Infineon выпустила OptiMOS Fast Diode (FD) с рабочими напряжениями 200 В и 250 В
21.10.2014

Новые OptiMOS™ Fast Diode (FD) с рабочими напряжениями 200 В и 250 В — представители новейшего поколения силовых MOSFET компании Infineon — оптимизированы для жесткой коммутации встроенного диода.

Infineon OptiMOS™ Fast Diode (FD)

Повышенная надежность при жесткой коммутации делает этот прибор идеальным решением для суровых условий эксплуатации, требующих более высоких значений dv/dt, di/dt, а также более высокой плотности тока. Новое семейство упрощает разработку приложений с жесткой коммутацией, таких как телекоммуникационные системы, промышленные источники питания, аудиоусилители класса D, системы управления двигателем и DC/AC-преобразователи.Рабочие характеристики прибора отвечают наивысшим стандартам, он имеет оптимизированный заряд обратного восстановления (Qg).

Сравнение эффективности и выбросов напряжения при синхронном
выпрямлении тока в телекоммуникационных системах
Infineon OptiMOS™ Fast Diode (FD)

Благодаря снижению Qrr на 40% по сравнению с OptiMOS™ 3, 200-В и 250-В приборы OptiMOS™ FD обеспечивают значительно более высокую надежность системы за счет уменьшения выбросов напряжения. Это сводит к минимуму потребность в снабберных схемах и тем самым снижает затраты и трудоемкость разработки.

Особенности

  • Повышенная надежность при жесткой коммутации
  • Оптимизированные характеристики при жесткой коммутации
  • Самые низкие в отрасли значения RDS(on), Qg и Qrr
  • Соответствует требованиям директивы RoHS, не содержит галогенов

Применение

  • Телекоммуникационные системы
  • Аудиоусилители класса D
  • Управление двигателем в системах с напряжением 48…110 В
  • Промышленные источники питания
  • DC/AC-преобразователи

infineon-designlink.com

Подробнее >>

Реклама