Infineon Technologies расширила свое обширное семейство карбид кремниевых (SiC) приборов, представив 1200-вольтовые диоды Шоттки пятого поколения thinQ!. Новые SiC диоды отличаются сверхнизким прямым напряжением во всем диапазоне рабочих температур, увеличенным более чем вдвое значением допустимого перегрузочного тока и отличными тепловыми характеристиками. Приборы позволят значительно повысить эффективность и эксплуатационную надежность солнечных инверторов, источников бесперебойного питания, трехфазных импульсных преобразователей и драйверов двигателей.
В SiC диодах пятого поколения используется новая конструкция кристалла значительно уменьшенного размера. Благодаря этому, в свою очередь, уменьшилось дифференциальное сопротивление на единицу площади кристалла. Результатом явилась возможность снижения потерь в диоде до 30% по сравнению с приборами предыдущего поколения, например, во входных силовых каскадах инверторов солнечных электростанций, работающих при полной нагрузке на частоте 20 кГц.
При температуре перехода 150 °C типовое прямое напряжение равно 1.7 В, что на 30% меньше, чем у подобных приборов предыдущего поколения. Это наименьше прямое напряжение среди всех SiC диодов с обратным напряжением 1200 В, доступных в настоящее время на рынке. Особенно подходящей сферой использования новых SiC диодов являются приложения с относительно высокой нагрузкой, такие, например, как системы бесперебойного питания.
В зависимости от типа диода, порог допустимого перегрузочного тока был повышен до 1400% от номинального уровня, обеспечив больший запас надежности при использовании диодов в приложениях, испытывающих воздействие бросков тока. Это позволяет исключить из схемы обратный диод, сократив ее размеры и стоимость.
Объединение новых 1200-вольтовых диодов Шоттки thinQ! SiC с лучшими в своем классе 1200-вольтовыми IGBT семейства Highspeed3 в схемах повышающих преобразователей и корректоров коэффициента мощности дает существенный выигрыш на системном уровне. При этом снижаются не только потери в диоде, но и улучшаются характеристики IGBT Highspeed3 благодаря уменьшению потерь включения (из чего следует возможность использования меньших теплоотводов или увеличения эффективности) и сокращению уровня электромагнитных излучений (что позволяет использовать фильтры меньших размеров).
Доступность
Семейство SiC диодов пятого поколения выпускается в корпусах TO-247, TO-220 и DPAK. Дополнительно предлагаются новые, лучшие в своем классе сдвоенные 40-амперные диоды с общим катодом в корпусах TO-247, сокращающие объем преобразователей с топологией, использующей режим чередования. Варианты в других корпусах компания намерена представить в 2015 году.
В SiC диодах пятого поколения используется новая конструкция кристалла значительно уменьшенного размера. Благодаря этому, в свою очередь, уменьшилось дифференциальное сопротивление на единицу площади кристалла. Результатом явилась возможность снижения потерь в диоде до 30% по сравнению с приборами предыдущего поколения, например, во входных силовых каскадах инверторов солнечных электростанций, работающих при полной нагрузке на частоте 20 кГц.
При температуре перехода 150 °C типовое прямое напряжение равно 1.7 В, что на 30% меньше, чем у подобных приборов предыдущего поколения. Это наименьше прямое напряжение среди всех SiC диодов с обратным напряжением 1200 В, доступных в настоящее время на рынке. Особенно подходящей сферой использования новых SiC диодов являются приложения с относительно высокой нагрузкой, такие, например, как системы бесперебойного питания.
В зависимости от типа диода, порог допустимого перегрузочного тока был повышен до 1400% от номинального уровня, обеспечив больший запас надежности при использовании диодов в приложениях, испытывающих воздействие бросков тока. Это позволяет исключить из схемы обратный диод, сократив ее размеры и стоимость.
Объединение новых 1200-вольтовых диодов Шоттки thinQ! SiC с лучшими в своем классе 1200-вольтовыми IGBT семейства Highspeed3 в схемах повышающих преобразователей и корректоров коэффициента мощности дает существенный выигрыш на системном уровне. При этом снижаются не только потери в диоде, но и улучшаются характеристики IGBT Highspeed3 благодаря уменьшению потерь включения (из чего следует возможность использования меньших теплоотводов или увеличения эффективности) и сокращению уровня электромагнитных излучений (что позволяет использовать фильтры меньших размеров).
Доступность
Семейство SiC диодов пятого поколения выпускается в корпусах TO-247, TO-220 и DPAK. Дополнительно предлагаются новые, лучшие в своем классе сдвоенные 40-амперные диоды с общим катодом в корпусах TO-247, сокращающие объем преобразователей с топологией, использующей режим чередования. Варианты в других корпусах компания намерена представить в 2015 году.