Компании Intel, Toshiba и Samsung Electronics намерены создать консорциум для совместной разработки технологии, которая позволит к 2016 году начать производство 10 нм кристаллов. Об этом сообщает Reuters со ссылкой на японское издание Nikkei Daily.
Половину первоначальных инвестиций в проект (около $61 млн) внесет Министерство экономики, торговли и промышленности Японии, а вторую половину – члены консорциума.
Toshiba и Samsung планируют воспользоваться разработанными технологиями для производства 10-нм чипов флэш-памяти типа NAND, а Intel – для создания более производительных микропроцессоров.
Компании Intel, Toshiba и Samsung Electronics намерены создать консорциум для совместной разработки технологии, которая позволит к 2016 году начать производство 10 нм кристаллов. Об этом сообщает Reuters со ссылкой на японское издание Nikkei Daily.
Половину первоначальных инвестиций в проект (около $61 млн) внесет Министерство экономики, торговли и промышленности Японии, а вторую половину – члены консорциума.
Toshiba и Samsung планируют воспользоваться разработанными технологиями для производства 10-нм чипов флэш-памяти типа NAND, а Intel – для создания более производительных микропроцессоров.
russianelectronics.ru