные усилия и привлечение всего нашего опыта, чтобы вывести на рынок революционную технологию CBRAM, – сказал Нарбех Дерхэкобиэн (Narbeh Derhacobian), генеральный директор Adesto. – На разработку CBRAM ушло более семи лет. С этой линейкой новых продуктов мы демонстрируем их поистине революционные свойства, в особенности, способность работать при беспрецедентно низком напряжении и экстремально малом расходе энергии. Наши клиенты очень ждут память, которая сможет дополнить их чипсеты с напряжением питания 1.2 В. Подобные характеристики недостижимы для других технологий. Своими CBRAM мы открываем мир новых возможностей для электроники с низким потреблением энергии».
В июне 2014 года Adesto продала миллионный чип CBRAM, доказав свою готовность к выходу на широкий рынок.
С приходом эры Интернета вещей и перспективы лавинообразного роста числа подключаемых устройств, собирающих данные практически из любых источников – от стиральных машин до агропромышленных комплексов – появляется новая парадигма для электронных компонентов. В прошлом производство чипов памяти сфокусировалось на менее дорогих приборах большей емкости. В будущем микросхемы должны будут отвечать совершенно новому набору требований, главным из которых станет малое потребление энергии.
Одновременно Adesto представила серию CBRAM RM25D с диапазоном напряжений питания от 1.65 В до 3.6 В, предназначенную для носимых, мобильных и иных приложений, требующих экономии энергии. Два новых семейства CBRAM емкостью до 2 Мбит будут подготовлены к опытному производству в первой половине 2015 года, с последующим переходом на массовый выпуск в том же 2015 году.