Alpha and Omega Semiconductor объявила о выпуске сдвоенного n-канального 12-вольтового MOSFET с объединенными стоками, сопротивление между которыми в открытом состоянии имеет рекордно низкое значение 2.15 мОм при напряжении затворов 4.5 В. В новом транзисторе AOC3860 еще больше улучшено сопротивление между истоками – исключительно важный параметр, позволяющий производителям смартфонов заряжать аккумуляторы быстрее за счет увеличения зарядного тока.
Необходимость в ускоренном заряде связана как с увеличением емкости аккумуляторов, так и с более интенсивным использованием смартфонов, работающих с данными начиная от электронной почты и веб-страниц до потокового видео. Из-за большей нагрузки и сокращения периодов ожидания время заряда становится важнейшей характеристикой новых смартфонов. Рынку требуется увеличение мощности зарядных устройств с традиционных 5 Вт до 15-25 Вт за счет роста либо выходного напряжения, либо выходного тока. Для аккумуляторных батарей это всегда означает увеличение тока заряда. Критически важной частью схемы зарядного устройства аккумулятора является MOSFET, который должен обеспечить надежную защиту при минимуме потерь мощности и минимальном перегреве. AOC3860 пополнил семейство AlphaDFN хорошо зарекомендовавших себя устройств защиты аккумуляторов, заняв в нем место самого компактного прибора с наименьшим сопротивлением между истоками (RSS). Типовое значение RSS составляет 2.15 мОм при затвора 4.5 В и 2.25 мОм при 3.8 В. Размер чипа уменьшен до 3.05 × 1.77 мм.
Основные характеристики устройства
Прибор
VSS
(В)
VGS
(В)
RSS(ON) макс.
(мОм)
при VGS (В)
RSS(ON) тип.
(мОм)
при VGS (В)
4.5
3.8
4.5
3.8
AOC3860
12
8
2.7
2.85
2.15
2.25
Цена и доступность
AOC3860 доступны для приобретения в промышленных объемах со сроком поставки 12-14 недель. Цена одного прибора составляет $0.60 в партии из 1000 штук.
Alpha and Omega Semiconductor объявила о выпуске сдвоенного n-канального 12-вольтового MOSFET с объединенными стоками, сопротивление между которыми в открытом состоянии имеет рекордно низкое значение 2.15 мОм при напряжении затворов 4.5 В. В новом транзисторе AOC3860 еще больше улучшено сопротивление между истоками – исключительно важный параметр, позволяющий производителям смартфонов заряжать аккумуляторы быстрее за счет увеличения зарядного тока.
Необходимость в ускоренном заряде связана как с увеличением емкости аккумуляторов, так и с более интенсивным использованием смартфонов, работающих с данными начиная от электронной почты и веб-страниц до потокового видео. Из-за большей нагрузки и сокращения периодов ожидания время заряда становится важнейшей характеристикой новых смартфонов. Рынку требуется увеличение мощности зарядных устройств с традиционных 5 Вт до 15-25 Вт за счет роста либо выходного напряжения, либо выходного тока. Для аккумуляторных батарей это всегда означает увеличение тока заряда. Критически важной частью схемы зарядного устройства аккумулятора является MOSFET, который должен обеспечить надежную защиту при минимуме потерь мощности и минимальном перегреве. AOC3860 пополнил семейство AlphaDFN хорошо зарекомендовавших себя устройств защиты аккумуляторов, заняв в нем место самого компактного прибора с наименьшим сопротивлением между истоками (RSS). Типовое значение RSS составляет 2.15 мОм при затвора 4.5 В и 2.25 мОм при 3.8 В. Размер чипа уменьшен до 3.05 × 1.77 мм.
Основные характеристики устройства
(В)
(В)
(мОм)
при VGS (В)
(мОм)
при VGS (В)
Цена и доступность
AOC3860 доступны для приобретения в промышленных объемах со сроком поставки 12-14 недель. Цена одного прибора составляет $0.60 в партии из 1000 штук.