11 февраля, 2003г. - International Rectifier, IR® (NYSE: IRF) представила новые WARP2TM 600В 50А, 35А и 25А NPT IGBT транзисторы с улучшенной характеристикой переключения для мощных, высокочастотных импульсных блоков питания (SMPS) в телекоммуникационных и серверных системах. Новые WARP2 NPT IGBT транзисторы обладают лучшим соотношением цена-производительность по сравнению с мощными MOSFET транзисторами. WARP2 IGBT транзисторы имеют встроенные HEXFRED® диоды, которые обеспечивают более лучшие характеристики по сравнению с интегрированными диодами в мощных MOSFET транзисторах. Новые устройства выпускаются в TO-247 и TO-220 корпусах.
Новые WARP2 IGBT транзисторы производятся по тонко-пластиночной технологии от International Rectifier, которая гарантирует более короткое время истощения несущей и, следовательно, более быстрое выключение. Кроме этого, незначительный остаточный ток выключения и низкие импульсные потери, или EOFF, позволяют разработчикам достичь более высоких рабочих частот.
Улучшения импульсной характеристики в купе с положительной характеристикой термального коэффициента позволяет достичь более высокой плотности тока. WARP2 IGBT транзисторы демонстрируют превосходное распределение тока, как и мощные MOSFET транзисторы при параллельном соединении. В отличие от MOSFET транзисторов, проводящие потери IGBT транзисторов остаются низкими.
Новые WARP2 NPT IGBT транзисторы могут выдерживать ток до 50А в TO-247 корпусе, что на 85% больше по сравнению с 600В MOSFET транзисторами в таком же корпусе, а также до 20А в TO-220 корпусе, что на 18% превышает способности 600В MOSFET транзисторов в таком же корпусе.
11 февраля, 2003г. - International Rectifier, IR® (NYSE: IRF) представила новые WARP2TM 600В 50А, 35А и 25А NPT IGBT транзисторы с улучшенной характеристикой переключения для мощных, высокочастотных импульсных блоков питания (SMPS) в телекоммуникационных и серверных системах. Новые WARP2 NPT IGBT транзисторы обладают лучшим соотношением цена-производительность по сравнению с мощными MOSFET транзисторами. WARP2 IGBT транзисторы имеют встроенные HEXFRED® диоды, которые обеспечивают более лучшие характеристики по сравнению с интегрированными диодами в мощных MOSFET транзисторах. Новые устройства выпускаются в TO-247 и TO-220 корпусах.
Новые WARP2 IGBT транзисторы производятся по тонко-пластиночной технологии от International Rectifier, которая гарантирует более короткое время истощения несущей и, следовательно, более быстрое выключение. Кроме этого, незначительный остаточный ток выключения и низкие импульсные потери, или EOFF, позволяют разработчикам достичь более высоких рабочих частот.
Улучшения импульсной характеристики в купе с положительной характеристикой термального коэффициента позволяет достичь более высокой плотности тока. WARP2 IGBT транзисторы демонстрируют превосходное распределение тока, как и мощные MOSFET транзисторы при параллельном соединении. В отличие от MOSFET транзисторов, проводящие потери IGBT транзисторов остаются низкими.
Новые WARP2 NPT IGBT транзисторы могут выдерживать ток до 50А в TO-247 корпусе, что на 85% больше по сравнению с 600В MOSFET транзисторами в таком же корпусе, а также до 20А в TO-220 корпусе, что на 18% превышает способности 600В MOSFET транзисторов в таком же корпусе.
Цены и условия поставки
Новые высокочастотные NPT IGBT транзисторы уже доступны по цене, начиная с IRGB20B60PD1, 1,03$ за шт. в партиях от 10 000 шт.