Компания Fairchild Semiconductor выпускает новую серию MOSFET транзисторов, изготовленных по PowerTrench технологическому процессу. Транзисторы имеют минимальную емкость Миллера благодаря чему уменьшаются потери на переключениях и улучшается управление. Минимальное сопротивление в открытом состоянии и емкость затвора позволяют существенно понизить потребляемую мощность и потери на электропроводность. Линейка MOSFET транзисторов FDS8870, FDD8870, FDU8870, FDP8870 и FDB8870 предлагается в пяти вариантах корпусного исполнения: SO8, TO220, D2PAK, IPAK и DPAK.

Технические характеристики

FDS8870

• R_канала= 4.2 мОм, V = 10 V, I = 18 A
• R_канала = 4.9 мОм, V = 4.5 V, I = 17 A

FDD8870 / FDU8870

• R_канала = 3.9 мОм, V = 10 V, I = 35 A
• R_канала = 4.4 мОм, V = 4.5 V, I = 35 A

FDP8870

• R_канала = 4.1 мОм, V = 10 V, I = 35 A
• R_канала = 4.6 мОм, V= 4.5 V, I = 35 A

FDB8870

• R_канала = 3.9 мОм, V = 10 V, I = 35 A
• R_канала = 4.4 мОм, V = 4.5 V, I = 35 A

Применение - DCDC конверторы.