Fairchild Semiconductor представляет MOSFET транзистор FDZ197PZ с низким сопротивлением канала
02.08.2009

Компания Fairchild представляет FDZ197PZ. Это Р-канальный полевой транзистор с изолированным затвором, изготовленный по технологии Power Trench. Транзистор выполнен в корпусе WL-CSP с размерами 1 мм × 1.5 мм, который кроме того обеспечивает лучший тепловой режим, по сравнению с обычными пластмассовыми корпусами. Сопротивление открытого канала составляет всего 64 мОм при напряжении затвор-исток –4.5 В, что обеспечивает транзистору дополнительные преимущества перед конкурентами.

FDZ197PZ

Технические характеристики:

  • Сопротивление открытого канала 64 мОма;
  • Ток стока . 3.8А;
  • Напряжение сток-исток –20 В;
  • Корпус WL-CSP 1 мм × 1.5 мм.

Применение:

  • Телефоны;
  • Ноутбуки;
  • Медицинское оборудование;
  • Другие портативные устройства.
Подробнее >>

Реклама