Компания Fairchild Semiconductor представила разработчикам портативных устройств сдвоенный P-канальный MOSFET-транзистор с сопротивлением открытого канала 60 мОм, что является лучшим в отрасли параметром для P-канальных транзисторов. FDMA6023PZT выполнен в миниатюрном низкопрофильном MicroFET MLP корпусе (2*2*0.55 мм), полностью отвечающем требованиям разработчиков компактных мобильных устройств. Запатентованная технология PowerTrench MOSFET позволяет добиться низкого значения заряда затвора QG, что обеспечивает высокое быстродействие транзистора в ключевом режиме. Для защиты от превышения напряжения на затворе в цепи затвор-исток установлены TVS-диоды (полупроводниковые ограничители напряжения).
Технические характеристики:
максимальное напряжение сток-исток - 20 В;
максимальное напряжение сток-затвор - 8 В;
максимальное ток стока - 3.6 А;
сопротивление сток-исток (в открытом состоянии) - 60 мОм;
Компания Fairchild Semiconductor представила разработчикам портативных устройств сдвоенный P-канальный MOSFET-транзистор с сопротивлением открытого канала 60 мОм, что является лучшим в отрасли параметром для P-канальных транзисторов. FDMA6023PZT выполнен в миниатюрном низкопрофильном MicroFET MLP корпусе (2*2*0.55 мм), полностью отвечающем требованиям разработчиков компактных мобильных устройств. Запатентованная технология PowerTrench MOSFET позволяет добиться низкого значения заряда затвора QG, что обеспечивает высокое быстродействие транзистора в ключевом режиме. Для защиты от превышения напряжения на затворе в цепи затвор-исток установлены TVS-диоды (полупроводниковые ограничители напряжения).
Технические характеристики:
Применение:
ПЭК