24 ноября 2003 г. - Корпорация Intel изготовила полнофункциональные микросхемы SRAM (статической оперативной памяти) с использованием технологического процесса следующего поколения с проектной нормой 65 нанометров (нм). Корпорация Intel планирует внедрить новый технологический процесс в производство в 2005 году на 300-миллиметровых подложках.
Процесс с проектной нормой 65 нанометров (нанометр равен миллиардной доле метра) соединяет в себе более высокопроизводительные и энергоэкономичные транзисторы, разработанную корпорацией Intel технологию напряженного кремния второго поколения, высокоскоростные медные соединения и диэлектрический материал с низкой диэлектрической проницаемостью. Переход на 65-нанометровый технологический процесс позволит корпорации Intel удвоить количество транзисторов, размещаемых на одном кристалле, по сравнению с применяемыми сегодня технологиями.
Информация о новом технологическом процессе
Усовершенствованные транзисторы. В новом 65-нм технологическом процессе Intel используются новые транзисторы, имеющие длину затвора всего 35 нм. Это будут самые маленькие и самые быстродействующие КМОП-транзисторы, используемые в массовом производстве. Для сравнения: наиболее совершенные транзисторы, применяемые в производстве сегодня, - при изготовлении процессора Intel® Pentium® 4 - имеют длину 50 нм. Быстродействующие транзисторы малых размеров - это основа для быстродействующих процессоров.
Технологии напряженного кремния. Корпорация Intel применила в новом технологическом процессе второе поколение своей технологии высокоэффективного напряженного кремния. Применение напряженного кремния позволяет повысить рабочие токи транзисторов и их быстродействие при увеличении себестоимости всего на два процента.
Медные соединения и новый диэлектрик с низкой диэлектрической проницаемостью. Новый процесс также предусматривает использование восьми слоев медных соединений и нового диэлектрического материала, позволяющего повысить скорость распространения сигналов в кристалле и снизить энергопотребление процессора.
На базе нового 65-нм технологического процесса корпорация Intel изготовила полнофункциональные компоненты SRAM объемом 4 мегабит с чрезвычайно малым размером ячейки памяти - 0,57 мкм2. Уменьшение размера ячейки SRAM позволяет увеличить объем кэш-памяти и тем самым производительность процессоров. Новые ячейки SRAM имеют хорошие рабочие характеристики и большой запас по соотношению «сигнал/шум», указывающий на очень хорошие параметры переключения. Каждая ячейка памяти SRAM содержит шесть транзисторов, 10 миллионов которых может поместиться на одном квадратном миллиметре, что по площади примерно сопоставимо с кончиком стержня шариковой ручки.
Полупроводниковые компоненты на базе 65-нм технологического процесса были изготовлены на опытном заводе D1D корпорации Intel по обработке 300-миллиметровых подложек в Хиллсборо (шт. Орегон), где этот технологический процесс и был разработан. D1D - самый современный завод корпорации, обладающий самой большой среди производств Intel единой «чистой комнатой» площадью более 16 тысяч квадратных метров - примерно три с половиной футбольных поля.
Собственное производство масок продлевает срок службы литографического оборудования
Собственная группа корпорации Intel по изготовлению литографических масок сыграла ключевую роль в создании усовершенствованных масок, позволивших применить сегодняшнее литографическое оборудование, работающее на длине волны 193 нм, для 65-нм технологического процесса. Корпорация планирует сохранить в новом технологическом процессе существующее литографическое оборудование с рабочей длиной волны 193 нм и 248 нм, применяемое сегодня в 90-нм процессе, а также установить ряд усовершенствованных установок с рабочей длиной волны 193 нм. Это снизит затраты на внедрение и создаст запас ресурсов для быстрого наращивания производства. Начиная с 2005 года технологический процесс с проектной нормой 65 нм планируется внедрить в массовое производство на заводе D1D и затем перенести на другие заводы, работающие с 300-миллиметровыми подложками.
Процесс с проектной нормой 65 нанометров (нанометр равен миллиардной доле метра) соединяет в себе более высокопроизводительные и энергоэкономичные транзисторы, разработанную корпорацией Intel технологию напряженного кремния второго поколения, высокоскоростные медные соединения и диэлектрический материал с низкой диэлектрической проницаемостью. Переход на 65-нанометровый технологический процесс позволит корпорации Intel удвоить количество транзисторов, размещаемых на одном кристалле, по сравнению с применяемыми сегодня технологиями.
Информация о новом технологическом процессе
Усовершенствованные транзисторы. В новом 65-нм технологическом процессе Intel используются новые транзисторы, имеющие длину затвора всего 35 нм. Это будут самые маленькие и самые быстродействующие КМОП-транзисторы, используемые в массовом производстве. Для сравнения: наиболее совершенные транзисторы, применяемые в производстве сегодня, - при изготовлении процессора Intel® Pentium® 4 - имеют длину 50 нм. Быстродействующие транзисторы малых размеров -
это основа для быстродействующих процессоров.
Технологии напряженного кремния. Корпорация Intel применила в новом технологическом процессе второе поколение своей технологии высокоэффективного напряженного кремния. Применение напряженного кремния позволяет повысить рабочие токи транзисторов и их быстродействие при увеличении себестоимости всего на два процента.
Медные соединения и новый диэлектрик с низкой диэлектрической проницаемостью. Новый процесс также предусматривает использование восьми слоев медных соединений и нового диэлектрического материала, позволяющего повысить скорость распространения сигналов в кристалле и снизить энергопотребление процессора.
На базе нового 65-нм технологического процесса корпорация Intel изготовила полнофункциональные компоненты SRAM объемом 4 мегабит с чрезвычайно малым размером ячейки памяти - 0,57 мкм2. Уменьшение размера ячейки SRAM позволяет увеличить объем кэш-памяти и тем самым производительность процессоров. Новые ячейки SRAM имеют хорошие рабочие характеристики и большой запас по соотношению «сигнал/шум», указывающий на очень хорошие параметры переключения. Каждая ячейка памяти SRAM содержит шесть транзисторов, 10 миллионов которых может поместиться на одном квадратном миллиметре, что по площади примерно сопоставимо с кончиком стержня шариковой ручки.
Полупроводниковые компоненты на базе 65-нм технологического процесса были изготовлены на опытном заводе D1D корпорации Intel по обработке 300-миллиметровых подложек в Хиллсборо (шт. Орегон), где этот технологический процесс и был разработан. D1D - самый современный завод корпорации, обладающий самой большой среди производств Intel единой «чистой комнатой» площадью более 16 тысяч квадратных метров - примерно три с половиной футбольных поля.
Собственное производство масок продлевает срок службы литографического оборудования
Собственная группа корпорации Intel по изготовлению литографических масок сыграла ключевую роль в создании усовершенствованных масок, позволивших применить сегодняшнее литографическое оборудование, работающее на длине волны 193 нм, для 65-нм технологического процесса. Корпорация планирует сохранить в новом технологическом процессе существующее литографическое оборудование с рабочей длиной волны 193 нм и 248 нм, применяемое сегодня в 90-нм процессе, а также установить ряд усовершенствованных установок с рабочей длиной волны 193 нм. Это снизит затраты на внедрение и создаст запас ресурсов для быстрого наращивания производства. Начиная с 2005 года технологический процесс с проектной нормой 65 нм планируется внедрить в массовое производство на заводе D1D и затем перенести на другие заводы, работающие с 300-миллиметровыми подложками.