Новые микросхемы Fairchild Semiconductors FDB2614 (200 В) и FDB2710 (250 В) - это n-канальные MOSFET-транзисторы, специально разработанные для достижения лучших показателей эффективности при наиболее оптимальном размещении на плате. Данные транзисторы широко применяются в плазменных панелях (PDP). Использование запатентованной технологии PowerTrech позволило получить наименьшее сопротивление RDS(on) в открытом состоянии по сравнению с аналогичными продуктами: FBD2614: 22.9 мОм, FBD2710: 36.3 мОм. Комбинация низкого сопротивления с низким зарядом затвора приводит к малым потерям и соответственно хорошим показателям надежности, что обеспечивает отличные характеристики переключения в РDP приложениях. Кроме того, низкое сопротивление и малый размер кристалла при 200/250 вольтах максимального напряжения позволяет производить устройства в ультра компактном D2PAK корпусе. Дополнительное преимущество PowerTrech. MOSFET заключается в их способности повысить надежность системы за счет устойчивости к высоким скоростям нарастания напряжения (dv/dt) и тока (di/dt) при переходных процессах.
Основные характеристики и преимущества:
Наименьшее сопротивление RDS(on) и низкий заряд затвора позволяют достичь лучших показателей надежности в данном классе устройств;
D 2PAK корпус (ТО-263) значительно увеличивает полезное пространство на плате по сравнению со стандартными ТО-3Р планарными MOSFET - транзисторами;
Устойчивость к быстрым изменениям тока и напряжения значительно увеличивает показатель надежности.
Новые микросхемы Fairchild Semiconductors FDB2614 (200 В) и FDB2710 (250 В) - это n-канальные MOSFET-транзисторы, специально разработанные для достижения лучших показателей эффективности при наиболее оптимальном размещении на плате. Данные транзисторы широко применяются в плазменных панелях (PDP). Использование запатентованной технологии PowerTrech позволило получить наименьшее сопротивление RDS(on) в открытом состоянии по сравнению с аналогичными продуктами: FBD2614: 22.9 мОм, FBD2710: 36.3 мОм. Комбинация низкого сопротивления с низким зарядом затвора приводит к малым потерям и соответственно хорошим показателям надежности, что обеспечивает отличные характеристики переключения в РDP приложениях. Кроме того, низкое сопротивление и малый размер кристалла при 200/250 вольтах максимального напряжения позволяет производить устройства в ультра компактном D2PAK корпусе. Дополнительное преимущество PowerTrech. MOSFET заключается в их способности повысить надежность системы за счет устойчивости к высоким скоростям нарастания напряжения (dv/dt) и тока (di/dt) при переходных процессах.
Основные характеристики и преимущества:
ПЭК