Мировой лидер в технологии управления энергопотреблением, компания International Rectifier (IR) представила 600-вольтовую микросхему полумостового драйвера AUIRS2191S и NPT IGBT транзистор AUIRGP50B60PD1, ориентированные на применение в эффективных автомобильных DC/DC преобразователях.
Отличающиеся высоким быстродействием и большой плотностью мощности, приборы прекрасно подходят для высокочастотных импульсных преобразователей, используемых в электрических и гибридных автомобилях.
С помощью микросхемы 2-канального 600-вольтового драйвера AUIRS2191S можно независимо управлять верхним и нижним ключами полумоста, коммутируя втекающий и вытекающий ток до ±3.5 А при типовом времени задержки распространения всего 90 нс, что обеспечивает быстрый отклик на сигналы управляющего драйвера. Независимое управление верхним и нижним ключом позволяет минимизировать потери мощности, оптимизируя мертвое время, и согласовывать задержку распространения в обоих каналах. Среди дополнительных особенностей микросхемы следует выделить рабочую температура перехода, достигающую 150 °C, защиту от пониженного напряжения в обоих каналах и разделение общего вывода силовых и логических цепей, повышающее устойчивость схемы к помехам по общей шине питания.
Изготовленная по запатентованной КМОП технологии высоковольтных ИС, устойчивых к защелкиванию, микросхема AUIRS2191S рассчитана на использование в экстремальных условиях. Конструкция мощных выходных буферных каскадов обеспечивает минимальные сквозные токи. Плавающий канал позволяет управлять N-канальным MOSFET или IGBT транзистором верхнего ключа полумоста при напряжении питания до 600 В. Помимо этого, надежность микросхемы обеспечивается невосприимчивостью к отрицательным всплескам напряжения, даже в тяжелых условиях переключения и при коротких замыканиях.
Типовая схема включения AUIRS2191S
В корпусе NPT IGBT транзистора AUIRGP50B60PD1 размещается 25-амперный диод со сверхмалым временем восстановления, способный работать на частотах до 150 кГц, что делает прибор идеальной заменой для MOSFET транзисторов в мощных импульсных преобразователях. Благодаря использованию технологии изготовления кристаллов на тонких пластинах, уменьшено время рассасывания носителей и, соответственно, время выключения.
Незначительный остаточный ток и низкие потери при выключении дают разработчикам возможность использовать приборы на более высоких частотах. Улучшенные характеристики переключения в сочетании с оптимизированными (положительными) температурными зависимостями параметров, а также, уменьшенный заряд включения, позволили увеличить плотность тока. Положительный температурный коэффициент обеспечивает безопасное, надежное, высокоэффективное распределение тока при параллельном включении транзисторов.
«В рамках текущих обязательств IR по предоставлению передовых решений для автомобильных приложений, эти эффективные, высокоскоростные, высоковольтные устройства удовлетворяют требованиям, предъявляемым к DC/DC преобразователям автомобильной промышленностью», – сказал Marzak Li, менеджер по маркетингу подразделения автомобильной электроники фирмы IR.
Устройства соответствуют стандарту AEC-Q10x, изготавливаются по безсвинцовой технологии и отвечают экологической директиве RoHS.
Доступность и цена
Микросхемы AUIRS2191S выпускаются в корпусах SOIC-16 и в партиях 100,000 шт. стоят от $1.35 за штуку. Транзисторы AUIRGP50B60PD1 в партиях такого же объема стоят от $3.78. Приборы могут поставляться немедленно после получения заказа.
Мировой лидер в технологии управления энергопотреблением, компания International Rectifier (IR) представила 600-вольтовую микросхему полумостового драйвера AUIRS2191S и NPT IGBT транзистор AUIRGP50B60PD1, ориентированные на применение в эффективных автомобильных DC/DC преобразователях.
Отличающиеся высоким быстродействием и большой плотностью мощности, приборы прекрасно подходят для высокочастотных импульсных преобразователей, используемых в электрических и гибридных автомобилях.
С помощью микросхемы 2-канального 600-вольтового драйвера AUIRS2191S можно независимо управлять верхним и нижним ключами полумоста, коммутируя втекающий и вытекающий ток до ±3.5 А при типовом времени задержки распространения всего 90 нс, что обеспечивает быстрый отклик на сигналы управляющего драйвера. Независимое управление верхним и нижним ключом позволяет минимизировать потери мощности, оптимизируя мертвое время, и согласовывать задержку распространения в обоих каналах. Среди дополнительных особенностей микросхемы следует выделить рабочую температура перехода, достигающую 150 °C, защиту от пониженного напряжения в обоих каналах и разделение общего вывода силовых и логических цепей, повышающее устойчивость схемы к помехам по общей шине питания.
Изготовленная по запатентованной КМОП технологии высоковольтных ИС, устойчивых к защелкиванию, микросхема AUIRS2191S рассчитана на использование в экстремальных условиях. Конструкция мощных выходных буферных каскадов обеспечивает минимальные сквозные токи. Плавающий канал позволяет управлять N-канальным MOSFET или IGBT транзистором верхнего ключа полумоста при напряжении питания до 600 В. Помимо этого, надежность микросхемы обеспечивается невосприимчивостью к отрицательным всплескам напряжения, даже в тяжелых условиях переключения и при коротких замыканиях.
Типовая схема включения AUIRS2191S
В корпусе NPT IGBT транзистора AUIRGP50B60PD1 размещается 25-амперный диод со сверхмалым временем восстановления, способный работать на частотах до 150 кГц, что делает прибор идеальной заменой для MOSFET транзисторов в мощных импульсных преобразователях. Благодаря использованию технологии изготовления кристаллов на тонких пластинах, уменьшено время рассасывания носителей и, соответственно, время выключения.
Незначительный остаточный ток и низкие потери при выключении дают разработчикам возможность использовать приборы на более высоких частотах. Улучшенные характеристики переключения в сочетании с оптимизированными (положительными) температурными зависимостями параметров, а также, уменьшенный заряд включения, позволили увеличить плотность тока. Положительный температурный коэффициент обеспечивает безопасное, надежное, высокоэффективное распределение тока при параллельном включении транзисторов.
«В рамках текущих обязательств IR по предоставлению передовых решений для автомобильных приложений, эти эффективные, высокоскоростные, высоковольтные устройства удовлетворяют требованиям, предъявляемым к DC/DC преобразователям автомобильной промышленностью», – сказал Marzak Li, менеджер по маркетингу подразделения автомобильной электроники фирмы IR.
Устройства соответствуют стандарту AEC-Q10x, изготавливаются по безсвинцовой технологии и отвечают экологической директиве RoHS.
Доступность и цена
Микросхемы AUIRS2191S выпускаются в корпусах SOIC-16 и в партиях 100,000 шт. стоят от $1.35 за штуку. Транзисторы AUIRGP50B60PD1 в партиях такого же объема стоят от $3.78. Приборы могут поставляться немедленно после получения заказа.
Технические характеристики
Прибор
Топология
Напряжение
питания
верхнего
ключа
Корпус
Выходной
втекающий/
вытекающий
ток
Напряжение
питания
Типовое
время
включения/
выключения
AUIRS2191S
Двухканальный драйвер
верхнего и нижнего
ключей полумоста
600 В
SOIC16
+3.5 А / –3.5 А
10 …20 В
90 / 90 нс
Прибор
Корпус
Максимальное
напряжене
коллектор-
-эмиттер
Максимальный
ток
при 25 ºC
Напряжение
насыщения
Совмещенный
диод
Заряд
затвора
AUIRGP50B60PD1
TO-247
600 В
60 А
2.0 В при
токе 33 А
25 А HEXFRED
205 нКл
irf.com