Everspin Technologies начала отгрузку основным потребителям пробных партий новых микросхем магниторезистивной оперативной памяти с переносом спинового момента (ST-MRAM) емкостью 1 Гбит. Этот революционный продукт предназначен для создания энергонезависимых систем хранения с интерфейсом DDR4. Он позволит производителям повысить надежность и эффективность своих запоминающих устройств и систем, обеспечивая защиту от сбоев питания без использования суперконденсаторов или аккумуляторов. Разработчики корпоративных твердотельных накопителей смогут воспользоваться всеми преимуществами быстрой энергонезависимой памяти, отказоустойчивой по своей сути, сократить избыточность записываемых данных и количество недоступных пользователю ячеек, обойдя общие ограничения, типичные для твердотельных накопителей на основе NAND флэш.
Новейшие ST-MRAM в четыре раза превосходят по емкости 256-мегабитные приборы DDR3 ST-MRAM, предлагаемые Everspin в настоящее время, и будут использованы в ускорителях скорости работы накопителей, выпускаемых Everspin под маркой nvNITRO.
Акселератор nvNITRO компании Everspin.
Гигабитные КМОП MRAM изготавливаются на пластинах 300 мм с использованием техпроцесса 28 нм в партнерстве с компанией GlobalFoundries на основе запатентованной Everspin технологии запоминающих устройств с перпендикулярным магнитным туннельным переходом (perpendicular magnetic tunnel junction – pMTJ). Быстрое появление приборов емкостью 1 Гбит является прямым результатом высокой степени масштабируемости технологии pMTJ, позволившей в кооперации с GlobalFoundries менее чем за год перейти от проектных норм 40 нм к 28 нм.
Everspin Technologies начала отгрузку основным потребителям пробных партий новых микросхем магниторезистивной оперативной памяти с переносом спинового момента (ST-MRAM) емкостью 1 Гбит. Этот революционный продукт предназначен для создания энергонезависимых систем хранения с интерфейсом DDR4. Он позволит производителям повысить надежность и эффективность своих запоминающих устройств и систем, обеспечивая защиту от сбоев питания без использования суперконденсаторов или аккумуляторов. Разработчики корпоративных твердотельных накопителей смогут воспользоваться всеми преимуществами быстрой энергонезависимой памяти, отказоустойчивой по своей сути, сократить избыточность записываемых данных и количество недоступных пользователю ячеек, обойдя общие ограничения, типичные для твердотельных накопителей на основе NAND флэш.
Новейшие ST-MRAM в четыре раза превосходят по емкости 256-мегабитные приборы DDR3 ST-MRAM, предлагаемые Everspin в настоящее время, и будут использованы в ускорителях скорости работы накопителей, выпускаемых Everspin под маркой nvNITRO.
Гигабитные КМОП MRAM изготавливаются на пластинах 300 мм с использованием техпроцесса 28 нм в партнерстве с компанией GlobalFoundries на основе запатентованной Everspin технологии запоминающих устройств с перпендикулярным магнитным туннельным переходом (perpendicular magnetic tunnel junction – pMTJ). Быстрое появление приборов емкостью 1 Гбит является прямым результатом высокой степени масштабируемости технологии pMTJ, позволившей в кооперации с GlobalFoundries менее чем за год перейти от проектных норм 40 нм к 28 нм.