Компания Alpha and Omega Semiconductor (AOS) анонсировала первый прибор, изготовленный на новой технологической платформе αMOS5 – высоковольтный MOSFET AOTF190A60L. Транзистор AOTF190A60L оптимизирован для источников питания серверов, высокопроизводительных компьютеров, зарядных станций и других высоковольтных приложений. По сравнению с приборами предыдущих поколений, технология αMOS5 уменьшает произведение сопротивления открытого канала на ток стока, приведенное к единице площади устройства, примерно на 30%, что позволяет создавать приложения с меньшими потерями проводимости. Новая технология позволяет также удовлетворить перспективные потребности в высоковольтных продуктах, отвечающих тенденции рынка к повышению плотности мощности и переходу к новым, более миниатюрным и эффективным корпусам.
Кроме того, по сравнению с большинством конкурирующих продуктов, αMOS5 значительно улучшает импульсные характеристики за счет снижения общего заряда затвора, вследствие чего уменьшаются потери переключения. Новый прибор с максимальным значением сопротивления открытого канала 190 мОм выпускается в пластиковом корпусе TO-220F.
Технология αMOS5 разрабатывалась таким образом, чтобы путем оптимизации поведения паразитных параметров минимизировать уровень электромагнитных излучений. Эта цель была достигнута благодаря подавлению тока обратного восстановления и более гладкой кривой нарастания напряжения при выключении устройства.
«Импульсные источники питания – это энергетическое сердце современного высокотехнологичного оборудования. Потребность в повышении эффективности преобразования энергии обусловлена огромным количеством электроэнергии, потребляемой источниками питания по всему миру. Высокоэффективные топологии преобразователей энергии, такие как LLC, стали стандартным решением для большинства AC/DC преобразователей, используемых в серверах дата-центров и телекоммуникационной инфраструктуре. Характеристики MOSFET имеют ключевое значение для достижения высокого КПД преобразователей энергии. Мы рады анонсировать выпуск прибора AOTF190A60L, основанного на нашей новейшей технологической платформе высоковольтных MOSFET – αMOS5. Новая технология нацелена на высокоэффективные решения, как для корректоров коэффициента мощности, так и для резонансных LLC преобразователей», – сказал Симон Лу (Simon Lu), директор по маркетингу высоковольтных MOSFET компании AOS.
Цены и доступность
AOTF190A60L поставляются со склада компании через 12-14 недель после получения заказа. Цена одного транзистора в партии из 1000 приборов составляет $2.24.
Компания Alpha and Omega Semiconductor (AOS) анонсировала первый прибор, изготовленный на новой технологической платформе αMOS5 – высоковольтный MOSFET AOTF190A60L. Транзистор AOTF190A60L оптимизирован для источников питания серверов, высокопроизводительных компьютеров, зарядных станций и других высоковольтных приложений. По сравнению с приборами предыдущих поколений, технология αMOS5 уменьшает произведение сопротивления открытого канала на ток стока, приведенное к единице площади устройства, примерно на 30%, что позволяет создавать приложения с меньшими потерями проводимости. Новая технология позволяет также удовлетворить перспективные потребности в высоковольтных продуктах, отвечающих тенденции рынка к повышению плотности мощности и переходу к новым, более миниатюрным и эффективным корпусам.
Кроме того, по сравнению с большинством конкурирующих продуктов, αMOS5 значительно улучшает импульсные характеристики за счет снижения общего заряда затвора, вследствие чего уменьшаются потери переключения. Новый прибор с максимальным значением сопротивления открытого канала 190 мОм выпускается в пластиковом корпусе TO-220F.
Технология αMOS5 разрабатывалась таким образом, чтобы путем оптимизации поведения паразитных параметров минимизировать уровень электромагнитных излучений. Эта цель была достигнута благодаря подавлению тока обратного восстановления и более гладкой кривой нарастания напряжения при выключении устройства.
«Импульсные источники питания – это энергетическое сердце современного высокотехнологичного оборудования. Потребность в повышении эффективности преобразования энергии обусловлена огромным количеством электроэнергии, потребляемой источниками питания по всему миру. Высокоэффективные топологии преобразователей энергии, такие как LLC, стали стандартным решением для большинства AC/DC преобразователей, используемых в серверах дата-центров и телекоммуникационной инфраструктуре. Характеристики MOSFET имеют ключевое значение для достижения высокого КПД преобразователей энергии. Мы рады анонсировать выпуск прибора AOTF190A60L, основанного на нашей новейшей технологической платформе высоковольтных MOSFET – αMOS5. Новая технология нацелена на высокоэффективные решения, как для корректоров коэффициента мощности, так и для резонансных LLC преобразователей», – сказал Симон Лу (Simon Lu), директор по маркетингу высоковольтных MOSFET компании AOS.
Цены и доступность
AOTF190A60L поставляются со склада компании через 12-14 недель после получения заказа. Цена одного транзистора в партии из 1000 приборов составляет $2.24.