Компания Fairchild Semiconductor анонсировала N-канальные MOSFET-транзисторы, выполненные в компактном корпусе MicroFET MLP (2 * 2 * 0.8 мм). Новая линейка представлена одинарным (FDMA410NZ) и сдвоенным (FDMA1024NZ) вариантами. Сверхнизкое сопротивление открытого канала (23 мОм для FDMA410NZ и 54 мОм для FDMA1024NZ) и, как следствие, малая рассеиваемая мощность, позволяют использовать данные компоненты для экономичных мобильных устройств, питающихся от батарей. Транзисторы выполнены по технологии PowerTrench MOSFET, благодаря чему имеют низкое значение заряда затвора QG (10 нКл для FDMA410NZ и 5.2 нКл для FDMA1024NZ) и высокое быстродействие.

Технические характеристики:

FDMA410NZ

• максимальное напряжение сток-исток - 20 В;
• максимальное напряжение сток-затвор - 8 В;
• максимальное ток - 9.5;
• температурный диапазон - от -55 oC до +150 oC.

FDMA1024NZ

• максимальное напряжение сток-исток - 20 В;
• максимальное напряжение сток-затвор - 8 В;
• максимальное ток - 5 А;
• температурный диапазон - от -55 oC до +150 oC.

Применение:

• мобильные устройства, питающиеся от батарей.