International Rectifier представляет новое семейство устройств MOSFET, позволяющих повысить компактность и эффективность аппаратуры управления питанием в автоэлектонике
International Rectifier представляет новое семейство устройств MOSFET, позволяющих повысить компактность и эффективность аппаратуры управления питанием в автоэлектонике
IRF2804S обеспечивает прямое сопротивление канала 2.0 мОм (макс)
16 сентября, 2003 - компания International Rectifier, IR®, представила новую линейку мощных устройств MOSFET серии Trench HEXFET®, включающих IRF2804S с сопротивлением 2.0 мОм в корпусе D2Pak. Технология производства позволила минимизировать сопротивление канала при пониженном температурном коэффициенте в режиме лавинного пробоя, что актуально для агрессивной окружающей среды работы автоэлектроники. Во многих случаях это позволит перейти от применения корпусов типа D2Pak, к устройствам в меньших корпусах D-Pak, что существенно понизит мощность рассеяния, стоимость и размер разрабатываемых систем, упростит интеграцию цепей управления питанием в приложения.
У новых устройств повышены КПД, скорость переключений, надежность в работе. Напряжение затвора уеньшено, что позволяет применять устройства в энергоемких системах автоэлектроники. Режим лавинного пробоя этих MOSFET приборов позволяет применять устройства с пониженным допустимым напряжением, например 40 В вместо 55 В. Уменьшенное сопротивление канала при сниженных напряжениях обеспечивают низкую температуру на стыках.
Все устройства соответствуют стандарту Q-101. Ниже приводятся данные для одиночного импульса и для повторяемого лавинного пробоя при температуре на стыках не превышающей 175° С.
Примечания:
(1) Величина, лимитируемая типом корпуса.
(2) Все устройства в корпусах D2Pak и D-Pak также доступны в корпусе TO-220 в бескорпуснм варианте в различных средах компоновки чипов.
Цены на MOSFET-устройства начинаются с 2.35 USD за штуку при заказе 10,000 штук.
IRF2804S обеспечивает прямое сопротивление канала 2.0 мОм (макс)
16 сентября, 2003 - компания International Rectifier, IR®, представила новую линейку мощных устройств MOSFET серии Trench HEXFET®, включающих IRF2804S с сопротивлением 2.0 мОм в корпусе D2Pak. Технология производства позволила минимизировать сопротивление канала при пониженном температурном коэффициенте в режиме лавинного пробоя, что актуально для агрессивной окружающей среды работы автоэлектроники. Во многих случаях это позволит перейти от применения корпусов типа D2Pak, к устройствам в меньших корпусах D-Pak, что существенно понизит мощность рассеяния, стоимость и размер разрабатываемых систем, упростит интеграцию цепей управления питанием в приложения.У новых устройств повышены КПД, скорость переключений, надежность в работе. Напряжение затвора уеньшено, что позволяет применять устройства в энергоемких системах автоэлектроники. Режим лавинного пробоя этих MOSFET приборов позволяет применять устройства с пониженным допустимым напряжением, например 40 В вместо 55 В. Уменьшенное сопротивление канала при сниженных напряжениях обеспечивают низкую температуру на стыках.
Все устройства соответствуют стандарту Q-101. Ниже приводятся данные для одиночного импульса и для повторяемого лавинного пробоя при температуре на стыках не превышающей 175° С.
(1) Величина, лимитируемая типом корпуса.
(2) Все устройства в корпусах D2Pak и D-Pak также доступны в корпусе TO-220 в бескорпуснм варианте в различных средах компоновки чипов.
Цены на MOSFET-устройства начинаются с 2.35 USD за штуку при заказе 10,000 штук.