Infineon разработала лучший в своем классе малошумящий усилитель (МШУ) BGA825L6S для глобальных систем спутниковой навигации (Global Navigation Satellite System — GNSS). Прибор имеет размеры основания корпуса всего 1.1 × 0.9 мм, уникально низкий уровень шумов, отличную линейность, низкий ток и высокий коэффициент усиления.
Кроме того, МШУ экранирован, чтобы исключить воздействие внешних помех, и требует использования лишь одного внешнего компонента.
Данный однокристальный МШУ имеет встроенную схему смещения, ВЧ дроссель и согласование на выходе. Все это значительно сокращает время разработки и позволяет системным инженерам легко встраивать МШУ в ВЧ каскад приемника, обеспечивая повышение чувствительности беспроводных систем. Кроме того, МШУ содержит встроенный переключатель, управляемый напряжением (DC), уровень которого равен напряжению питания. Встроенная схема ESD-защиты (2 кВ, HBM) гарантирует высокую устойчивость к электростатическим разрядам и исключает риск ESD-пробоев при работе приемника.
Особенности
Лучший в своем классе шестивыводной МШУ для системы GNSS
Очень маленький размер: 0.99 мм²
Поддерживает все навигационные стандарты (включая GPS, GLONASS, Beidou, Galileo)
Infineon разработала лучший в своем классе малошумящий усилитель (МШУ) BGA825L6S для глобальных систем спутниковой навигации (Global Navigation Satellite System — GNSS). Прибор имеет размеры основания корпуса всего 1.1 × 0.9 мм, уникально низкий уровень шумов, отличную линейность, низкий ток и высокий коэффициент усиления.
Кроме того, МШУ экранирован, чтобы исключить воздействие внешних помех, и требует использования лишь одного внешнего компонента.
Данный однокристальный МШУ имеет встроенную схему смещения, ВЧ дроссель и согласование на выходе. Все это значительно сокращает время разработки и позволяет системным инженерам легко встраивать МШУ в ВЧ каскад приемника, обеспечивая повышение чувствительности беспроводных систем. Кроме того, МШУ содержит встроенный переключатель, управляемый напряжением (DC), уровень которого равен напряжению питания. Встроенная схема ESD-защиты (2 кВ, HBM) гарантирует высокую устойчивость к электростатическим разрядам и исключает риск ESD-пробоев при работе приемника.
Особенности
Применение