Прогресс в области широкозонных полупроводниковых материалов позволил создать карбид-кремниевые полевые транзисторы (SiC MOSFET) с повышенной рабочей частотой, обеспечивающие меньшие потери на переключение. Усовершенствованные корпуса с малой паразитной индуктивностью, в которых выпускаются такие транзисторы, позволяют разработчикам в полной мере использовать возможности этих компонентов для увеличения КПД силовых преобразователей и, как следствие, для уменьшения расхода электроэнергии конечным потребителем.
Простые и вместе с тем эффективные доработки серийно выпускаемых корпусов дискретных полупроводниковых приборов обеспечивают значительное улучшение эксплуатационных характеристик SiC MOSFET и, в то же время, позволяют отказаться от новых типов корпусов, применение которых непременно сказалось бы на стоимости и удобстве разработки готовых преобразователей.
Прогресс в области широкозонных полупроводниковых материалов позволил создать карбид-кремниевые полевые транзисторы (SiC MOSFET) с повышенной рабочей частотой, обеспечивающие меньшие потери на переключение. Усовершенствованные корпуса с малой паразитной индуктивностью, в которых выпускаются такие транзисторы, позволяют разработчикам в полной мере использовать возможности этих компонентов для увеличения КПД силовых преобразователей и, как следствие, для уменьшения расхода электроэнергии конечным потребителем.
Простые и вместе с тем эффективные доработки серийно выпускаемых корпусов дискретных полупроводниковых приборов обеспечивают значительное улучшение эксплуатационных характеристик SiC MOSFET и, в то же время, позволяют отказаться от новых типов корпусов, применение которых непременно сказалось бы на стоимости и удобстве разработки готовых преобразователей.
Читать статью »