Компания IXYS сообщила, что ее подразделение IXYS Colorado приступило к производству новых серий мощных карбид-кремниевых (SiC) диодов SS150 и SS275. Упакованные в низкоиндуктивные корпуса для поверхностного монтажа серии DE, диоды имеют отличные характеристики переключения.

SS150		SS275

Значения максимально допустимых параметров диодов SS150 и SS275 составляют 600 В/10 А и 1200 В/5 А, соответственно. Три стандартных варианта внутренних соединений включают:

• TI – Три независимых диода
• TA – Три диода с объединенными анодами
• TC – Три диода с объединенными катодами

Мощные SiC диодные модули SS150 и SS275 найдут применение в таких приложениях, как:

• Импульсные источники питания с рабочей частотой мегагерцового диапазона
• Высокочастотные преобразователи
• Резонансные преобразователи
• Выпрямительные схемы

Карбид кремния характеризуется исключительно малым временем переключения, высокой рабочей частотой с нулевым временем обратного восстановления и независящим от температуры поведением. В сочетании с низкоиндуктивными высокочастотными корпусами компании IXYS новые диоды могут использоваться во множестве быстродействующих переключательных схем или высокочастотных преобразователей.

Основные особенности SS150 и SS275

• Корпуса для поверхностного монтажа
• Доступны приборы 600 В/10 А и 1200 В/5 А
• Нулевое время обратного восстановления
• Нулевое время прямого восстановления
• Высокая рабочая частота
• Независящие от температуры режимы работы
• Низкая индуктивность
• Положительный температурный коэффициент прямого падения напряжения

Диодные модули SS150 и SS275 уже поставляются непосредственно со склада IXYS.