Оптимальное решение для исключения батарей резервного питания ОЗУ из промышленного оборудования

Fujitsu Semiconductor объявила о завершении разработки и начале серийного производства 8-мегабитного сегнетоэлектрического ОЗУ (FRAM) MB85R8M2T – микросхемы с наибольшим объемом памяти в семействе энергонезависимых устройств Fujitsu.

Устройство, работающее в широком диапазоне питающих напряжений от 1.8 В до 3.6 В, оснащено параллельным интерфейсом, совместимым со статическими ОЗУ. MB85R8M2T является наиболее подходящим запоминающим устройством для разработчиков промышленной техники, ищущих компоненты с большей плотностью, чем существующие FRAM емкостью 4 Мбит, или желающих исключить из схемы батарею, необходимую для ОЗУ во время отключения питания.

Замена статических ОЗУ новыми FRAM в различных промышленных приложениях, таких как устройства управления оборудованием и роботами, позволит исключить из схемы батареи резервного питания, сэкономив примерно 90% площади для установки дополнительных элементов памяти.

Основные технические характеристики

• Объем (организация): 8 Мбит (512K × 16);
• Интерфейс: параллельный;
• Диапазон рабочих напряжений: от 1.8 В до 3.6 В;
• Диапазон рабочих температур: от –40 °C до +85 °C;
• Количество циклов чтения/записи: 10 трлн (10¹³);
• Корпус: FBGA, 48 выводов (8.00 мм × 6.00 мм).