Infineon представила транзисторы StrongIRFET 2 – новое поколение силовых MOSFET с допустимыми напряжениями 80 В и 100 В. Благодаря широкой доступности у партнеров-дистрибьюторов и отличному соотношению цены и качества, у разработчиков не будет проблем с выбором и покупкой приборов. Оптимизированное как для низких, так и для высоких частот переключения, семейство поддерживает широкий спектр приложений, обеспечивая высокую гибкость конструкторских решений. В перечень приложений, которым принесет пользу использование новых устройств, входят импульсные источники питания, драйверы двигателей, аккумуляторные инструменты, системы управления аккумуляторами, источники бесперебойного питания и легкие электромобили.
Новая технология StrongIRFET обеспечивает 40-процентное снижение сопротивления открытого канала (RDS(ON)) и более чем 50-процентное снижение заряда затвора (QG) по сравнению с предыдущим поколением, что увеличивает КПД устройства и улучшает характеристики системы в целом. Повышенные значения допустимых токов стока (ID) устраняют необходимость параллельного включения нескольких устройств, что снижает затраты на компоненты и экономит площадь платы.
Доступность
В настоящее время можно заказать новые MOSFET семейства StrongIRFET 2 в корпусах TO-220. Семейство содержит 80- и 100-вольтовые транзисторы с широким диапазоном сопротивлений открытых каналов. В дальнейшем новые приборы будут доступны также в корпусах TO-220 FullPAK, D2PAK, 7-выводном D2PAK и DPAK.
Infineon анонсирует StrongIRFET 2 - новое поколение силовых MOSFET
IPP016N08NF2S IPP019N08NF2S IPP024N08NF2S IPP026N10NF2S IPP040N08NF2S IPP050N10NF2S IPP055N08NF2S IPP082N10NF2S IPP129N10NF2S
Infineon представила транзисторы StrongIRFET 2 – новое поколение силовых MOSFET с допустимыми напряжениями 80 В и 100 В. Благодаря широкой доступности у партнеров-дистрибьюторов и отличному соотношению цены и качества, у разработчиков не будет проблем с выбором и покупкой приборов. Оптимизированное как для низких, так и для высоких частот переключения, семейство поддерживает широкий спектр приложений, обеспечивая высокую гибкость конструкторских решений. В перечень приложений, которым принесет пользу использование новых устройств, входят импульсные источники питания, драйверы двигателей, аккумуляторные инструменты, системы управления аккумуляторами, источники бесперебойного питания и легкие электромобили.
Новая технология StrongIRFET обеспечивает 40-процентное снижение сопротивления открытого канала (RDS(ON)) и более чем 50-процентное снижение заряда затвора (QG) по сравнению с предыдущим поколением, что увеличивает КПД устройства и улучшает характеристики системы в целом. Повышенные значения допустимых токов стока (ID) устраняют необходимость параллельного включения нескольких устройств, что снижает затраты на компоненты и экономит площадь платы.
Доступность
В настоящее время можно заказать новые MOSFET семейства StrongIRFET 2 в корпусах TO-220. Семейство содержит 80- и 100-вольтовые транзисторы с широким диапазоном сопротивлений открытых каналов. В дальнейшем новые приборы будут доступны также в корпусах TO-220 FullPAK, D2PAK, 7-выводном D2PAK и DPAK.
Основные технические характеристики
стока
[В]
при 25 °C
[мОм]
при 25 °C
[нКл]
при 25 °C
[А]
температур
[°C]
Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман