IXYS Corporation анонсировала начало производства линейки самых высоковольтных в отрасли силовых MOSFET. N-канальные приборы с допустимым напряжением стока 4500 В выпускаются в корпусах, полностью соответствующих международным стандартам. Семейство включает транзисторы с допустимым рабочим током от 200 мА до 2 А. Приборы разрабатывались специально для высокочастотных преобразователей энергии, требующих очень высокого запирающего напряжения.
Благодаря положительному температурному коэффициенту сопротивления открытого канала, новые высоковольтные MOSFET очень удобно использовать в параллельном включении, что, к тому же, намного проще и дешевле, чем последовательное включение низковольтных транзисторов. Это также сокращает количество необходимых драйверов затворов, упрощает схему, уменьшает требуемую площадь печатной платы и повышает общую надежность системы. «Всем нам известно из базового курса физики, что передача электрической энергии происходит тем эффективнее, чем выше напряжение в линии. Именно поэтому мы разработали новую технологию, чтобы максимально приблизить рабочее напряжение преобразователей энергии к напряжению сети», – комментирует Натан Зоммер (Nathan Zommer), основатель и генеральный директор IXYS Corporation. – «Во многих промышленных, транспортных и медицинских приложениях используются высоковольтные схемы управления, для которых и создан наш транзистор».
Беспрецедентный уровень изоляции в 4500 В достигнут с помощью технологии DCB (Direct Copper Bond), при которой кристалл транзистора монтируется на отделенное керамической пластиной медное основание, одновременно выполняющее функции вывода и теплоотвода. DCB обеспечивает низкое тепловое сопротивление и лучшие в своем классе мощность и устойчивость к термоциклированию. По уровню пожарной безопасности используемый для опрессовки эпоксидный компаунд соответствует требованиям стандарта UL 94 V-0 (самозатухание в течение 10 с).
Новые силовые MOSFET могут стать оптимальным решением для таких приложений, как системы отвода энергии от высоковольтных сетей, разрядные цепи конденсаторов, высоковольтное автоматизированное измерительное оборудование, блоки накачки лазеров и питания рентгеновских трубок, высоковольтные источники питания и импульсные схемы.
4500-вольтовые MOSFET выпускаются в разработанных IXYS высоковольтных версиях стандартных корпусов TO-263, TO-268, ISOPLUS i4-Pak и ISOPLUS i5-Pak. В настоящее время доступны приборы IXTT02N450HV, IXTA02N450HV, IXTF02N450, IXTF1N450, IXTT1N450HV и IXTL2N450 с допустимым током стока 200 мА, 200 мА, 200 мА, 900 мА, 1 А и 2 А, соответственно.
IXYS Corporation анонсировала начало производства линейки самых высоковольтных в отрасли силовых MOSFET. N-канальные приборы с допустимым напряжением стока 4500 В выпускаются в корпусах, полностью соответствующих международным стандартам. Семейство включает транзисторы с допустимым рабочим током от 200 мА до 2 А. Приборы разрабатывались специально для высокочастотных преобразователей энергии, требующих очень высокого запирающего напряжения.
Благодаря положительному температурному коэффициенту сопротивления открытого канала, новые высоковольтные MOSFET очень удобно использовать в параллельном включении, что, к тому же, намного проще и дешевле, чем последовательное включение низковольтных транзисторов. Это также сокращает количество необходимых драйверов затворов, упрощает схему, уменьшает требуемую площадь печатной платы и повышает общую надежность системы. «Всем нам известно из базового курса физики, что передача электрической энергии происходит тем эффективнее, чем выше напряжение в линии. Именно поэтому мы разработали новую технологию, чтобы максимально приблизить рабочее напряжение преобразователей энергии к напряжению сети», – комментирует Натан Зоммер (Nathan Zommer), основатель и генеральный директор IXYS Corporation. – «Во многих промышленных, транспортных и медицинских приложениях используются высоковольтные схемы управления, для которых и создан наш транзистор».
Беспрецедентный уровень изоляции в 4500 В достигнут с помощью технологии DCB (Direct Copper Bond), при которой кристалл транзистора монтируется на отделенное керамической пластиной медное основание, одновременно выполняющее функции вывода и теплоотвода. DCB обеспечивает низкое тепловое сопротивление и лучшие в своем классе мощность и устойчивость к термоциклированию. По уровню пожарной безопасности используемый для опрессовки эпоксидный компаунд соответствует требованиям стандарта UL 94 V-0 (самозатухание в течение 10 с).
Новые силовые MOSFET могут стать оптимальным решением для таких приложений, как системы отвода энергии от высоковольтных сетей, разрядные цепи конденсаторов, высоковольтное автоматизированное измерительное оборудование, блоки накачки лазеров и питания рентгеновских трубок, высоковольтные источники питания и импульсные схемы.
4500-вольтовые MOSFET выпускаются в разработанных IXYS высоковольтных версиях стандартных корпусов TO-263, TO-268, ISOPLUS i4-Pak и ISOPLUS i5-Pak. В настоящее время доступны приборы IXTT02N450HV, IXTA02N450HV, IXTF02N450, IXTF1N450, IXTT1N450HV и IXTL2N450 с допустимым током стока 200 мА, 200 мА, 200 мА, 900 мА, 1 А и 2 А, соответственно.