Интегрированное решение объединяет в корпусе 6×6 мм N-канальные MOSFET транзисторы верхнего и нижнего плеча, микросхему драйвера MOSFET и ограничительный диод
Vishay Intertechnology анонсировала интегрированное DrMOS решение, объединившее в одном 40-выводном корпусе MLP размером 6×6 мм оптимизированные для режима ШИМ N-канальные MOSFET транзисторы верхнего и нижнего плеча, полнофункциональную микросхему драйвера MOSFET и ограничительный диод. SiC779CD полностью соответствует спецификации DrMOS 4.0 для регуляторов напряжения, используемых в серверах и настольных компьютерах, графических адаптерах, рабочих станциях, игровых консолях и других системах, использующих процессоры с большой потребляемой мощностью. Прибор допускает работу на частотах свыше 1 МГц и имеет КПД более 93%.
Усовершенствованный драйвер затворов SiC779CD принимает сигнал ШИМ, нормализованный контроллером питания, и вырабатывает управляющие сигналы для затворов MOSFET транзисторов верхнего и нижнего плеча. Внешний 5-вольтовый вход ШИМ совместим со всеми контроллерами, но, в первую очередь, разрабатывался для источников ШИМ с тремя состояниями выхода.
Устройство работает при входных напряжениях от 3 до 16 В и может непрерывно отдавать в нагрузку ток до 40 А. Интегрированные MOSFET транзисторы оптимизированы для выходных напряжений от 0.8 до 2.0 В и номинального входного напряжения 12 В. SiC779CD может, также, обеспечивать питанием 5 В специализированные интегральные схемы с большим током потребления.
Интегрированная микросхема драйвера содержит блок автоматического детектирования облегченной нагрузки, переводящий устройство в режим пропуска импульсов ШИМ. Адаптивная схема управления «мертвым временем» увеличивает КПД при любом токе нагрузки. Защитные функции включают в себя блокировку при перенапряжении по входу, сквозную защиту от всех видов перегрузки и выход предупреждения о перегреве перехода.
Интеграция в одном приборе SiC779CD управляющей микросхемы и MOSFET транзисторов сокращает потери мощности и снижает эффект паразитных импедансов, возникающий в высокочастотных силовых каскадах. Разработчики имеют возможность выбора повышенной рабочей частоты, что позволяет улучшить переходную характеристику, сэкономить на компонентах выходного фильтра и добиться максимально плотности мощности в многофазных приложениях Vcore.
Прибор не содержит галогенов и удовлетворяет директиве RoHS 2002/95/EC.
Интегрированное решение объединяет в корпусе 6×6 мм N-канальные MOSFET транзисторы верхнего и нижнего плеча, микросхему драйвера MOSFET и ограничительный диод
Vishay Intertechnology анонсировала интегрированное DrMOS решение, объединившее в одном 40-выводном корпусе MLP размером 6×6 мм оптимизированные для режима ШИМ N-канальные MOSFET транзисторы верхнего и нижнего плеча, полнофункциональную микросхему драйвера MOSFET и ограничительный диод. SiC779CD полностью соответствует спецификации DrMOS 4.0 для регуляторов напряжения, используемых в серверах и настольных компьютерах, графических адаптерах, рабочих станциях, игровых консолях и других системах, использующих процессоры с большой потребляемой мощностью. Прибор допускает работу на частотах свыше 1 МГц и имеет КПД более 93%.
Усовершенствованный драйвер затворов SiC779CD принимает сигнал ШИМ, нормализованный контроллером питания, и вырабатывает управляющие сигналы для затворов MOSFET транзисторов верхнего и нижнего плеча. Внешний 5-вольтовый вход ШИМ совместим со всеми контроллерами, но, в первую очередь, разрабатывался для источников ШИМ с тремя состояниями выхода.
Устройство работает при входных напряжениях от 3 до 16 В и может непрерывно отдавать в нагрузку ток до 40 А. Интегрированные MOSFET транзисторы оптимизированы для выходных напряжений от 0.8 до 2.0 В и номинального входного напряжения 12 В. SiC779CD может, также, обеспечивать питанием 5 В специализированные интегральные схемы с большим током потребления.
Интегрированная микросхема драйвера содержит блок автоматического детектирования облегченной нагрузки, переводящий устройство в режим пропуска импульсов ШИМ. Адаптивная схема управления «мертвым временем» увеличивает КПД при любом токе нагрузки. Защитные функции включают в себя блокировку при перенапряжении по входу, сквозную защиту от всех видов перегрузки и выход предупреждения о перегреве перехода.
Интеграция в одном приборе SiC779CD управляющей микросхемы и MOSFET транзисторов сокращает потери мощности и снижает эффект паразитных импедансов, возникающий в высокочастотных силовых каскадах. Разработчики имеют возможность выбора повышенной рабочей частоты, что позволяет улучшить переходную характеристику, сэкономить на компонентах выходного фильтра и добиться максимально плотности мощности в многофазных приложениях Vcore.
Прибор не содержит галогенов и удовлетворяет директиве RoHS 2002/95/EC.
Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман
На английском языке: New Vishay Siliconix 40 A DrMOS Solution Enables Operating Frequencies in Excess of 1 MHz and Better Than 93 % Efficiency, Compatible With 3.3 V and 5 V PWM Logic Levels