Infineon Technologies начала производство новых микросхем 2EDN7524, расширивших семейство силовых приборов EiceDRIVER и предназначенных для построения корректоров коэффициента мощности, LLC преобразователей и каскадов синхронного выпрямления в импульсных источниках питания. Этими новейшими приборами Infineon подтвердила свой опыт и лидирующие позиции на рынке, впервые предложив специализированные драйверы MOSFET. Новые усовершенствованные микросхемы 2EDN семейства EiceDRIVER являются важнейшими элементами, связывающими управляющие микросхемы с MOSFET, такими, например, как CoolMOS C7, а также с переключающими устройствами на основе GaN. Драйверы 2EDN позволят повысить плотность мощности и поднять уровни системной эффективности и надежности.
Микросхемы 2EDN семейства EiceDRIVER поставляются в стандартных для отрасли 8-выводных корпусах и содержат два независимых, неизолированных драйвера нижнего плеча, каждый из которых может принимать пиковый втекающий ток до 5 А. Типовые времена нарастания и спада выходного напряжения в обоих каналах равны всего 5 нс, а несогласованность этих времен не превышает 1 нс, что делает возможным использование микросхемы для синхронного включения двух ключей при необходимости увеличения коммутируемого тока. Несмотря на большие допустимые токи, выходные каналы имеют очень низкое сопротивление в открытом состоянии, позволяющее свести к минимуму потери мощности в микросхемах драйверов даже при очень маленьком сопротивлении резистора в цепи затвора внешнего транзистора, или вообще при отсутствии резистора. Исключительная устойчивость к отрицательным броскам напряжения обеспечивается способностью выводов управления и разрешения без повреждения выдерживать напряжения постоянного тока до –10 В.
Доступность
Уже началось массовое производство драйверов MOSFET 2EDN7524 в корпусах DSO с цепью блокировки при пониженном входном напряжении, настроенной на порог 4 В. Выпуск вариантов с порогом 8 В и версий в корпусах TSSOP с порогами 4 В и 8 В начнется в январе 2016 года. Приборы в корпусах WSON с порогами блокировки 4 В и 8 В появятся в первом квартале 2016 г.
Infineon Technologies начала производство новых микросхем 2EDN7524, расширивших семейство силовых приборов EiceDRIVER и предназначенных для построения корректоров коэффициента мощности, LLC преобразователей и каскадов синхронного выпрямления в импульсных источниках питания. Этими новейшими приборами Infineon подтвердила свой опыт и лидирующие позиции на рынке, впервые предложив специализированные драйверы MOSFET. Новые усовершенствованные микросхемы 2EDN семейства EiceDRIVER являются важнейшими элементами, связывающими управляющие микросхемы с MOSFET, такими, например, как CoolMOS C7, а также с переключающими устройствами на основе GaN. Драйверы 2EDN позволят повысить плотность мощности и поднять уровни системной эффективности и надежности.
Микросхемы 2EDN семейства EiceDRIVER поставляются в стандартных для отрасли 8-выводных корпусах и содержат два независимых, неизолированных драйвера нижнего плеча, каждый из которых может принимать пиковый втекающий ток до 5 А. Типовые времена нарастания и спада выходного напряжения в обоих каналах равны всего 5 нс, а несогласованность этих времен не превышает 1 нс, что делает возможным использование микросхемы для синхронного включения двух ключей при необходимости увеличения коммутируемого тока. Несмотря на большие допустимые токи, выходные каналы имеют очень низкое сопротивление в открытом состоянии, позволяющее свести к минимуму потери мощности в микросхемах драйверов даже при очень маленьком сопротивлении резистора в цепи затвора внешнего транзистора, или вообще при отсутствии резистора. Исключительная устойчивость к отрицательным броскам напряжения обеспечивается способностью выводов управления и разрешения без повреждения выдерживать напряжения постоянного тока до –10 В.
Доступность
Уже началось массовое производство драйверов MOSFET 2EDN7524 в корпусах DSO с цепью блокировки при пониженном входном напряжении, настроенной на порог 4 В. Выпуск вариантов с порогом 8 В и версий в корпусах TSSOP с порогами 4 В и 8 В начнется в январе 2016 года. Приборы в корпусах WSON с порогами блокировки 4 В и 8 В появятся в первом квартале 2016 г.