International Rectifier представляет универсальные 80В MOSFET транзисторы для использования в изолированных DC-DC преобразователях
15.02.2003

6 февраля 2003г. - International Rectifier представляет IRF1312 HEXFET® мощный 80В MOSFET транзистор, который может использоваться в качестве первичных или вторичных MOSFET транзисторов в изолированных DC-DC преобразователях для коммуникационных систем.

В качестве первичного транзистора IRF1312 может использоваться при входном напряжении до 60В, что делает его идеальным для применения в мостовых и полумостовых конфигурациях для 36-60В и 48В изолированных DC-DC конвертеров.


При использовании в качестве вторичного MOSFET транзистора, IRF1312 обеспечивает 0,4% увеличение эффективности по сравнению со стандартными MOSFET транзисторами для 12В приложений. Новые транзисторы могут использоваться в схемах с 15В максимальным выходным напряжением.

Новые MOSFET транзисторы характеризуются низким зарядом затвора для снижения импульсных потерь и низким сопротивлением в открытом состоянии для минимизации токовых потерь. IRF1312 выпускается в TO-220AB, D2Pak и TO-262 корпусах.

Маркировка Корпус VDSS(В) RDSon max
@ 10Vgs(mW)
Qg typ(nC) Qgd typ(nC)
IRF1312 TO-220AB 80 10 93 34
IRF1312S D2Pak 80 10 93 34
IRF1312L TO-262 80 10 93 34

Цены и условия поставки
Новые IRF1312, IRF1312S and IRF1312L уже доступны по цене 1,06$ в партиях от 10000 шт.

Подробнее >>

Реклама