International Rectifier представляет новый 30В синхронный импульсный MOSFET чипсет, позволяющий повысить эффективность системы на 1% и увеличивающий время жизни батарей.
International Rectifier представляет новый 30В синхронный импульсный MOSFET чипсет, позволяющий повысить эффективность системы на 1% и увеличивающий время жизни батарей.
Новый регулятор MOSFET с входной емкостью, уменьшенной на 40%, и синхронный регулятор MOSFET с сопротивлением включенного состояния, сниженным на 25%, увеличивают время жизни батарей в автономных электронных системах.
EL SEGUNDO, Calif. - International Rectifier, IR®, представляет чипсет IRF7821 и IRF7832 для импульсных блоков питания, увеличивающий продолжительность жизни батарей в ноутбуках. Семейство HEXFET® MOSFET может еще применяться в импульсных источниках питания серверов и графических карт, а также в POL понижающих преобразователях информационных и телекоммуникационных систем.
Максимальная эффективность устройства MOSFET достигается уменьшением сопротивления включенного состояния, чтобы уменьшить потери проводимости, а также уменьшением заряда затвора и заряда перехода, чтобы уменьшить потери при переключении. Технология Strip Trench, применяемая в семействе HEXFET®, позволяет значительно уменьшить вышеупомянутые параметры, что дает увеличение общей эффективности системы более чем на 1% по сравнению с эффективностью систем, где используются другие аналогичные устройства. Кроме того, для уменьшения потерь обратной компенсации, был уменьшен заряд обратной компенсации.
Заряд затвора IRF7821 составляет 10 нК, заряд перхода - 2.5 нК. Это на 40 процентов меньше, чем у аналогов и позволяет успешно применять устройство в качестве регулирующих элементов.
Максимальное сопротивление включенного состояния IRF7832 составляет 4 мОм (при Uиз =10В). Это на 25% лучше аналогов и делает прибор идеальным для синхронных устройств MOSFET.
Также можно использовать IRF7832 для синхронного выпрямления во вторичных цепях источников питания.
EL SEGUNDO, Calif. - International Rectifier, IR®, представляет чипсет IRF7821 и IRF7832 для импульсных блоков питания, увеличивающий продолжительность жизни батарей в ноутбуках. Семейство HEXFET® MOSFET может еще применяться в импульсных источниках питания серверов и графических карт, а также в POL понижающих преобразователях информационных и телекоммуникационных систем.
Максимальная эффективность устройства MOSFET достигается уменьшением сопротивления включенного состояния, чтобы уменьшить потери проводимости, а также уменьшением заряда затвора и заряда перехода, чтобы уменьшить потери при переключении. Технология Strip Trench, применяемая в семействе HEXFET®, позволяет значительно уменьшить вышеупомянутые параметры, что дает увеличение общей эффективности системы более чем на 1% по сравнению с эффективностью систем, где используются другие аналогичные устройства. Кроме того, для уменьшения потерь обратной компенсации, был уменьшен заряд обратной компенсации.
Заряд затвора IRF7821 составляет 10 нК, заряд перхода - 2.5 нК. Это на 40 процентов меньше, чем у аналогов и позволяет успешно применять устройство в качестве регулирующих элементов.
Максимальное сопротивление включенного состояния IRF7832 составляет 4 мОм (при Uиз =10В). Это на 25% лучше аналогов и делает прибор идеальным для синхронных устройств MOSFET. Также можно использовать IRF7832 для синхронного выпрямления во вторичных цепях источников питания.
Цены и условия поставки
Новый чипсет IRF7821и IRF7832 доступен на рынке. При заказе 10 000 штук цена IRF7821 составляет US $0.42, а IRF7832 - US $0.70 за штуку.