Infineon разработала широкополосный кремний-германиевый с добавлением углерода (SiGe:C) малошумящий усилитель (LNA) общего назначения BGB707L7ESD со встроенной ESD-защитой и активным смещением, выпускаемый в миниатюрном корпусе TSLP-7-1. Данный прибор также универсален, как дискретный транзистор, но, вместе с тем, имеет множество встроенных функций, что обеспечивает миниатюрную и более тонкую конструкцию мобильных устройств. Встроенная ESD-защита по ВЧ входу (4 кВ), максимальная граничная частота 45 ГГц, высокий уровень входного сигнала в точке 1-дБ компрессии и чрезвычайно низкий коэффициент шума – все это позволяет широко использовать данный прибор при разработке самых различных ВЧ схем. Разработчики наверняка оценят активное смещение, широкий диапазон рабочего напряжения, возможность регулировки рабочего тока и встроенную функцию отключения питания, позволяющую увеличить время работы батареи.
Infineon разработала широкополосный кремний-германиевый с добавлением углерода (SiGe:C) малошумящий усилитель (LNA) общего назначения BGB707L7ESD со встроенной ESD-защитой и активным смещением, выпускаемый в миниатюрном корпусе TSLP-7-1. Данный прибор также универсален, как дискретный транзистор, но, вместе с тем, имеет множество встроенных функций, что обеспечивает миниатюрную и более тонкую конструкцию мобильных устройств. Встроенная ESD-защита по ВЧ входу (4 кВ), максимальная граничная частота 45 ГГц, высокий уровень входного сигнала в точке 1-дБ компрессии и чрезвычайно низкий коэффициент шума – все это позволяет широко использовать данный прибор при разработке самых различных ВЧ схем. Разработчики наверняка оценят активное смещение, широкий диапазон рабочего напряжения, возможность регулировки рабочего тока и встроенную функцию отключения питания, позволяющую увеличить время работы батареи.
Особенности
Применение
Типовая схема включения BGB707L7ESD
infineon-designlink.com