АО «НИИЭТ» (в составе АО «Концерн «Созвездие») разработало новые мощные СВЧ GaN транзисторы ПП9139Б1. Основной сферой их применения является радиопередающая аппаратура. Транзисторы ориентированы на создание и модернизацию перспективных образцов существующих автоматизированных систем радиосвязи, навигации и управления воздушным движением, широкополосной передачи данных, радиолокационной аппаратуры, беспилотных летательных аппаратов и бортовых комплексов связи.
Изделия выполнены по технологии НЕМТ (High Electron Mobility Transistor) и обладают выходной мощностью 100 Вт в непрерывном режиме при напряжении питания 28 В. Предназначены для работы на частотах до 3 ГГц. Транзисторы обладают высокой плотностью мощности, высоким уровнем КПД и надежности. Благодаря своим конструктивным и технологическим особенностям могут применятся в условиях повышенной радиации, например, в космосе. Также применение ПП9139Б1 позволит существенно уменьшить габариты и вес усилительных модулей и аппаратуры в целом.
В перспективе АО «НИИЭТ» планирует переход от мелкосерийного выпуска к полноценному производству, при условии соответствующей заинтересованности предприятий-потребителей. Приборы доступны для тестирования.
По словам начальника отдела маркетинга и сбыта Сергея Смешнова: «В настоящее время GaN-транзисторы являются одними из самых перспективных изделий, для изделий радиопередающей аппаратуры. Мы уверены, что новая разработка, выполненная на современном технологическом уровне и сравнимая с зарубежными аналогами, будет пользоваться большим спросом у наших потребителей».
АО «НИИЭТ» (в составе АО «Концерн «Созвездие») разработало новые мощные СВЧ GaN транзисторы ПП9139Б1. Основной сферой их применения является радиопередающая аппаратура. Транзисторы ориентированы на создание и модернизацию перспективных образцов существующих автоматизированных систем радиосвязи, навигации и управления воздушным движением, широкополосной передачи данных, радиолокационной аппаратуры, беспилотных летательных аппаратов и бортовых комплексов связи.
Изделия выполнены по технологии НЕМТ (High Electron Mobility Transistor) и обладают выходной мощностью 100 Вт в непрерывном режиме при напряжении питания 28 В. Предназначены для работы на частотах до 3 ГГц. Транзисторы обладают высокой плотностью мощности, высоким уровнем КПД и надежности. Благодаря своим конструктивным и технологическим особенностям могут применятся в условиях повышенной радиации, например, в космосе. Также применение ПП9139Б1 позволит существенно уменьшить габариты и вес усилительных модулей и аппаратуры в целом.
В перспективе АО «НИИЭТ» планирует переход от мелкосерийного выпуска к полноценному производству, при условии соответствующей заинтересованности предприятий-потребителей. Приборы доступны для тестирования.
По словам начальника отдела маркетинга и сбыта Сергея Смешнова: «В настоящее время GaN-транзисторы являются одними из самых перспективных изделий, для изделий радиопередающей аппаратуры. Мы уверены, что новая разработка, выполненная на современном технологическом уровне и сравнимая с зарубежными аналогами, будет пользоваться большим спросом у наших потребителей».
niiet.ru