Энергонезависимая память, оптимальная для использования в автомобильном и промышленном оборудовании, где требуется высокая надежность в условиях высоких рабочих температур
Подразделение запоминающих устройств компании Fujitsu Semiconductor анонсировало выпуск 4-мегабитной микросхемы FRAM (ferroelectric random access memory – сегнетоэлектрическое ОЗУ), получившей обозначение MB85RS4MTY, имеющей наибольшую плотность элементов среди FRAM, работающих при температурах до 125 °C. В настоящее время потребителям уже доступны оценочные образцы прибора.
Новое устройство FRAM – это энергонезависимая память с гарантированным числом циклов чтения/записи 10 триллионов и низким током активного режима, работающая при окружающей температуре до 125 °C. Микросхема оптимальна для использования в промышленных роботах и автомобильных приложениях, таких, например, как современные системы помощи водителю.
FRAM являются энергонезависимыми запоминающими устройствами, выдерживающими большее количество циклов перезаписи, с более высокой скоростью записи и меньшей потребляемой мощностью, чем EEPROM или флеш-память. Продукты FRAM выпускаются серийно более 20 лет и в последние годы нашли применение в носимых устройствах, промышленных роботах и беспилотниках.
В то время как микросхема FRAM MB85RS2MTY емкостью 2 Мбит с момента ее выпуска в прошлом году была хорошо принята производителями автомобилей и промышленного оборудования, MB85RS4MTY удвоила плотность до 4 Мбит и получила интерфейс SPI, работающий в широком диапазоне напряжений питания от 1.8 В до 3.6 В. Низкие рабочие токи этой FRAM, не превышающие 4 мА на частоте 50 МГц, и максимальный ток в режиме отключения 30 мкА, даже при высокой температуре 125 °C, способствуют снижению энергопотребления экологически дружественных приложений.
Новая микросхема FRAM гарантированно выдерживает 10 триллионов циклов чтения/записи в температурном диапазоне от –40 °C до +125 °C. Эти характеристики оптимальны для ряда приложений, требующих регистрации данных в режиме реального времени. Например, даже если данные обновляются каждые 0.03 миллисекунды, они могут записываться по одному и тому же адресу в течение 10 лет.
Микросхемы FRAM упаковываются в 8-выводные корпуса SOP, что позволяет легко заменять ими существующие EEPROM, имеющие аналогичное расположение выводов. Кроме того, заказчикам доступны версии в безвыводных 8-контактных корпусах DFN.
Основные характеристики
Конфигурация: 4 Мбит (512K × 8 бит)
Интерфейс: SPI
Максимальная рабочая частота: 50 МГц;
Рабочее напряжение: от 1.8 В до 3.6 В;
Диапазон рабочих температур: от –40 °C до +125 °C;
Количество циклов чтения/записи: 10 триллионов (1013);
MB85RS4MTY
Энергонезависимая память, оптимальная для использования в автомобильном и промышленном оборудовании, где требуется высокая надежность в условиях высоких рабочих температур
Подразделение запоминающих устройств компании Fujitsu Semiconductor анонсировало выпуск 4-мегабитной микросхемы FRAM (ferroelectric random access memory – сегнетоэлектрическое ОЗУ), получившей обозначение MB85RS4MTY, имеющей наибольшую плотность элементов среди FRAM, работающих при температурах до 125 °C. В настоящее время потребителям уже доступны оценочные образцы прибора.
Новое устройство FRAM – это энергонезависимая память с гарантированным числом циклов чтения/записи 10 триллионов и низким током активного режима, работающая при окружающей температуре до 125 °C. Микросхема оптимальна для использования в промышленных роботах и автомобильных приложениях, таких, например, как современные системы помощи водителю.
FRAM являются энергонезависимыми запоминающими устройствами, выдерживающими большее количество циклов перезаписи, с более высокой скоростью записи и меньшей потребляемой мощностью, чем EEPROM или флеш-память. Продукты FRAM выпускаются серийно более 20 лет и в последние годы нашли применение в носимых устройствах, промышленных роботах и беспилотниках.
В то время как микросхема FRAM MB85RS2MTY емкостью 2 Мбит с момента ее выпуска в прошлом году была хорошо принята производителями автомобилей и промышленного оборудования, MB85RS4MTY удвоила плотность до 4 Мбит и получила интерфейс SPI, работающий в широком диапазоне напряжений питания от 1.8 В до 3.6 В. Низкие рабочие токи этой FRAM, не превышающие 4 мА на частоте 50 МГц, и максимальный ток в режиме отключения 30 мкА, даже при высокой температуре 125 °C, способствуют снижению энергопотребления экологически дружественных приложений.
Новая микросхема FRAM гарантированно выдерживает 10 триллионов циклов чтения/записи в температурном диапазоне от –40 °C до +125 °C. Эти характеристики оптимальны для ряда приложений, требующих регистрации данных в режиме реального времени. Например, даже если данные обновляются каждые 0.03 миллисекунды, они могут записываться по одному и тому же адресу в течение 10 лет.
Микросхемы FRAM упаковываются в 8-выводные корпуса SOP, что позволяет легко заменять ими существующие EEPROM, имеющие аналогичное расположение выводов. Кроме того, заказчикам доступны версии в безвыводных 8-контактных корпусах DFN.
Основные характеристики
Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман