Достигнута высокая выходная мощность – 2.5 кВт для серверных блоков питания
Fujitsu Semiconductor объявила об успешном создании серверных блоков питания высокой выходной мощности 2.5 кВт, оснащенных нитрид-галлиевыми (GaN) силовыми приборами на кремниевой подложке. Fujitsu Semiconductor намерена начать массовое производство нитрид-галлиевых транзисторов во второй половине 2013 года. Компания сможет предложить такие приборы для использования в самых разнообразных по назначению источниках питания, внеся тем самым значительный вклад в ограничение выбросов углекислого газа в атмосферу.
Прототип GaN силового прибора (корпус TO247)
GaN силовые транзисторы на 6-дюймовой кремниевой подложке
От традиционных кремниевых MOSFET, силовые приборы на основе GaN отличаются более низким сопротивлением в открытом состоянии и способностью работать на высоких частотах. Подобные характеристики позволят повысить эффективность преобразователей блоков питания и сделать их более компактными. Fujitsu Semiconductor намерена коммерциализировать GaN силовые приборы на кремниевой подложке, что с увеличением диаметра кремниевых пластин обеспечит низкую стоимость производства. Для этого Fujitsu Semiconductor с 2009 года разрабатывает технологию массового производства. Кроме того, Fujitsu Semiconductor с 2011 года предоставляет занимающимся производством блоков питания партнерам образцы GaN силовых приборов и работает над оптимизацией их использования в блоках питания.
В последнее время Fujitsu Semiconductor совместно с Fujitsu Laboratories занимается разработкой новых технологических процессов. Среди них, выращивание высококачественных кристаллов GaN на кремниевой подложке, совершенствование конструкции электродов для контроля роста сопротивления канала во время переключения и разработка топологии новых схем для источников питания, поддерживающих высокую частоту коммутации GaN устройств. Все это позволило Fujitsu Semiconductor добиться великолепных результатов в тестовых схемах с использованием GaN силовых приборов, эффективность преобразования, которых выше, чем у обычных кремниевых приборов. Fujitsu Semiconductor также изготовила для серверного оборудования экспериментальный блок питания с силовыми GaN приборами для схемы коррекции коэффициента мощности, достигнув выходной мощности 2.5 кВт.
Fujitsu Semiconductor рассматривает достигнутые результаты, как начало освоения высоковольтных GaN силовых приборов с большими рабочими токами.
Сравнение эффективности силовых GaN приборов Fujitsu Semiconductor и традиционных кремниевых приборов
Выходная мощность серверных блоков питания, использующих GaN приборы Fujitsu Semiconductor
Fujitsu Semiconductor недавно завершила на заводе в Aizu-Wakamatsu монтаж производственной линии для выпуска 6-дюймовых пластин, и начнет полномасштабное производство GaN силовых устройств во второй половине 2013 года. В перспективе, предлагая силовые GaN приборы, оптимизированные для приложений заказчиков и технологий разработчиков схем, Fujitsu Semiconductor будет заниматься совершенствованием экономичных, портативных и универсальных блоков питания.
Достигнута высокая выходная мощность – 2.5 кВт для серверных блоков питания
Fujitsu Semiconductor объявила об успешном создании серверных блоков питания высокой выходной мощности 2.5 кВт, оснащенных нитрид-галлиевыми (GaN) силовыми приборами на кремниевой подложке. Fujitsu Semiconductor намерена начать массовое производство нитрид-галлиевых транзисторов во второй половине 2013 года. Компания сможет предложить такие приборы для использования в самых разнообразных по назначению источниках питания, внеся тем самым значительный вклад в ограничение выбросов углекислого газа в атмосферу.
От традиционных кремниевых MOSFET, силовые приборы на основе GaN отличаются более низким сопротивлением в открытом состоянии и способностью работать на высоких частотах. Подобные характеристики позволят повысить эффективность преобразователей блоков питания и сделать их более компактными. Fujitsu Semiconductor намерена коммерциализировать GaN силовые приборы на кремниевой подложке, что с увеличением диаметра кремниевых пластин обеспечит низкую стоимость производства. Для этого Fujitsu Semiconductor с 2009 года разрабатывает технологию массового производства. Кроме того, Fujitsu Semiconductor с 2011 года предоставляет занимающимся производством блоков питания партнерам образцы GaN силовых приборов и работает над оптимизацией их использования в блоках питания.
В последнее время Fujitsu Semiconductor совместно с Fujitsu Laboratories занимается разработкой новых технологических процессов. Среди них, выращивание высококачественных кристаллов GaN на кремниевой подложке, совершенствование конструкции электродов для контроля роста сопротивления канала во время переключения и разработка топологии новых схем для источников питания, поддерживающих высокую частоту коммутации GaN устройств. Все это позволило Fujitsu Semiconductor добиться великолепных результатов в тестовых схемах с использованием GaN силовых приборов, эффективность преобразования, которых выше, чем у обычных кремниевых приборов. Fujitsu Semiconductor также изготовила для серверного оборудования экспериментальный блок питания с силовыми GaN приборами для схемы коррекции коэффициента мощности, достигнув выходной мощности 2.5 кВт.
Fujitsu Semiconductor рассматривает достигнутые результаты, как начало освоения высоковольтных GaN силовых приборов с большими рабочими токами.
Fujitsu Semiconductor недавно завершила на заводе в Aizu-Wakamatsu монтаж производственной линии для выпуска 6-дюймовых пластин, и начнет полномасштабное производство GaN силовых устройств во второй половине 2013 года. В перспективе, предлагая силовые GaN приборы, оптимизированные для приложений заказчиков и технологий разработчиков схем, Fujitsu Semiconductor будет заниматься совершенствованием экономичных, портативных и универсальных блоков питания.