Infineon Technologies разработала решения для приложений с самыми высокими требованиями, предъявляемыми к эффективности и качеству. Недавно выпущенное семейство 600-вольтовых продуктов CoolMOS S7 прокладывает путь к увеличению плотности мощности и повышению КПД таких приложений, где MOSFET переключаются на низкой частоте. Ключевыми особенностями продуктов семейства CoolMOS S7 являются оптимизация для снижения потерь проводимости, улучшение теплового сопротивления и увеличения допустимых импульсных токов при соответствии высочайшим стандартам качества. Эти устройства могут использоваться в активных мостовых выпрямителях, каскадах инверторов, программируемых логических контроллерах, мощных твердотельных реле и твердотельных размыкателях цепей. Кроме того, в семействе CoolMOS S7 имеется MOSFET с самым низким в отрасли сопротивлением открытого канала – 10 мОм.
PG-TO-220-3
PG-HSOF-8
QDPAK
Семейство продуктов разрабатывалось для того, чтобы минимизировать потери проводимости и обеспечить наименьшее время отклика с одновременным увеличением КПД в приложениях с низкой частотой коммутации. Устройства CoolMOS S7 отличаются еще более низким произведением сопротивления канала на ток стока, чем приборы семейства CoolMOS 7, что позволит сократить как потери переключения, так и стоимость конечного изделия. Продукты CoolMOS S7 имеют самые низкие сопротивления открытых каналов среди всех высоковольтных ключей, предлагаемых сегодня на рынке. Были созданы транзисторы с сопротивлением канала 10 мОм в инновационном корпусе QDPAK с охлаждением через верхнюю поверхность, а также с сопротивлением 22 мОм в безвыводных корпусах TO для поверхностного монтажа. Эти MOSFET дадут возможность создавать экономичные, простые, компактные и модульные высокоэффективные конструкции. Системы, в которых будут использоваться новые приборы, можно легко сертифицировать на соответствие нормативным требованиям и стандартам энергоэффективности (таким как Titanium для импульсных источников питания). Они позволят снизить потребление энергии, сократить количество компонентов и размеры теплоотводов, и в конченом счете, уменьшить общую стоимость владения.
Доступность
600-вольтовые MOSFET семейства CoolMOS S7 с сопротивлением канала 22 мОм выпускаются в выводных и безвыводных корпусах TO-220, а версии с сопротивлениями 40 мОм и 65 мОм предлагаются в безвыводных корпусах TO. MOSFET CoolMOS S7 с сопротивлением канала 10 мОм появятся на складе в 4 квартале 2020 года.
CoolMOS S7
Infineon Technologies разработала решения для приложений с самыми высокими требованиями, предъявляемыми к эффективности и качеству. Недавно выпущенное семейство 600-вольтовых продуктов CoolMOS S7 прокладывает путь к увеличению плотности мощности и повышению КПД таких приложений, где MOSFET переключаются на низкой частоте. Ключевыми особенностями продуктов семейства CoolMOS S7 являются оптимизация для снижения потерь проводимости, улучшение теплового сопротивления и увеличения допустимых импульсных токов при соответствии высочайшим стандартам качества. Эти устройства могут использоваться в активных мостовых выпрямителях, каскадах инверторов, программируемых логических контроллерах, мощных твердотельных реле и твердотельных размыкателях цепей. Кроме того, в семействе CoolMOS S7 имеется MOSFET с самым низким в отрасли сопротивлением открытого канала – 10 мОм.
Семейство продуктов разрабатывалось для того, чтобы минимизировать потери проводимости и обеспечить наименьшее время отклика с одновременным увеличением КПД в приложениях с низкой частотой коммутации. Устройства CoolMOS S7 отличаются еще более низким произведением сопротивления канала на ток стока, чем приборы семейства CoolMOS 7, что позволит сократить как потери переключения, так и стоимость конечного изделия. Продукты CoolMOS S7 имеют самые низкие сопротивления открытых каналов среди всех высоковольтных ключей, предлагаемых сегодня на рынке. Были созданы транзисторы с сопротивлением канала 10 мОм в инновационном корпусе QDPAK с охлаждением через верхнюю поверхность, а также с сопротивлением 22 мОм в безвыводных корпусах TO для поверхностного монтажа. Эти MOSFET дадут возможность создавать экономичные, простые, компактные и модульные высокоэффективные конструкции. Системы, в которых будут использоваться новые приборы, можно легко сертифицировать на соответствие нормативным требованиям и стандартам энергоэффективности (таким как Titanium для импульсных источников питания). Они позволят снизить потребление энергии, сократить количество компонентов и размеры теплоотводов, и в конченом счете, уменьшить общую стоимость владения.
Доступность
600-вольтовые MOSFET семейства CoolMOS S7 с сопротивлением канала 22 мОм выпускаются в выводных и безвыводных корпусах TO-220, а версии с сопротивлениями 40 мОм и 65 мОм предлагаются в безвыводных корпусах TO. MOSFET CoolMOS S7 с сопротивлением канала 10 мОм появятся на складе в 4 квартале 2020 года.
Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман