Корпорация International Rectifier (IR) анонсировала транзистор IRGP50B60PD- 600-вольтовый NPT IGBT со встроенным антипараллельным 25-амперным HEXFRED® диодом.
Новый транзистор расширяет семейство WARP2TM транзисторов, предназначенных для работы на частотах до 150кГц в импульсных источниках питания с выходной мощностью 1-12кВт. Новый диод обеспечивает возможность работы с гораздо более высокими токами обратного восстановления. Типовыми приложениями для нового транзистора являются мощные корректоры коэффициента мощности, источники бесперебойного питания с мостовой схемой первичной цепи, промышленные импульсные источники питания и инверторные сварочные аппараты.
Для реализации мощных AC-DC преоразователей с высокой плотностью энергии, применяемых в серверах и источниках питания телекоммуникационного оборудования, требуются высокоэффективные и надежные силовые ключевые приборы. WARP2 IGBT наиболее полно отвечают этим требованиям благодаря низким потерям при выключении и очень короткому времени спада привыключении (так называемый "хвост"), что обеспечивает более высокую ээфективнсть в сравнении с конкурентными приборами.
Благодаря втрое меньшей толщине кристалла и более чем вдвое более высокой удельной плотности тока WARP2 IGBT обеспечивают гораздо более высокий ток и лучшие тепловые характеристики при равной с мощными полевыми транзисторами площади кристалла. При этом они как и мощные МОП-транзисторы обладают одной из важных положительных особенностей самовыравниванию токов в транзисторах при параллельном соедирнении благодаря положительтному тепловому коэффициенту сопротивления канала.
Новый 600-вольтовый транзистор в корпусе ТО-247 нормирован на токи коллектора 75 и 45А соответственно (при 25 и 100°C) и токи диода 65 и 25А (при тех же температурах. Падение на открытом транзисторе не превышает 2В при токе коллектора 33А. Новый транзистор является отличной альтернативой 50-60А МОП-транзисторам по критерию качество/цена.
Корпорация International Rectifier (IR) анонсировала транзистор IRGP50B60PD- 600-вольтовый NPT IGBT со встроенным антипараллельным 25-амперным HEXFRED® диодом.
Новый транзистор расширяет семейство WARP2TM транзисторов, предназначенных для работы на частотах до 150кГц в импульсных источниках питания с выходной мощностью 1-12кВт. Новый диод обеспечивает возможность работы с гораздо более высокими токами обратного восстановления. Типовыми приложениями для нового транзистора являются мощные корректоры коэффициента мощности, источники бесперебойного питания с мостовой схемой первичной цепи, промышленные импульсные источники питания и инверторные сварочные аппараты.
Для реализации мощных AC-DC преоразователей с высокой плотностью энергии, применяемых в серверах и источниках питания телекоммуникационного оборудования, требуются высокоэффективные и надежные силовые ключевые приборы. WARP2 IGBT наиболее полно отвечают этим требованиям благодаря низким потерям при выключении и очень короткому времени спада привыключении (так называемый "хвост"), что обеспечивает более высокую ээфективнсть в сравнении с конкурентными приборами.
Благодаря втрое меньшей толщине кристалла и более чем вдвое более высокой удельной плотности тока WARP2 IGBT обеспечивают гораздо более высокий ток и лучшие тепловые характеристики при равной с мощными полевыми транзисторами площади кристалла. При этом они как и мощные МОП-транзисторы обладают одной из важных положительных особенностей самовыравниванию токов в транзисторах при параллельном соедирнении благодаря положительтному тепловому коэффициенту сопротивления канала.
Новый 600-вольтовый транзистор в корпусе ТО-247 нормирован на токи коллектора 75 и 45А соответственно (при 25 и 100°C) и токи диода 65 и 25А (при тех же температурах. Падение на открытом транзисторе не превышает 2В при токе коллектора 33А. Новый транзистор является отличной альтернативой 50-60А МОП-транзисторам по критерию качество/цена.